JIS C 5402-23-3:2005 電子機器用コネクタ―試験及び測定―第２３－３部：スクリーニング及びフィルタリング試験―試験２３ｃ：コネクタ及びアクセサリのシールド効果 | ページ 2

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C 5402-23-3 : 2005 (IEC 60512-23-3 : 2000)
  − 絶縁付銅箔又はインジェクションライン用多心リボンケーブル
   A1    結合ボックス
  A2     終端ボックス
  D      インジェクションライン用発信部
  F      1次回路用供給ケーブル
                                        図 2 試験構成図

5. 試料の準備

 アクセサリを試験するすべての場合において,シールディングチューブは,供試アクセ
サリと交換する。

5.1 丸形コネクタ

 コネクタシェルを,耐高周波シールディングチューブに取り付ける。
  試料の全長は,結合部としての役割をする。
  図3に丸形コネクタ試験構成(test set-up)例を示す。インジェクションラインとの結合は,信号発生器
の供給ケーブル用の適切な終端負荷の付いたセミリジット同軸ケーブルによって行う。セミリジット同軸
ケーブルの外部導体とシールディングチューブとは,はんだで接続する。
  インジェクションラインは,コネクタシェルの導電性のある表面から離しておく必要がある。したがっ
て,インピーダンス整合のために,適切な誘電体を選択しなければならない。
                                図 3 丸形コネクタの試験構成例

――――― [JIS C 5402-23-3 pdf 6] ―――――

                                                                                              5
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5.2 角形コネクタ

 シールド付シェル内の角形コネクタに関しては,シールディングチューブ又は同等
のシールド付ケーブルを耐高周波コネクタシェルのケーブル保持部に結合する。
  結合部は,信号経路の方向で両シェルの全長に及んでいる。
  コネクタインタフェースがシールド付シェルの片面だけに取り付けられている場合,アダプタには,個々
の外部シールディングがなければならない。
  図4にシールド付角形コネクタ試験構成例を示す。セミリジット同軸ケーブルは,インジェクションラ
インとの結合のために使用し,また同ラインは,適切な誘電体を介して試料から離しておく(必要とする
場合)。
                            図 4 シールド付角形コネクタの試験構成例

5.3 プリント配線板用コネクタ

 プリント配線板用コネクタは,配線板に外部シールディング構造が追
加されている場合には,インジェクションライン法を用いた場合だけ,試験することができる。外部シー
ルディング構造は,適切なシールド付ボックス,両面がシールドされているプリント配線板,又は同等の
構造によって実現できる。
  図5に,プリント配線板用コネクタ試験構成例を示す。分離用の適切な誘電体を取り付けてインピーダ
ンス整合したインジェクションラインを,セミリジット同軸ケーブルに結合する。終端には50Ω表面実装
タイプの抵抗を使用し,これを結合部より離れたプリント配線板上に取り付ける。
  シールディングチューブの代わりに両面がシールドされ,かつ,インピーダンス整合されたストリップ
ライン技術をもつ多層基板を使用する。

――――― [JIS C 5402-23-3 pdf 7] ―――――

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C 5402-23-3 : 2005 (IEC 60512-23-3 : 2000)
                      図 5 シールド付プリント配線板用コネクタの試験構成例

5.4 1次回路及び2次回路のインピーダンス整合

 供試コンタクト又は試験中のコンタクトグループ(2
次回路)及びインジェクションライン(1次回路)は,インピーダンス値が50Ω±10Ωの範囲となるよう
に,選択し調整する。
  1MHz以下の周波数においては,より大きな公差値であってもよい(50Ω±20Ω)。

5.5 2次回路の準備

 供試コンタクトは,個別規格に規定する。その他のコンタクトは接続しない。
  インジェクションラインに沿ったインピーダンス測定は,タイムドメインリフレクトメータ(TDR)を
使用する。

5.6 1次回路の適合条件

 インジェクションラインの規定周波数範囲に対して要求されるインピーダン
スは,適切に設計された銅箔又は適正な導体数のリボンケーブルを使用することにより実現できる。同時
に,インピーダンス整合は,TDR(立ち上がり時間<100ps)で測定する。
  インジェクションラインは,コネクタの中で選択したコンタクトに対して,並行に取り付ける。
  コネクタ コンタクトとインジェクションライン間との距離は,可能な限り短くする。結合部分は,試料
の長さに制限する。

5.7 測定回路の校正

 校正手順については,図6に測定回路を示す。短絡回路の校正手順の場合,ネッ
トワークアナライザの出力信号は,試料を経由して入力チャネルに接続する。

――――― [JIS C 5402-23-3 pdf 8] ―――――

                                                                                              7
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   A1    結合ボックス
  A2     終端ボックス
  D      インジェクションライン用発信部
                                     図 6 測定回路の校正

6. シールド効果の測定

6.1 測定

 測定は,IEC 60096-4-1 の 12.1.6.3 に従う試験構成及び図2から図5による試験構成を使用
する。

6.2 減衰量計算の方法

 表面伝送インピーダンス及びシールド効果は,次の関係式によって計算するこ
とができる。
    備考 ZTの値は,試料に関する絶対値である(ただし,試料が単位長さのケーブルでない場合,結果
          を修正する必要がある。)。
  電流(I)がコネクタ/アクセサリ/シールディング内に誘起されるとき,
                         I dB A    Vsg dB Vemf
  ここで,Vsgは,電源電圧である。最後の項は,電源インピーダンス及び直列につながる附属品の抵抗に
より生じる回路の100Ωインピーダンスに起因する。
  Voutが50Ω系の内部導体上で測定した電圧の場合,その時には伝達インピーダンスは,次のように表現
できる。
                 表面伝達インピーダンス  ZT dB      Vout  6  Vsg   40
  ここで,Vout及びVsgの単位は,dBμVである。
  126dBμVの電源電圧を使用する場合は,
                        ZT dB      Vout  80
  シールド効果     20 log10 RL   20 log10 ZT
  ここで, RL

――――― [JIS C 5402-23-3 pdf 9] ―――――

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C 5402-23-3 : 2005 (IEC 60512-23-3 : 2000)
  測定結果は,両対数目盛により直線状の曲線に描かれる。縦軸に相対シールド減衰量を,横軸に周波数
を示す(図7参照)。
                                図 7 シールド減衰量プロット例

7. 要求事項

 表面伝達インピーダンスは,ミリオーム(mΩ)で表すか,又は,デシベル(dB)でシー
ルド効果に換算され,個別規格で規定する値を超えてはならない。

8. 個別規格に規定する事項

 個別規格には,次の事項を規定する。
a) 供試コンタクト又はコンタクトグループ
b) シールド効果の最小値(dB)又は伝達インピーダンスの最大値(Z)
c) 周波数又は周波数範囲
d) 試験に使用するケーブルのスクリーン外径寸法
e) この試験法と相違する事項

――――― [JIS C 5402-23-3 pdf 10] ―――――

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