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Z 8000-12 : 2016 (ISO 80000-12 : 2009)
固体物理学 量
番号 名称 記号 定義 説明
12-16.1 フォノンの平均自 lph,(Λ) フォノンの平均自由行程[JIS Z
由行程
(13-16.1) 8000-10(番号10-73)]。
(mean free path of
phonons)
12-16.2 電子の平均自由行 le,(l) 電子の平均自由行程[JIS Z
程
(13-16.2) 8000-10(番号10-73)]。
(mean free path of
electrons)
12-17 状態のエネルギー nE,ρ dN E 1 状態のエネルギー密度を含む状態
E nE E
(13-17) 密度 dE V 密度は,一般に,電子,その他の
(energy density of 対象など,例えば,フォノンに適
ここに, N(E) : E[JIS Z 8000-4
states) 用することができる。
(番号4-27.4)]
よりも小さいエ体積当たりの状態の数の代わり
ネルギーの状態に,物質量当たりの状態の数にも
の全個数 同様に適用できる。
V : 体積[JIS Z
8000-3(番号
3-4)]
12-18 残留抵抗率 ρR 金属については,ゼロ熱力学温度
(13-18)(residual resistivity) [JIS Z 8000-5(番号5-1)]に外
挿された抵抗率[JIS Z 8000-6(番
号6-44)]。
12-19 ローレンツ係数 L L T
(13-19)(Lorenz coefficient) ここに, λ : 熱伝導率[JIS Z
8000-5(番号5-9)]
σ : 導電率[JIS Z
8000-6(番号6-43)]
T : 熱力学温度[JIS Z
8000-5(番号5-1)]
――――― [JIS Z 8000-12 pdf 16] ―――――
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Z 8000-12 : 2016 (ISO 80000-12 : 2009)
単位 固体物理学
番号 名称 単位記号 定義 換算率及び説明
12-16.a メートル m
(metre)
12-17.a 毎ジュール毎立方 J−1/m3
メートル
(joule to the power
minus one per cubic
metre)
12-17.b 毎電子ボルト毎立 eV−1/m3 1 eV−1/m3=
方メートル 6.241 509 126 (38)×1018 J−1 m−3
(electronvolt to the [2014年CODATA推奨値]
power minus one per
cubic metre)
12-18.a オームメートル ・m
(ohm metre)
12-19.a ボルト2乗毎ケル V2/K2
ビン2乗
(volt squared per
kelvin squared)
――――― [JIS Z 8000-12 pdf 17] ―――――
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Z 8000-12 : 2016 (ISO 80000-12 : 2009)
固体物理学 量
番号 名称 記号 定義 説明
12-20 ホール係数 RH,AH 等方的電気伝導体では,電界の強
(13-20)(Hall coefficient) さE[JIS Z 8000-6(番号6-10)]
と電流密度J[JIS Z 8000-6(番
号6-8)]との関係は,RHを用い
て,次の式によって表される。
E=ρJ+RH(B×J)
ここに, ρ : 抵抗率[JIS Z
8000-6(番号6-44)]
B : 磁束密度[JIS Z
8000-6(番号6-21)]
12-21 物質a,b間の電源 Eab 物質a,b間の電源電圧[JIS Z 冷接点でVaがVbより高い場合,
(13-21) 電圧 8000-6(番号6-36)]。 Eabは正であるとする。
(source voltage
between substances a
and b)
12-22 物質a,b間のゼー Sab,(εab) b dEab Sab=Sa−Sb
S
(13-22) ベック係数 dT ここに,Sa : 物質aのゼーベック
(Seebeck coefficient ここに,Eab : 物質a,b間の電源 係数
for substances a and 電圧(番号12-21)
b) T : 熱接点での熱力学
温度[JIS Z 8000-5
(番号5-1)]
12-23 物質a,b間のペル Πab 接点で発生したペルチェ熱の仕Πab=Πa−Πb
(13-23) チェ係数 事率を,物質aから物質bに流れここに,Πa : 物質aのペルチェ係
(Peltier coefficient る電流[JIS Z 8000-6(番号6-1)] 数
for substances a and で除したもの。
b)
12-24 トムソン係数 ,(τ) 発生したトムソン熱の仕事率を電流の方向に温度降下があるとき
(13-24)(Thomson ‰
に熱が発生すれば,
電流[JIS Z 8000-6(番号6-1)]
coefficient) 及び温度[JIS Z 8000-5(番号
5-1)]差で除したもの。
――――― [JIS Z 8000-12 pdf 18] ―――――
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Z 8000-12 : 2016 (ISO 80000-12 : 2009)
単位 固体物理学
番号 名称 単位記号 定義 換算率及び説明
12-20.a 立方メートル毎ク m3/C
ーロン
(cubic metre per
coulomb)
12-21.a ボルト V
(volt)
12-22.a ボルト毎ケルビン V/K
(volt per kelvin)
12-23.a ボルト V
(volt)
12-24.a ボルト毎ケルビン V/K
(volt per kelvin)
――――― [JIS Z 8000-12 pdf 19] ―――――
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Z 8000-12 : 2016 (ISO 80000-12 : 2009)
固体物理学 量
番号 名称 記号 定義 説明
12-25.1 エネルギーレベル E 物質の内部のフェルミエネルギ量子状態のエネルギーは,主にク
(−) (energy level) ーロン力による。
ー(番号12-28.1)状態にある電
子のイオン化エネルギー。
“エネルギーレベル”という用語
は,電子のエネルギーだけでなく,
電子の状態を表すためによく使わ
12-25.2 仕事関数 Φ 無限遠にある静止した電子と特れる。
(13-25)(work function) 定されるエネルギーレベル(番号
物質a,b間の接触ポテンシャルの
12-25.1)にある電子とのエネル
ギー[JIS Z 8000-4(番号4-27.4)] 差は,次の式で表される。
の差。 Va−Vb=(Φa−Φb)/e
ここに, e : 電気素量[JIS Z
8000-9(番号9-49)]
12-25.3 イオン化エネルギ Ei 無限遠にある静止した電子と特実質上,連続的にエネルギーがあ
(−) ー る区間を占める場合,そのエネル
定されるエネルギーレベル(番号
(ionization energy) ギーレベル全体をエネルギー帯と
12-25.1)にある電子とのエネル
呼ぶ。
ギー[JIS Z 8000-4(番号4-27.4)]
の差。
12-26 電子親和力 χ 絶縁体又は半導体内で無限遠に
(13-26)(electron affinity) 静止する電子と伝導帯の最低レ
ベルにある電子とのエネルギー
[JIS Z 8000-4(番号4-27.4)]の
差。
12-27 リチャードソン定 A 金属からの熱電子放出の電流密
(13-27) 数 度J[JIS Z 8000-6(番号6-8)]
(Richardson は,Aを使って次の式で表され
constant) る。
J=AT 2 exp(−Φ/kT)
ここに, T : 熱力学温度[JIS Z
8000-5(番号5-1)]
k : ボルツマン定数
[JIS Z 8000-9(番号
9-43)]
Φ : 仕事関数(番号
12-25.2)
――――― [JIS Z 8000-12 pdf 20] ―――――
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JIS Z 8000-12:2016の引用国際規格 ISO 一覧
- ISO 80000-12:2009(IDT)
JIS Z 8000-12:2016の国際規格 ICS 分類一覧
- 01 : 総論.用語.標準化.ドキュメンテーション > 01.060 : 量及び単位
JIS Z 8000-12:2016の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISZ8000-10:2015
- 量及び単位―第10部:原子物理学及び核物理学
- JISZ8000-3:2014
- 量及び単位―第3部:空間及び時間
- JISZ8000-4:2014
- 量及び単位―第4部:力学
- JISZ8000-5:2014
- 量及び単位―第5部:熱力学
- JISZ8000-6:2014
- 量及び単位―第6部:電磁気
- JISZ8000-7:2014
- 量及び単位―第7部:光
- JISZ8000-9:2015
- 量及び単位―第9部:物理化学及び分子物理学