JIS C 62790:2020 太陽電池（ＰＶ）モジュール用端子箱―安全性要求事項及び試験 | ページ 9

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                         表B.1−試験パラメータ,試験条件,及び試験手順
         試験用処理          試験パラメータ及び試験条件                   試験手順
   1 低温処理試験   処理温度 : Tmin                         試験体を恒温槽に置き,指定された処理
                                                             時間Tminで保持する。
                     Tminは,試験体の最小定格周囲温度又は最小定
                     格保管温度のいずれか低い方とする。
                     湿度は問わない。
                      試験時間 : 24時間
   2 乾燥高温処理試 処理温度 : Tmax                         試験体を恒温槽に置き,指定された処理
       験                                                    時間Tmaxで保持する。
                     Tmaxは,試験体の最大定格表面温度,最大定格
                     周囲温度又は最大定格保管温度の中で最も高
                      い値に設定する。
                      湿度は問わない。
                      試験時間 : 48時間
   3 急速温度変化試 最大温度 : Tmax                         当該処理手順は,JIS C 60068-2-14のNa
       験                                                    の試験に従う。
                     Tmaxは,試験体の最大定格表面温度,最大定格
                     周囲温度又は最大定格保管温度の中で最も高
                     い値に設定する。
                      最小温度 : Tmin
                     Tminは,試験体の最小定格周囲温度又は最小定
                     格保管温度のいずれか低い方とする。
                     Tmax環境−Tmin環境間の移動時間 : 30秒以内
                     サイクル時間(1サイクルの時間) : 
                     Tmax及びTminは,試験体が定常状態にそれぞれ
                     到達するまで維持し,更に10分間維持する。
                     サイクルは,試験体が目標温度の2 ℃以内に達
                     した時点で開始する。
                     サイクル数 : 5
   4 導電部間の絶縁 温度 :     (40±2)℃                  絶縁抵抗は,沿面距離が最小である二つ
       抵抗           相対湿度 :  90 %95 %                    の外面導体の間で,少なくとも1分間測
                      絶縁抵抗 :  ≧100 M                     定する。試験電圧は,使用電圧とできる
                                                             だけ近い値に設定する。ダイオードは試
                                                             験体のコーティング及び/又はポッテ
                                                             ィング前に除去しなければならない。

――――― [JIS C 62790 pdf 41] ―――――

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C 62790 : 2020
                                              準備
 試験体の準備       各試験体は,通常行われるクリーニング及び保護手順がある場合は,これを含めて,通常の
                    はんだ付け手順を踏んで通常の形でアセンブリを行わなければならない。ダイオードは,適
                    用できる場合,試験体のコーティング及び/又はポッティングの前に除去しなければなら
                    ない。
                                           試料の処理
 表B.1,項目1       低温処理
 表B.1,項目2       乾燥高温処理
 表B.1,項目3       急速温度変化
 5.3.10             高温高湿試験,バックシート又は5 Nの加圧は考慮しない
                                              ↓
                                 処理後の機械的試験及び電気的試験
 表B.1,項目4       絶縁抵抗
                    適合性は表B.1,項目4の絶縁抵抗測定によって確認する。全ての試験体が要求値を満たさ
                    なければならない。
                                              ↓
 目視検査           適合性は,検査で確認する。
                    いずれの試験体も,次を示してはならない。
                    ・ 局所的な膨れ
                    ・ 全体的な膨張
                    ・ 基材からの離
                    ・ クラック
                    ・ 空隙
                              図B.1−試験シーケンス及び適合性確認

――――― [JIS C 62790 pdf 42] ―――――

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                                                                                  C 62790 : 2020
                                          附属書C
                                          (規定)
                             空間距離及び沿面距離の測定
  空間距離及び沿面距離を測定する方法を,次の例1例11(図C.1参照)に規定する。これらの事例は,
空隙,溝又は絶縁の形状による区別は設けない。
  次のように仮定する。
a) 溝を横断する距離が規定の値X以上の場合(表C.1参照),沿面距離は,溝の輪郭に沿って測定する
    (例2参照)。
b) いずれのくぼみも,最も不利な最短の位置に配置された,規定の長さXの絶縁物が橋渡しされると想
    定する(例3参照)。
c) 相互に異なる位置をとることができる導電部間の空間距離及び沿面距離は,最も不利な最短の距離を
    測定する。
  図C.1の例1例11において,Xの値は表C.1に規定する汚損度に応じた値である。
                                         表C.1−寸法X
                                汚損度                   寸法X
                                                          mm
                                   1                      0.25
                                   2                       1.0
                                   3                       1.5
  定められた空間距離が3 mm未満の場合には,Xの寸法は,定められた空間距離の1/3に減らしてもよい。
例1 経路にX mm未満の幅をもつ任意の深さの,側面が平行又は狭くなる溝がある場合。
       図で示すように,空間距離(破線で示す。)及び沿面距離(太線で示す。)は,溝部を直接横断して測定する。
例2 経路に任意の深さで,幅X mm以上の側面が平行な溝がある場合。
       空間距離は,直線距離。沿面距離は,溝の輪郭に沿った距離。
                           図C.1−空間距離及び沿面距離の測定方法の例

――――― [JIS C 62790 pdf 43] ―――――

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C 62790 : 2020
例3 経路にX mmを超える幅をもつV字形の溝がある場合。
       空間距離は,直線距離。沿面距離は,溝の輪郭に沿うが,底部は,X mmのつなぎによって溝を“橋絡”させ
     た距離。
例4 経路にリブがある場合。
       空間距離は,リブの上を通る最短のまっすぐな空間経路の距離。沿面距離は,リブの輪郭に沿った距離。
例5 経路の両側にX mm未満の幅の溝をもつ接着されていない接合部がある場合。
       沿面距離及び空間距離は,図示のとおりの直線距離。
例6 経路の両側にX mm以上の幅の溝をもつ接着されていない接合部がある場合。
       空間距離は,直線距離。沿面距離は,溝の輪郭に沿った距離。
                       図C.1−空間距離及び沿面距離の測定方法の例(続き)

――――― [JIS C 62790 pdf 44] ―――――

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例7 経路の片側にX mm未満の幅の溝及びその反対側にX mm以上の幅の溝をもつ接着されていない接合部がある場
     合。
       空間距離及び沿面距離は,図示のとおり。
例8 接着されていない接合部を通る沿面距離が,障壁を越す沿面距離よりも小さい場合。
       空間距離は,障壁の上を超える最短のまっすぐな空間経路の距離。
例9 ねじの頭部と穴の壁との間が狭すぎて,その空隙を計算に入れない場合。
例10 ねじの頭部と穴の壁との間が十分に広く,空隙を計算に入れる場合。
        距離がX mmに等しいとき,沿面距離の測定は,ねじから壁までである。
                       図C.1−空間距離及び沿面距離の測定方法の例(続き)

――――― [JIS C 62790 pdf 45] ―――――

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