この規格ページの目次
JIS C 5952-12:2008 規格概要
この規格 C5952-12は、高速光伝送装置に用いられる同軸形高周波コネクタ付半導体レーザ送信モジュールの物理的インタフェースの互換性を確立することを目的として,その仕様について規定。
JISC5952-12 規格全文情報
- 規格番号
- JIS C5952-12
- 規格名称
- 光伝送用能動部品―パッケージ及びインタフェース標準―第12部 : 同軸形高周波コネクタ付半導体レーザ送信モジュール
- 規格名称英語訳
- Fibre optic active components and devices -- Package interface standards --Part 12:Laser transmitters with a coaxial RF connector
- 制定年月日
- 2008年9月20日
- 最新改正日
- 2018年10月22日
- JIS 閲覧
- ‐
- 対応国際規格
ISO
- IEC 62148-12:2004(MOD)
- 国際規格分類
ICS
- 33.180.20
- 主務大臣
- 経済産業
- JISハンドブック
- 電子 II-1 2020, 電子 II-2 2020, 電子 III-1 2020, 電子 III-2 2020
- 改訂:履歴
- 2008-09-20 制定日, 2013-10-21 確認日, 2018-10-22 確認
- ページ
- JIS C 5952-12:2008 PDF [9]
C 5952-12 : 2008
pdf 目 次
ページ
- 序文・・・・[1]
- 1 適用範囲・・・・[1]
- 2 引用規格・・・・[1]
- 3 用語及び定義・・・・[2]
- 4 分類・・・・[2]
- 5 仕様・・・・[2]
- 5.1 ピグテイル形インタフェース・・・・[2]
- 5.2 電気的インタフェース・・・・[2]
- 6 外形及びフットプリント・・・・[4]
- 6.1 きょう(筐)体の形状・寸法・・・・[4]
- 6.2 フットプリント・・・・[5]
- 附属書JA(参考)JISと対応する国際規格との対比表・・・・[7]
(pdf 一覧ページ番号 1)
――――― [JIS C 5952-12 pdf 1] ―――――
C 5952-12 : 2008
まえがき
この規格は,工業標準化法第12条第1項の規定に基づき,財団法人光産業技術振興協会 (OITDA) 及び
財団法人日本規格協会 (JSA) から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を制定すべきとの申出があり,日
本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格(日本産業規格)である。
この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に
抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許
権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に係る確認について,責任は
もたない。
JIS C 5952の規格群には,次に示す部編成がある。
JIS C 5952-1 第1部 : 総則
JIS C 5952-2 第2部 : MT-RJ(F19形)コネクタ付10ピンSFF形光トランシーバ
JIS C 5952-3 第3部 : MT-RJ(F19形)コネクタ付20ピンSFF形光トランシーバ
JIS C 5952-4 第4部 : PNコネクタ付1×9ピンプラスチック光ファイバ光トランシーバ
JIS C 5952-5 第5部 : SC(F04形)コネクタ付1×9ピン光送信・受信モジュール及び光トランシーバ
JIS C 5952-6 第6部 : ATM-PON用光トランシーバ
JIS C 5952-7 第7部 : LCコネクタ付10ピンSFF形光トランシーバ
JIS C 5952-8 第8部 : LCコネクタ付20ピンSFF形光トランシーバ
JIS C 5952-9 第9部 : MU(F14形)コネクタ付10ピンSFF形光トランシーバ
JIS C 5952-10 第10部 : MU(F14形)コネクタ付20ピンSFF形光トランシーバ
JIS C 5952-11 第11部 : 14ピン変調器集積形半導体レーザ送信モジュール
JIS C 5952-12 第12部 : 同軸形高周波コネクタ付半導体レーザ送信モジュール
(pdf 一覧ページ番号 2)
――――― [JIS C 5952-12 pdf 2] ―――――
日本工業規格(日本産業規格) JIS
C 5952-12 : 2008
光伝送用能動部品−パッケージ及びインタフェース標準−第12部 : 同軸形高周波コネクタ付半導体レーザ送信モジュール
Fibre optic active components and devices-Package interface standards- Part 12 : Laser transmitters with a coaxial RF connector
序文
この規格は,2004年に第1版として発行されたIEC 62148-12を基に,技術的内容を変更して作成した
日本工業規格(日本産業規格)である。
なお,この規格で点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。変更の一
覧表にその説明を付けて,附属書JAに示す。
1 適用範囲
この規格は,高速光伝送装置に用いられる同軸形高周波コネクタ付半導体レーザ送信モジュールの物理
的インタフェースの互換性を確立することを目的として,その仕様について規定する。また,同軸形高周
波コネクタ付半導体レーザ送信モジュールは,7ピンの電気コネクタ,高周波コネクタ及び電子冷却素子
を内蔵するファイバ付きパッケージである。
注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
IEC 62148-12 : 2004,Fibre optic active components and devices−Package and interface standards−
Part 12 : Laser transmitters with a coaxial RF connector (MOD)
なお,対応の程度を表す記号 (MOD) は,ISO/IEC Guide 21に基づき,修正していることを
示す。
2 引用規格
次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
JIS C 5952-1 光伝送用能動部品−パッケージ及びインタフェース標準−第1部 : 総則
注記 対応国際規格 : IEC 62148-1 : 2002 Fibre optic active components and devices−Package and
interface standards−Part 1 : General and guidance (IDT)
IEC 60169-15 Radio-frequency connectors−Part 15 : R.F. coaxial connectors with inner diameter of outer
conductor 4.13 mm (0.163 in) ith screw coupling−Characteristic impedance 50 ohms (Type SMA)
――――― [JIS C 5952-12 pdf 3] ―――――
2
C 5952-12 : 2008
IEC 60793-2-50 Optical fibres−Part 2-50 : Product specifications−Sectional specification for class B
single-mode fibres
IEC 60874 (all parts) onnectors for optical fibres and cables
ITU-T G .652 Characteristics of a single-mode optical fibre and cable
ITU-T G .653 Characteristics of a dispersion-shifted single-mode optical fibre and cable
ITU-T G .654 Characteristics of a cut-off shifted single-mode optical fibre and cable
3 用語及び定義
この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。
3.1
フォトダイオード,PD (photodiode)
受光に用いられる半導体素子。この規格では,PDは半導体レーザの出力パワーをモニタするためにパ
ッケージ内に配置されている。
3.2
電子冷却素子,TEC (thermo-electric cooler)
半導体レーザ部品の温度を制御できる素子。この規格では,TECは半導体レーザの温度を制御するため
にパッケージ内部に配置されている。
3.3
高周波,RF (radio frequency)
10 kHz10 GHzの周波数。一般的には,空中に放射される電磁波の周波数とされている。
3.4
SMA (subminiature)
RF電気信号向けの小形同軸電気コネクタ。SMAコネクタは,IEC 60169-15で規定されている。
3.5
EA変調器,EA modulator (electro-absorption modulator)
フランツ・ケルディシュ (Franz-keldysh) 効果又は/及び量子閉じ込めシュタルク効果 (Quantum
Confined Stark Effect : QCSE) を用い,変調電気信号を光信号へ変換する半導体光変調器。
4 分類
半導体レーザモジュールは,JIS C 5952-1のデバイス分類上タイプ5に分類する。
5 仕様
5.1 ピグテイル形インタフェース
光ファイバは,IEC 60793-2-50並びにITU-T勧告のG .652,G. 653及びG .654で規定されているものを
用いる。光ファイバがコネクタ付きの場合は,IEC 60874で規定されているものを用いる。
5.2 電気的インタフェース
5.2.1 総則
電気インタフェースは,各端子の基本機能だけ規定する。
5.2.2 電気端子番号
端子番号の割付けは,図1による(平面図)。
――――― [JIS C 5952-12 pdf 4] ―――――
3
C 5952-12 : 2008
図1−電気端子番号(平面図)
5.2.3 同軸コネクタ
半導体レーザモジュールは,8番ピンめす形同軸コネクタをもつ。コネクタは,RF電気信号用であり,
IEC 60169-15に規定するSMAコネクタに互換性がなければならない。
5.2.4 電気端子配置
直接変調レーザ送信器モジュール及び変調器集積形送信モジュールの基本的な端子配置は,表1及び表
2による。
表1−直接変調半導体レーザモジュール端子配置
端子番号 記号 機能
1 サーミスタ1 a)
2 サーミスタ2 a)
3 LDbias 半導体レーザバイアスb)
4 PDA モニタPDアノード
5 PDK モニタPDカソード
6 TECA 電子冷却素子 アノードc)
7 TECK 電子冷却素子 カソードc)
8 RF RF電気信号入力
きょう(筐)体電位は,接地とする。
注a) 二端子間の抵抗値は,きょう(筐)体温度を表すサーミスタ抵抗値を示す。
b) レーザバイアス電圧の極性は,製造業者が規定する。
c) 電子冷却素子は,表中に示した電流印加方向で半導体レーザ素子冷却素子として
動作する。逆方向に電流印加した場合は,加熱素子として動作する。
――――― [JIS C 5952-12 pdf 5] ―――――
次のページ PDF 6
JIS C 5952-12:2008の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 62148-12:2004(MOD)
JIS C 5952-12:2008の国際規格 ICS 分類一覧
- 33 : 電気通信工学.オーディオ及びビデオ工学 > 33.180 : 光ファイバ通信 > 33.180.20 : 光ファイバ接続装備
JIS C 5952-12:2008の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISC5952-1:2008
- 光伝送用能動部品―パッケージ及びインタフェース標準―第1部:総則