この規格ページの目次
9
C 2560-1 : 2014
ここに, tan ヒステリシス損失係数
レイリー領域での比透磁率
Bm : 最大磁束密度(T)
3.43
磁心履歴定数, 槿 hysteresis core constant)
レイリー領域で作動する磁心の履歴損失に関する定数。式(29)によって求めることができる。
tan
i
h
(pdf 一覧ページ番号 )
Im L
ここに, tan ヒステリシス損失係数
Im : 測定コイルの電流の最大値
L : コイルの自己インダクタンス
なお,材料履歴定数と磁心履歴定数との関係を式(30)に示す。
3
i
B
0 e
(pdf 一覧ページ番号 )
Ve
ここに, 材料履歴定数
Ve : 実効体積
実効透磁率
真空の透磁率
3.44
磁心損失,Pc(core loss)
磁心に時間的に変化する磁界を印加したとき,磁心に吸収され熱になる電力。
3.45
単位体積磁心損失,Pv(core loss volume density)
単位体積当たりの磁心損失。
3.46
単位質量磁心損失,Pm(core loss mass density)
単位質量当たりの磁心損失。
3.47
Q,Q(quality factor)
損失係数の逆数。
3.48
儀
初透磁率とQとの積。
3.49
実効Q,Qe(effective quality factor)
磁心をもつコイルのQ。式(31)によって求めることができる。
L
Qe (31)
Reff
ここに, 角周波数
L : コイルの自己インダクタンス
Reff : 磁心を含めたコイルの損失抵抗
――――― [JIS C 2560-1 pdf 11] ―――――
10
C 2560-1 : 2014
3.50
見掛Q,Qapp(apparent quality factor)
磁心をもたないコイルのQ(Q0)に対する磁心をもつコイルのQ(Qe)との割合。式(32)によって求め
ることができる。
Qe
Qapp (32)
Q0
ここに, Qe : 磁心をもつコイルのQ
Q0 : 磁心をもたないコイルのQ
3.51
初透磁率の温度係数, 槿 temperature coefficient of initial permeability)
温度T1と温度T2との温度変化に対する温度T1での初透磁率と温度T2での初透磁率との変化率の割合。
式(33)によって求めることができる。
2i 1i 1
μi (33)
1i T2 T1
ここに, T1 : 温度T1
T2 : 温度T2
椀 温度T1での初透磁率
椀 温度T2での初透磁率
3.52
実効透磁率の温度係数, temperature coefficient of effective permeability)
温度T1と温度T2との温度変化に対する温度T1での実効透磁率と温度T2での実効透磁率との変化率の割
合。式(34)によって求めることができる。
e2 1e 1
μe (34)
1e T2 T1
ここに, T1 : 温度T1
T2 : 温度T2
攀 温度T1での実効透磁率
攀 温度T2での実効透磁率
3.53
見掛透磁率の温度係数, 愀 temperature coefficient of apparent permeability)
温度T1と温度T2との温度変化に対する温度T1での見掛透磁率と温度T2での見掛透磁率との変化率の割
合。式(35)によって求めることができる。
app2 app1 1
μapp (35)
app1 T2 T1
ここに, T1 : 温度T1
T2 : 温度T2
愀 温度T1での見掛透磁率
愀 温度T2での見掛透磁率
3.54
実効パルス透磁率の温度係数, temperature coefficient of effective pulse permeability)
温度T1と温度T2との温度変化に対する温度T1でのパルス実効透磁率と温度T2でのパルス実効透磁率と
の変化率の割合。式(36)によって求めることができる。
――――― [JIS C 2560-1 pdf 12] ―――――
11
C 2560-1 : 2014
p2 p1 1
μp (36)
p1 T2 T1
ここに, T1 : 温度T1
T2 : 温度T2
温度T1でのパルス実効透磁率
温度T2でのパルス実効透磁率
3.55
Qの温度係数, 愀 temperature coefficient of quality factor)
温度T1と温度T2との温度変化に対する温度T1でのQと温度T2でのQとの変化率の割合。式(37)によっ
て求めることができる。
Q2 Q1 1
Q (37)
Q1 T2 T1
ここに, T1 : 温度T1
T2 : 温度T2
Q1 : 温度T1でのQ
Q2 : 温度T2でのQ
3.56
実効Qの温度係数, 愀儀 temperature coefficient of effective quality factor)
温度T1と温度T2との温度変化に対する温度T1での実効Qと温度T2での実効Qとの変化率の割合。式(38)
によって求めることができる。
Qe 2 Q1e 1
Qe (38)
Q1e T2 T1
ここに, T1 : 温度T1
T2 : 温度T2
Qe1 : 温度T1での実効Q
Qe2 : 温度T2での実効Q
3.57
損失係数の温度係数,愀愀 temperature coefficient of loss factor)
温度T1と温度T2との温度変化に対する温度T1での損失係数と温度T2での損失係数との変化率の割合。
式(39)によって求めることができる。
tan 2 tan 1 1
tan (39)
tan1 T2 T1
ここに, T1 : 温度T1
T2 : 温度T2
tan 温度T1での損失係数
tan 温度T2での損失係数
3.58
初透磁率の相対温度係数, 愀 temperature factor of initial permeability)
温度T1と温度T2との温度変化に対する温度T1での初透磁率と温度T2での初透磁率との変化率の割合。
式(40)によって求めることができる。
2i 1i 1
F 2
(pdf 一覧ページ番号 )
1i
T2 T1
ここに, T1 : 基準温度
T2 : 測定温度
――――― [JIS C 2560-1 pdf 13] ―――――
12
C 2560-1 : 2014
椀 基準温度T1での初透磁率
椀 温度T2での初透磁率
3.59
キュリー温度,TC(curie temperature)
その温度未満では磁心が強磁性になり,その温度以上では常磁性になる温度。
3.60
ディスアコモデーション,D(disaccommodation)
磁心を完全に消磁した後の磁気的,機械的及び熱的な妨害がない,一定温度の状態での初透磁率の時間
的変化率。式(41)によって求めることができる。
1 2
D% 100 (41)
1
ここに, 完全消磁後,短時間経過したときの初透磁率
完全消磁後,長時間経過したときの初透磁率
3.61
ディスアコモデーション係数,DF(disaccommodation factor)
初透磁率が時間に対して指数関数的に変化する場合のディスアコモデーションを表す係数。式(42)によ
って求めることができる。
1 2 1
DF 2
(t2>t1) (42)
t2
log10 1
t1
ここに, 完全消磁後,t1秒経過したときの初透磁率
完全消磁後,t2秒経過したときの初透磁率
3.62
体積抵抗率, electrical resistivity)
磁心の内部に1 m3の立方体を考え,その相対する両面間に電圧を加えた場合の両面間の電気抵抗。
3.63
表面抵抗,Rs(surface electrical resistance)
磁心表面の電気抵抗。
3.64
真空の誘電率, 攀 permittivity of vacuum electric constant)
真空の誘電率は,式(43)の値とする。
12
0 .8854 210 Fm (43)
3.65
複素誘電率, complex dielectric constant)
複素表示による誘電率。式(44)によって求めることができる。
攀 攀 j 攀 (
ここに, 攀 誘電率
攀 その損失を表す項
j : 1
注記 損失係数は, 攀 一 攀 ‰
――――― [JIS C 2560-1 pdf 14] ―――――
13
C 2560-1 : 2014
3.66
磁気共鳴半値幅, gyromagnetic resonance linewidth)
一様磁気共鳴吸収曲線での損失が,最大点の1/2になる二つの印加直流磁界の差。
3.67
スピン波共鳴半値幅, spin-wave resonance linewidth)
スピン波磁気共鳴吸収曲線での損失が,最大点の1/2になる二つの印加直流磁界の差。
3.68
実効g係数,geff[effective Lande factor (g-factor)]
磁気共鳴での周波数と実効共鳴磁界(H0)との比を176×102で除した値。式(45)によって求めることが
できる。
f
geff (45)
176 10 2 H0
ここに, f : 周波数(Hz)
H0 : 実効共鳴磁界(A/m)
3.69
反磁界係数,N(demagnetizing factor)
一様に磁化した物体に対する係数。これを磁化に乗じて自己減磁界の強さが得られるもの。
3.70
かさ密度,db(density)
質量と体積との比。多結晶体中の外気に通じた空孔(開孔)と内部に閉じ込められた空孔(閉孔)とを
含めた密度。
3.71
見掛密度,dapp(apparent density)
内部に閉じ込められた空孔だけを含めた密度。
3.72
真密度,dt(true density)
空孔の全く存在しない単結晶の密度。
3.73
気孔率(porosity)
総体積に対する全ての空孔の体積の割合。
3.74
吸水率(water absorption)
材料が吸水し得る質量の元の質量に対する割合。
3.75
飽和磁わい(ひずみ)定数, saturation magnetostriction)
磁性体の磁化が0から飽和の磁化まで増加したときの磁化方向での磁性体の長さの変化率。式(46)によ
って求めることができる。
s l
(pdf 一覧ページ番号 )
l
ここに, l : 磁性体の長さ
磁化方向での磁性体の長さl の変化量
――――― [JIS C 2560-1 pdf 15] ―――――
次のページ PDF 16
JIS C 2560-1:2014の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60401-2:2009(MOD)
- IEC 60401-3:2003(MOD)
- IEC 61332:2005(MOD)
- IEC 61333:1996(MOD)
JIS C 2560-1:2014の国際規格 ICS 分類一覧
JIS C 2560-1:2014の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISC2560-2:2006
- フェライト磁心―第2部:試験方法
- JISC2560-3-1:2006
- フェライト磁心―第3-1部:寸法及び外観―E形フェライト磁心
- JISC2569:1998
- リング形フェライト磁心
- JISC5062:2008
- 抵抗器及びコンデンサの表示記号