JIS C 5101-2-1:2009 電子機器用固定コンデンサ―第２－１部：ブランク個別規格：固定メタライズドポリエチレンテレフタレートフィルム直流コンデンサ　評価水準Ｅ及びＥＺ | ページ 3

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                                                             C 5101-2-1 : 2009 (IEC 60384-2-1 : 2005)
            表5−定期的品質確認検査の試験計画(群C検査) 評価水準E及びEZ(続き)
 細分箇条番号及び試験           試験条件a)        試料数及び合格判定数b)        要求性能a)
        項目a)        D
                     又は                             E            EZ
                     ND                         p   n     c     p  n   c
                                                          c)           c)
副群C1 B               D                         6  18  1       6  5 0
副群C1の残りの試料
4.6.1 初期測定             静電容量
                           誘電正接 (tan δ)
                             CR>1 F : 1 kHz
                             CR≦1 F : 10 kHz
4.6 温度急変               TA=カテゴリ下限温度
                           TB=カテゴリ上限温度
                           5サイクル
                           時間t1=30 min
                           外観                                           外観に損傷がない。
4.7 振動                   取付方法 : 
                             1.1を参照
                           周波数範囲 : 
                             ...Hz...Hz
                           振幅0.75 mm又は加速
                             度100 m/s2(どちらか
                             緩い方)
                           試験時間の合計 : 6 h
4.7.2 最終測定             外観                                           外観に損傷がない。
                           取付方法 : この規格の
                             1.1による。
4.8 バンプ(又は4.9        バンプ回数 : ...
  衝撃)                   ピーク速度 : ... m/s2
                           作用時間 : ... ms
4.9 衝撃(又は4.8 バ       取付方法 : この規格の
  ンプ)                     1.1による。
                           ピーク速度 : ...m/s2
                           作用時間 : ...ms

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C 5101-2-1 : 2009 (IEC 60384-2-1 : 2005)
            表5−定期的品質確認検査の試験計画(群C検査) 評価水準E及びEZ(続き)
 細分箇条番号及び試験           試験条件a)        試料数及び合格判定数b)        要求性能a)
                      D
        項目a)                                        E            EZ
                     又は
                                                p   n     c    p   n   c
                      ND                                  c)           c)
4.8.3又は4.9.3 最終測     外観                                            外観に損傷がない。
  定                      静電容量                                        4.6.1の測定値の
                                                                           ΔC/C≦5 %
                          誘電正接 (tan δ)                               tan δの4.6.1の値からの
                                                                            増加量
                                                                          等級1 (CR≦1 F) : ≦0.003
                                                                          等級1 (CR>1 F) : ≦0.002
                                                                          等級2 (CR≦1 F) : ≦0.005
                                                                          等級2 (CR>1 F) : ≦0.003
                          絶縁抵抗                                        4.2.4.2の規定値の50 %以
                                                                            上
副群C1                D                          6  27    2    6   10 0
副群C1AとC1Bとを合
  わせた試料
4.10 一連耐候性
4.10.2 高温               温度 : カテゴリ上限温度
                          時間 : 16 h
4.10.3 温湿度サイクル
  (12+12時間サイク
  ル)試験Db最初のサ
  イクル
4.10.4 低温               温度 : カテゴリ下限温度
                          時間 : 2 h
4.10.5 減圧(個別規格     圧力 : 8 kPa
  に要求がある場合)
4.10.5.3 中間検査         外観                                            永久短絡,フラッシオー
                                                                            バ又はケースの有害な
4.10.6 温湿度サイクル                                                       変形がない。
  (12+12時間サイク
  ル)試験Db残りのサ
  イクル
4.10.6.2 最終測定         外観                                            外観に損傷がない。
                                                                          表示は明りょうとする。
                          静電容量                                        4.4.2,4.8.3又は4.9.3の測
                                                                            定値に対して
                                                                           ΔC/C≦5 %
                          誘電正接 (tan δ)                               tan δの4.3.1又は4.6.1の
                                                                            値からの増加量
                                                                          等級1 (CR≦1 F) : ≦0.005
                                                                          等級1 (CR>1 F) : ≦0.003
                                                                          等級2 (CR≦1 F) : ≦0.008
                                                                          等級2 (CR>1 F) : ≦0.005
                          絶縁抵抗                                        4.2.4.2の規定値の50 %以
                                                                            上

――――― [JIS C 5101-2-1 pdf 12] ―――――

                                                                                              9
                                                             C 5101-2-1 : 2009 (IEC 60384-2-1 : 2005)
           表5−定期的品質確認検査の試験計画(群C検査) 評価水準E及びEZ(続き)
 細分箇条番号及び試験           試験条件 a)       試料数及び合格判定数 b)       要求性能 a)
                      D
        項目a)                                        E            EZ
                     又は
                                               p   n      c     p  n   c
                     ND                                   c)           c)
副群C2                D                         6  15     1     6  10 0
4.11 高温高湿(定常)
4.11.1 初期測定            静電容量
                           誘電正接 (tan δ)
                             1 kHz
4.11.3 最終測定            外観                                           外観に損傷がない。
                                                                          表示は明りょうとする。
                           静電容量                                       4.11.1の測定値に対して
                                                                           ΔC/C≦5 %
                           誘電正接 (tan δ)                              tan δの4.11.1の値からの
                                                                            増加量は0.005以下
                           絶縁抵抗                                       4.2.4.2の規定値の50 %以
                                                                            上
副群C3                D                         3  21     1     6  10 0
4.12 耐久性                試験時間
                           等級1 : 2 000 h
                           等級2 : 1 000 h
4.12.1 初期測定            静電容量
                           誘電正接 (tan δ)
                             CR>1 F : 1 kHz
                             CR≦1 F : 10 kHz
4.12.5 最終測定            外観                                           外観に損傷がない。
                                                                          表示は明りょうとする。
                           静電容量                                       4.12.1の測定値に対して
                                                                          性能等級1の場合
                                                                           ΔC/C≦5 %,
                                                                          性能等級2の場合
                                                                           ΔC/C≦8 %
                           誘電正接 (tan δ)                              tan δの4.12.1の値からの
                                                                            増加量
                                                                          等級1 CR≦1 Fは≦0.003
                                                                          等級1 CR>1 Fは≦0.002
                                                                          等級2 CR≦1 Fは≦0.005
                                                                          等級2 CR>1 Fは≦0.003
                           絶縁抵抗                                       4.2.4.2の規定値50 %以上

――――― [JIS C 5101-2-1 pdf 13] ―――――

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C 5101-2-1 : 2009 (IEC 60384-2-1 : 2005)
           表5−定期的品質確認検査の試験計画(群C検査) 評価水準E及びEZ(続き)
 細分箇条番号及び試験           試験条件 a)       試料数及び合格判定数 b)       要求性能 a)
                      D
        項目a)                                        E            EZ
                     又は
                                               p   n      c     p  n   c
                     ND                                   c)           c)
副群C4                 D                        3   9     1     6  10 0
4.13 充放電
4.13.1 初期測定            静電容量
                           誘電正接 (tan δ)
                           CR>1 F : 1 kHz
                           CR≦1 F : 10 kHz
                           充電時間 : ...s
                           放電時間 : ...s
4.13.3 最終測定            静電容量                                       4.13.1の測定値に対して
                                                                          性能等級1の場合
                                                                           ΔC/C≦3 %,
                                                                          性能等級2の場合
                                                                           ΔC/C≦5 %
                           誘電正接 (tan δ)                              tan δの4.13.1の値からの
                                                                            増加量
                                                                          等級1 (CR≦1F) : ≦0.003
                                                                          等級1 (CR>1F) : ≦0.002
                                                                          等級2 (CR≦1F) : ≦0.005
                                                                          等級2 (CR>1F) : ≦0.003
                           絶縁抵抗                                       4.2.4.2の規定値の50 %以
                                                                            上
注a) この細分箇条番号及び要求性能は,箇条1及び品種別通則JIS C 5101-2による。
   b) この表の記号は,次による。
      p : 周期(月),n : 試料数,c : 合格判定数,
      D : 破壊試験,ND : 非破壊試験
   c) 合否判定の不適合品の数を示し,この数以下の場合を合格とする。