25
C 5945 : 2005
K3 : スペクトラムアナライザのログアンプ補正係数 1.45(dB)
6.19.4 測定上の注意 反射光又は測定系の雑音などが測定結果に影響する場合があるので,必要に応じ測
定条件又は測定回路を明示することが望ましい。
6.19.5 個別仕様書に規定すべき項目
1) 動作温度Top
2) 順電流If又は光ファイバ端出力Pf
3) 負荷抵抗値(RL1,RL2)変調度m
4) 変調度
5) チャンネル数及び変調周波数
6) スペクトラムアナライザの分解能帯域幅
7) 信号帯域幅
8) 半導体レーザモジュールと受光素子との間の光減衰量及びその方法
S1···SNのパワーモニタ用ライン(スイッチ切り替え)
信号用ディテクタ
A
E2
E1
S1···SN : 正弦波信号源
供試半導体レーザ
E1 : レーザバイアス用直流電源
E2 : ディテクタ逆バイアス用直流電源
C1,C2 : 結合用コンデンサ
RL1 : インピーダンス整合用抵抗
RL2 : 負荷抵抗
図 28 信号対雑音強度比の測定回路
6.20 変調度(m : Moduration index)
6.20.1 目的 規定された状態での,半導体レーザモジュールのアナログ変調時の変調度を測定することを
目的とする。変調度mの定義を式(13)及び図29に示す。
m imax imin imax imin i iav ........(13)
ここで,imax : 最大信号電流
imin : 最小信号電流
――――― [JIS C 5945 pdf 26] ―――――
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C 5945 : 2005
i : 信号電流振幅
avi : 平均信号電流振幅
図 29 変調度の定義
6.20.2 測定回路 変調度mの測定は図30に示す回路によって行う。
6.20.3 測定方法 半導体レーザモジュールのレーザ素子端子間に電源P1により規定の順電流If又は規定
の光ファイバ端出力Pfを得る順電流Ifを流し,さらに規定の振幅の正弦波信号S1(周波数f1)を重畳する。
半導体レーザから放出された光を受光素子に入射し,電気信号に変換する。受光素子は,直流電源P2によ
り逆バイアスをかける。平均受光電流は電流計によって測定する。受光素子は抵抗RL2により,測定装置
にインピーダンス整合する。信号電流の振幅は,スペクトラムアナライザ又はRFパワーメータにより測
定される変調周波数のうち特定の周波数の信号のパワーPから決定する。変調度は式(14)によって算出
する。
12
m 2Pw RL2 Iph .........(14)
wP : 受光電力 (W)
ここで,
R : 負荷抵抗
L2 (Ω)
I : 平均受光電流
ph (A)
6.20.4 測定上の注意 受光素子の反射光は-50dBm以下が望ましく,入力パワーレベルは受光素子の線形
入力範囲を越えてはならない。RFパワーPwはスペクトラムアナライザ又はRFパワーメータの最大入力を
越えてはならない。必要に応じ測定条件又は測定回路を明示することが望ましい。
6.20.5 個別仕様書に規定すべき項目
1) 動作温度Top
2) 順電流If又は光ファイバ端出力Pf
3) 半導体レーザモジュールと受光素子との間の光減衰退量及びその方法
4) 変調周波数f
――――― [JIS C 5945 pdf 27] ―――――
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C 5945 : 2005
A 信号用ディテクタ
E2
E1
S1 : 正弦波信号源 供試半導体レーザ
E1 : レーザバイアス用直流電源
E2 : ディテクタ逆バイアス用直流電源
C1,C2 : 結合用コンデンサ
RL1 : インピーダンス整合用抵抗
RL2 : 負荷抵抗
図 30 変調度の測定回路
6.21 トラッキングエラー(Er)
6.21.1 目的 規定された状態での,半導体レーザモジュールのトラッキングエラーを測定することを目的
とする。
6.21.2 測定回路 トラッキングエラーErの測定は,図31に示す回路によって,次の方法で行う。
6.21.3 測定方法 図31に示すように半導体レーザモジュールの光モニタ端子から半導体レーザモジュー
ルの光出力のモニタ信号を得,かつ,その信号によって順電流Ifに負帰還をかけAPC(Automatic Power
Control ; 自動出力制御)を行う。この状態で指定されたケース温度Topを指定された範囲内で温度を変化
させ,トラッキングエラーEr1,Er2,Erをそれぞれ式(15), 式(16), 及び 式(17)によって算出する。
PREF Pmin
Er1 100(%) .............(15)
PREF
Pmax PREF
Er2 100(%) ............(16)
PREF
Pf
Er MAX 10 log 10 (dB) .............(17)
PREF
ここに,Pmax : 指定されたケース又はサブマウント温度範囲以内での光ファイバ端出力最大値
Pmin : 指定されたケース又はサブマウント温度範囲以内での光ファイバ端出力最小値
PREF : 基準の動作温度(通常は25℃)での光ファイバ端出力
――――― [JIS C 5945 pdf 28] ―――――
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C 5945 : 2005
fP : 規定された動作温度範囲内の特定の温度での光ファイバ端出力
6.21.4 測定上の注意 ケース温度を変化させる間に光パワーメータの感度が変化しないように注意する。
温度槽を用いるときは光パワーメータを温度槽の外に置くことが望ましい。また,式(15),式(16), 式(17)
いずれの方法によって測定したかを明記することが望ましい。
6.21.5 個別仕様書に規定すべき項目
1) 動作温度Top
2) 順電流If又は光ファイバ端出力Pf
3) 算出に用いた方法
図 31 トラッキングエラーの測定回路
――――― [JIS C 5945 pdf 29] ―――――
29
C 5945 : 2005
附属書1(参考)JISと対応する国際規格との対比表
JIS C 5945:2005 光伝送用半導体レーザモジュール測定方法 IEC62007-2:1999,Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications - Part
2 : Measuring methods
(I)JISの規定 (II) (III)国際規格の規定 (V)JISと国際規格との技術的差異の理由
(IV)JISと国際規格との技術的差異の項目
国際規格番 ごとの評価及びその内容 及び今後の対策
号 表示箇所 : 本体
表示方法 : 点線の下線
項目番号 内容 項目 内容 項目ごと 技術的差異の内容
番号 の評価
1999年以降、伝送用光能動部品のIEC規格
がTC47(半導体デバイス)からTC86(光フ
ァイバシステム)への体系移行が行われた。
これに伴い規格体系がTC47の部品ごとの規
格体系からTC86の応用システムごとの規格
体系への再編が進められている。JISでは管
轄がTC47のときから部品ごとに分けて順
次、審議してきた経緯により、審議済みの規
格は、部品ごとの規格としてきている。なお、
IECでは複数の部品が一つの規格となって
おり、引き続き審議検討予定である。いまま
でJISで審議を行ってきた個々の部品を除
き、今後新規に検討を開始するJISについて
は、TC86の規格体系に合わせて整合を図っ
ていく予定である。
1.適用範囲 光伝送用半導体レーザ IEC62007-2 1 IEC62007-2は光伝送用半 MOD/削 IECでは複数の光能動部品に 削除した製品は別のJISとして制定済み又は
モジュールの測定方法 導体レーザモジュール以 除 制定予定である。
対する規定となっているため、
について規定している。 外にも、光ファイバ増幅器 光伝送用半導体レーザモジュ
用半導体レーザモジュー ール以外の記載内容を削除し 制定済み :
ルやLEDやPIN-FETモジ た。 JIS C 5941(光伝送用半導体レーザ)、JIS C
ュールなどの光半導体モ 5951(光伝送用発光ダイオード)、JIS C 991
ジュール全般に広く適用 (光伝送用フォトダイオード)
する測定方法としてまと
めてある。 制定予定 :
光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュー
ル・pin-FETモジュール・光変調器モジュー
ル・デュプレクサモジュール
――――― [JIS C 5945 pdf 30] ―――――
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JIS C 5945:2005の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 62007-2:1996(MOD)
JIS C 5945:2005の国際規格 ICS 分類一覧
- 33 : 電気通信工学.オーディオ及びビデオ工学 > 33.180 : 光ファイバ通信 > 33.180.01 : 光ファイバシステム一般
- 31 : エレクトロニクス > 31.260 : オプトエレクトロニクス.レーザー設備
JIS C 5945:2005の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISC1102-1:2007
- 直動式指示電気計器―第1部:定義及び共通する要求事項
- JISZ8203:1964
- 単位記号
- JISZ8203:2000
- 国際単位系(SI)及びその使い方