JIS C 5630-26:2017 マイクロマシン及びＭＥＭＳ―第２６部：マイクロトレンチ構造及びマイクロニードル構造の寸法，形状表示及び計測法

                                                              C 5630-26 : 2017 (IEC 62047-26 : 2016)

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[1]
•  3 用語及び定義・・・・[1]
•  4 マイクロトレンチ構造の形状表示・・・・[2]
•  4.1 一般・・・・[2]
•  4.2 記号及び説明・・・・[2]
•  4.3 形状表示・・・・[4]
•  5 マイクロニードル構造の形状表示・・・・[4]
•  5.1 一般・・・・[4]
•  5.2 記号及び説明・・・・[5]
•  5.3 形状表示・・・・[6]
•  6 計測手順・・・・[6]
•  附属書A(参考)マイクロトレンチ構造及びマイクロニードル構造の計測方法例・・・・[7]
•  附属書B(参考)計測の不確かさ・・・・[19]
•  参考文献・・・・[21]

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C 5630-26 : 2017 (IEC 62047-26 : 2016)

まえがき

  この規格は,工業標準化法第12条第1項の規定に基づき,一般財団法人マイクロマシンセンター(MMC)
及び一般財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を制定すべきとの申出
があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格(日本産業規格)である。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。
  JIS C 5630の規格群には,次に示す部編成がある。
    JIS C 5630-1 第1部 : マイクロマシン及びMEMSに関する用語
    JIS C 5630-2 第2部 : 薄膜材料の引張強さ試験方法
    JIS C 5630-3 第3部 : 薄膜材料の標準試験片
    JIS C 5630-6 第6部 : 薄膜材料の軸荷重疲労試験方法
    JIS C 5630-12 第12部 : MEMS構造体の共振振動を用いた薄膜材料の曲げ荷重疲労試験方法
    JIS C 5630-13 第13部 : MEMS構造体のための曲げ及びせん断試験による接合強度試験方法
    JIS C 5630-18 第18部 : 薄膜曲げ試験方法
    JIS C 5630-19 第19部 : 電子コンパス
    JIS C 5630-20 第20部 : 小型ジャイロ
    JIS C 5630-26 第26部 : マイクロトレンチ構造及びマイクロニードル構造の寸法,形状表示及び計測
        法

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                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                         C 5630-26 : 2017
                                                                        (IEC 62047-26 : 2016)

マイクロマシン及びMEMS−第26部 : マイクロトレンチ構造及びマイクロニードル構造の寸法,形状表示及び計測法

Semiconductor devices-Micro-electromechanical devices-Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needlestructures

序文

  この規格は,2016年に第1版として発行されたIEC 62047-26を基に,技術的内容及び構成を変更する
ことなく作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
  なお,この規格で点線の下線を施してある参考事項は,対応国際規格にはない事項である。

1 適用範囲

  この規格は,マイクロメートルサイズのトレンチ構造(以下,マイクロトレンチ構造という。)及びニー
ドル構造(以下,マイクロニードル構造という。)の寸法,形状表示及び計測法を規定する。
  この規格は,両構造の形状寸法計測例も規定する。
  トレンチ構造は,深さが1 μm100 μm,ウォール部及びトレンチ部の幅がそれぞれ5 μm150 μm,ア
スペクト比が0.006 720の範囲内にある構造を対象としている。
  ニードル構造は,3面又は4面で形成され,その高さ,上面図における水平方向幅及び上下幅が2 μm以
上の大きさをもち,かつ,1辺100 μmの立方体に内包される寸法範囲の構造を対象としている。
  この規格はMEMSデバイス(Micro-electromechanical devices)構造設計及び同デバイス構造の加工評価
に適用される。
    注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
          IEC 62047-26:2016,Semiconductor devices−Micro-electromechanical devices−Part 26: Description
              and measurement methods for micro trench and needle structures(IDT)
            なお,対応の程度を表す記号“IDT”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“一致している”こ
          とを示す。

2 引用規格

  (引用規格はない。)

3 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。

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2
C 5630-26 : 2017 (IEC 62047-26 : 2016)
3.1
トレンチ構造(trench structure)
  平面基板上に加工された一つ以上の互いに平行な溝構造で,その断面曲線がく(矩)形形状であるもの。
3.2
ニードル構造(needle structure)
  三つ以上の面で形成された針状の先端形状を含み,平面基板上の垂直面に対して面対称を成す突起構造。
3.3
ウォール及びトレンチ(wall and trench)
  二つ以上のトレンチ構造を等間隔かつ平行に配置することで形成される壁及び溝の組となった構造。
3.4
スキャロップ(scallop)
  ポリマー保護膜の堆積とその選択的異方性エッチングとを繰り返す深掘反応性イオンエッチング
(DRIE)加工によって,シリコン基板の壁面に形成される周期的な凹凸。

4 マイクロトレンチ構造の形状表示

4.1 一般

  この箇条はマイクロトレンチ構造の断面幾何学形状の表示方法を規定するものである。図1のa) 及び
b) に,この規格で対象とするトレンチ構造の断面形状の例を表示する。トレンチ構造の断面形状は,基板
上面から見て,溝構造長手方向に対して誤差±1°以内で直交する断面形状である。
  なお,トレンチ構造の断面形状及び寸法の計測法については,箇条6及び附属書Aを参照。
                                                                    A-A 断面
               a) トレンチ構造の例                            b)   -A 線の断面の例
                           図1−マイクロトレンチ構造及び断面形状の例

4.2 記号及び説明

  図2に代表的なトレンチ構造の断面形状を示す。また,表1に同構造断面形状を表記するために用いる
記号,説明及び単位をそれぞれ示す。
  図2の断面形状を表記する際の基準水平線は,平面基板上面を直線近似した線である。基準垂直線は,
基準水平線に直交する線と定義する。トレンチ側壁は,同側壁の直線近似した線で表示する。トレンチ底
部は,同底部を直線近似又は曲線近似した線で表示する。平面基板上面において,エッチングを受けず,
基準水平線と同一であるとみなされる部分をウォール部,エッチングを受けたとみなされる部分をトレン

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                                                              C 5630-26 : 2017 (IEC 62047-26 : 2016)
チ部と定義する。この定義に従い,図2のようにウォール部の幅及びトレンチ部の幅を表示する。トレン
チ側壁角度は,基準水平線とトレンチ側壁の近似直線とのなす角度と定義し,ウォール上面に位置する基
準水平線上から時計回りに,最短距離でウォール壁面に向かって計測した値で表す。トレンチ底部でのウ
ォール幅及びトレンチ幅は,トレンチ側壁の近似曲線と同底面の近似線との交点間距離を用いて表示する。
トレンチ深さはトレンチ部中央位置の基準水平線から溝底面までの最短距離と定義する。
  一方,マイクロトレンチ構造が,シリコン基板上で堆積及びエッチングを繰り返す深掘反応性イオンエ
ッチング(DRIE)加工によって製造される場合は,トレンチ側壁にスキャロップが形成される。図3に,
上記エッチング加工によって製造された,逆テーパ側壁をもつトレンチ構造の断面形状の例,及びその寸
法表示記号を示す。
                              図2−マイクロトレンチ構造の断面形状
         図3−シリコン基板上で深掘反応性イオンエッチング(DRIE)加工によって製造した
                                マイクロトレンチ構造の断面形状

――――― [JIS C 5630-26 pdf 5] ―――――

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