JIS C 61340-3-1:2010 静電気―第３－１部：静電気の影響をシミュレーションする方法―人体モデル（ＨＢＭ）の静電気放電試験波形 | ページ 2

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C 61340-3-1 : 2010 (IEC 61340-3-1 : 2006)
                       a) パルス立ち上がり時間及び最大許容ピーク間リンギング
                                        b) パルス減衰時間
              放電電流パルスは,次による。
              tr  : パルス立ち上がり時間。2 ns10 ns。
              Ir  : 最大許容ピーク間リンギング。Ipsの15 %以下とし,パルス立ち上がり後100 ns
                  においてリンギングがない減衰放電電流波形と平行になる上限と下限との間を
                 Irとする。
              td  : パルス減衰時間。150 ns±20 ns。
                                図2−短絡線での代表的な電流波形

――――― [JIS C 61340-3-1 pdf 6] ―――――

                                                                                              5
                                                            C 61340-3-1 : 2010 (IEC 61340-3-1 : 2006)
                    放電電流パルスは,次による。
                   tr  : パルス立ち上がり時間。5 ns25 ns。
                            図3−抵抗器 (500 Ω) での代表的な電流波形

5 供試品のESD耐圧評価

5.1 一般事項

  供試品には,次の事項を規定しなければならない。
− 試料数
− パルス印加回数
− パルス印加間隔
− 電圧ストレスレベル
− 試験中の温度及び湿度
− ESDテスト不良と判定する個別規格で規定する特性値

5.2 電気端子をもつ供試品の評価

  電気端子をもつ供試品のESD耐性評価は,例えば,入力,出力,電源供給,グラウンドなどの異なる端
子タイプで分類するのがよい。
  電源供給がない端子は,各端子と電源端子又はグラウンド端子との間で(一つずつ)試験する。
  電気端子をもつ供試品の評価の場合,HBMのために最も弱い端子の組合せ及び不良しきい(閾)値を
明確にすることが望ましい。したがって,電気端子の数が少ない供試品は,通常,すべての端子の組合せ
で評価を行う。しかし,電気端子の数が多い供試品の場合は,端子タイプの分類によって試験端子の組合
せを選ぶことができる。
    注記 半導体デバイスのESD耐性の評価方法は,IEC 60749-26に規定する。

5.3 電気端子をもたない供試品の評価

  供試品が電気端子をもたない材料又は物質(例えば,包装材)の場合,電極又は他の適切な手段によっ
て供試品に放電波形を印加するのがよい。

――――― [JIS C 61340-3-1 pdf 7] ―――――

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C 61340-3-1 : 2010 (IEC 61340-3-1 : 2006)

6 試験手順

  試験手順は,個別規格で規定するのがよい。
    注記1 半導体デバイスのESD耐性評価の試験手順は,IEC 60749-26に規定する。
  試験は,任意の電圧ストレスレベルから開始してよい。表1の電圧ストレスレベルに対応した両極性の
単一パルスを,すべての供試品の端子又は電極の組合せで印加する。
    注記2 幾つかのタイプの供試品は,許容範囲を超えた電圧ストレスレベルを印加し続けると,中抜
            け不良を起こすことがある。中抜け不良とは,低い電圧ストレスレベルでは不良となるが,
            高い電圧ストレスレベルでは不良とならない状態をいい,例えば,500 Vで不良とならず,
            1 000 Vで不良となるが1 500 Vで不良とならず,2 000 V以上で再び不良となる。このよう
            な場合,表1に示す電圧ストレスレベル以外の試験電圧で中抜け不良を見つけることが望ま
            しい。
  それぞれの電圧ストレスレベルの組合せ及び/又は極性の試験で,別の供試品を使用してもよい。すべ
ての供試品が判定基準を満たした場合,同じ供試品を次の電圧ストレスレベルの試験に使用してもよい。
  各電圧ストレスレベル,各端子組合せ及び/又は各極性で,異なった供試品を使用してもよい。

7 判定基準

  供試品は,ESD試験後,個別規格で規定するすべての特性値を満足しない場合,ESD不良とみなす。

8 HBMのESD耐性分類

  必要であれば,適切なHBMのESD耐性分類を規定する。
    注記1 ESD耐性値は,通常,適切な分類であるが,別の分類を使用することがある。多くの場合,
            供試品のESD耐性値を参照することで十分であり,新たに耐性分類を規定する必要はない。
    注記2 半導体デバイスのESD耐性分類は,IEC 60749-26に規定する。
    注記3 供試品のESD耐性判断及び耐性分類は,必要に応じて製品規格に規定する。
参考文献 JIS C 61000-4-2 : 1999 電磁両立性−第4部 : 試験及び測定技術−第2節 : 静電気放電イミュ
              ニティ試験
             注記 対応国際規格 : IEC 61000-4-2 : 1995,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4 :
                  Testing and measurement techniques−Section 2 : Electrostatic discharge immunity test及び
                  Amendment 1 : 1998 (IDT)
                     なお,IEC 61000-4-2は,2008年12月に第2版が発行された。
          IEC 60749-26,Semiconductor devices−Mechanical and climatic test methods−Part 26 : Electrostatic
              discharge (ESD)   ensitivity testing−Human body model (HBM)