JIS H 0602:1995 シリコン単結晶及びシリコンウェーハの4探針法による抵抗率測定方法 | ページ 2

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H 0602-1995
付表3 1828℃の範囲内のシリコンの抵抗率の温度係数
抵抗率 温度係数 抵抗率 温度係数
攀 攀 攀 攀
攀 N形 P形 攀 N形 P形
0.000 6 0.002 00 0.001 60 1.0 0.007 36 0.007 07
0.000 8 0.002 00 0.001 60 1.2 0.007 47 0.007 22
1.4 0.007 55 0.007 34
0.001 0 0.002 00 0.001 58 1.6 0.007 61 0.007 44
0.001 2 0.001 84 0.001 51 2.0 0.007 68 0.007 59
0.001 4 0.001 69 0.001 49 2.5 0.007 74 0.007 73
0.001 6 0.001 61 0.001 48
0.002 0 0.001 58 0.001 48 3.0 0.007 78 0.007 83
0.002 5 0.001 59 0.001 45 3.5 0.007 82 0.007 91
4.0 0.007 85 0.007 97
0.003 0 0.001 56 0.001 37 5.0 0.007 91 0.008 05
0.003 5 0.001 46 0.001 27 6.0 0.007 97 0.008 11
0.004 0 0.001 31 0.001 16 8.0 0.008 06 0.008 19
0.005 0 0.000 96 0.000 94
0.006 0 0.000 60 0.000 74 10 0.008 13 0.008 25
0.008 0 0.000 06 0.000 46 12 0.008 18 0.008 29
14 0.008 22 0.008 32
0.010 −0.000 22 0.000 31 16 0.008 24 0.008 35
0.012 −0.000 31 0.000 25 20 0.008 26 0.008 40
0.014 −0.000 26 0.000 25 25 0.008 27 0.008 45
0.016 −0.000 13 0.000 29
0.020 0.000 25 0.000 45 30 0.00828 0.008 49
0.025 0.000 83 0.000 73 35 0.00829 0.008 53
40 0.00830 0.008 57
0.030 0.001 39 0.001 02 50 0.00830 0.008 62
0.035 0.001 90 0.001 31 60 0.00830 0.008 67
0.040 0.002 35 0.001 58 80 0.00830 0.008 72
0.050 0.003 09 0.002 08
0.060 0.003 64 0.002 51 100 0.00830 0.008 76
0.080 0.004 39 0.003 20 120 0.00830 0.008 78
140 0.00830 0.008 79
0.10 0.004 86 0.003 72 160 0.00830 0.008 80
0.12 0.005 17 0.004 12 200 0.00830 0.008 82
0.14 0.005 40 0.004 44 250 0.00830 0.008 84
0.16 0.005 58 0.004 71
0.20 0.005 85 0.005 12 300 0.00830 0.008 86
0.25 0.006 09 0.005 48 350 0.00830 0.008 88
400 0.00830 0.008 91
0.30 0.006 27 0.005 75 500 0.00830 0.008 97
0.35 0.006 43 0.005 96 600 0.00830 0.009 00
0.40 0.006 56 0.006 13 800 0.00830 0.009 00
0.50 0.006 78 0.006 39
0.60 0.006 96 0.006 59 1 000 0.008 30 0.009 00
0.80 0.007 20 0.006 87 >1 000 0.008 30 0.009 00
備考 P形シリコンについては,ほう素を添加したものだけに適用される。イタリック体で示した数字は,

測定点をスムーズな曲線で表したときの曲線上の点を示す。抵抗率1 000 上の温度係数は,外
挿によって求めた。

――――― [JIS H 0602 pdf 6] ―――――

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H 0602-1995
付表4 単結晶及びウェーハの抵抗率と測定電流
抵抗率 地 電流
0.075以下 100mA
0.075を超え 0.75 以下 10mA
0.75 を超え 7.5 以下 1mA
7.5 を超え 75 以下 100
75 を超え 750 以下 10
750 を超え 2 000 以下 1
2 000を超えるとき 0.1
備考 電流値の選定は,厚さが500 ェーハで中
探針の電位差が33mV以下になるようにした。
JIS原案作成委員会 構成表(平成2年1月1日改正のとき)
氏名 所属
(委員長) 水 間 基一郎 日本シリコン株式会社
(幹事) 徳 丸 洋 三 中央大学
(幹事) 高 須 新一郎 東芝セラミックス株式会社
伊 藤 大 基 小松電子金属株式会社
津 屋 英 樹 日本電気株式会社
上 田 貴 士 九州電子金属株式会社
白 井 省 三 信越半導体株式会社
小 林 則 夫 株式会社東芝
安 楽 一 宏 沖電気工業株式会社
青 島 孝 明 株式会社日立製作所
本 田 耕一郎 株式会社富士通研究所
三 溝 宣 秀 日本モンサント株式会社
前 田 勲 男 工業技術院
(関係者) 池 田 順 一 財団法人日本規格協会
(事務局) 宮 下 敏 也 社団法人日本電子工業振興協会

JIS H 0602:1995の国際規格 ICS 分類一覧

JIS H 0602:1995の関連規格と引用規格一覧

規格番号
規格名称
JISR6001:1998
研削といし用研磨材の粒度