JIS C 5610:1996 規格概要
この規格 C5610は、集積回路に用いる用語の定義について規定。
JISC5610 規格全文情報
- 規格番号
- JIS C5610
- 規格名称
- 集積回路用語
- 規格名称英語訳
- Glossary of terms used in integrated circuits
- 制定年月日
- 1972年6月1日
- 最新改正日
- 2015年10月20日
- JIS 閲覧
- ‐
- 対応国際規格
ISO
- 国際規格分類
ICS
- 01.040.31, 31.200
- 主務大臣
- 経済産業
- JISハンドブック
- ‐
- 改訂:履歴
- 1972-06-01 制定日, 1975-11-01 改正日, 1978-12-01 確認日, 1984-01-01 確認日, 1988-12-01 確認日, 1993-12-01 確認日, 1996-08-01 改正日, 2001-09-20 確認日, 2006-01-20 確認日, 2010-10-01 確認日, 2015-10-20 確認
- ページ
- JIS C 5610:1996 PDF [17]
日本工業規格(日本産業規格) JIS
C 5610-1996
集積回路用語
Glossary of terms used in integrated circuits
1. 適用範囲 この規格は,集積回路に用いる主な用語の定義について規定する。
2. 用語の分類 集積回路に関する用語の分類は,次による。
(1) 基本関連
(2) デバイス関連
(3) プロセス関連
(4) 組立,実装関連
(5) 信頼性関連
(6) 設計,回路関連
3. 参考規格 この規格の参考規格を,次に示す。
備考 角括弧“[ ]”は,対応する国際規格を示す。
JIS B 0153-1985 機械振動・衝撃用語 [ISO 1925, 2041]
JIS B 0155-1986 工業プロセス計測制御用語
JIS B 3000-1990 FA用語
JIS C 5600-1977 電子通信用語(基礎編)
JIS C 5603-1993 プリント回路用語 [ISO 194]
JIS C 7102-1973 電子管用語 [IEC 134]
JIS C 8500-1996 一次電池通則 [IEC 86-1]
JIS D 0103-1982 自動車用電装部品の名称に関する用語
JIS K 6900-1994 プラスチック−用語 [ISO 472]
JIS X 0011-1989 情報処理用語(処理装置) [ISO 2382-11]
JIS X 0012-1990 情報処理用語(データ媒体,記憶装置及び関連装置) [ISO 2382-12]
JIS X 3001-1994 プログラム言語Fortran [ISO/IEC 1539]
JIS X 6261-1991 130mm追記形光ディスクカートリッジ [ISO/IEC 9171-12]
JIS Z 2500-1987 粉末や(冶)金用語 [ISO 3252]
JIS Z 6000-1996 マイクログラフィックス用語 [ISO 6196-15, 6196-7]
JIS Z 8113-1988 照明用語 [IEC 50 (845) ]
JIS Z 8120-1986 光学用語
JIS Z 8141-1983 生産管理用語(基本)
IEC 748-1 : 1984 Semiconductor devices Integrated circuits Part 1 : General
――――― [JIS C 5610 pdf 1] ―――――
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C 5610-1996
4. 集積回路用語 主な用語について,次のように定める。
備考 定義の表記方法は,次による。
なお,読み方及び対応英語は参考とする。
1. 番号に関する表記方法
(1) 番号は4けたの数字によって表す。
(2) 最初の2けたの数字は,この規格における用語の分類の番号を表し,次の2けたの数字は,
この分類の同一区分での一連番号である。
2. 用語及び読み方に関する表記方法は,次による。
(1) 同一の意味を表す用語が二つ以上ある場合は,その順序に従って優先使用する。
(2) 一つの用語が2行にわたる場合は,2行目を1文字下げる。
(3) 定義での丸括弧“( )”は説明などに使用する。
(4) 省略してもよいものは,角括弧“[ ]”の中に記述する。
(5) 説明用の文は,用語の後のゴシック体角括弧“【 】”の中に記述する。
(6) 定義は,その用語が他の日本工業規格(日本産業規格)に規定されている場合は,参考として規格番号を示
す。
(1) 基本関連用語
番号 用語 読み方(参考) 定義 対応英語(参考)
1001 デバイス 能動的機能,非直線的機能,変換機能device
などのような特殊な機能をもつ部品又
は装置。
参考 例えば,トランジスタ,ダイ
オード,メモリデバイスなど
をいう。
1002 素子 そし 部品又は装置を一つの機能としてみたelement
場合,その機能体を構成する単位。
1003 部品 ぶひん 一つの機能体を構成する部分。 part
備考 特に機能体の構成部分とい component
う意味を強く表す場合に“構
成部品”という用語が用いら
れる。
参考 例えば,トランジスタ,コン
デンサ,スイッチ,ねじなど
をいう。
1004 回路 かいろ 素子の機能を結合して所要の信号及びcircuit
(又は)エネルギー処理機能をもたせ
たもの。
1005 システム 幾つかの回路,デバイス,部品などをsystem
組み合わせ,必要な機能を実現した集
合体で,これを機能面からみたときの
呼称。
1006 サブシステム システムの一部で,その部分的機能をsubsystem
もっているもの。
参考 JIS B 0155参照。
――――― [JIS C 5610 pdf 2] ―――――
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C 5610-1996
(2) デバイス関連用語
番号 用語 読み方(参考) 定義 対応英語(参考)
2001 マイクロエレクト まいくろえれくとろに microelectronics
一般に得られるよりも小形化の程度が
ロニクス くす 進んだ電子回路を実現,又はその利用
超小形電子技術 ちょうこがたでんしぎに関連した技術の総称。
じゅつ 備考 関連用語として“超小形電子
工学”,“超小形電子方式”,
“超小形電子系”,“超小形
電子回路”,“超小形構成部
分”などがある。
2002 バイポーラトラン 電子と正孔がともに動作に関与する3bipolar transistor
ジスタ 端子のデバイス。エミッタ,ベース,
コレクタと呼ばれる三つの領域からな
り,npn又はpnpの2種類がある。
2003 電界効果トランジ でんかいこうかとらん field-effect transistor
電流通路(チャネル)のコンダクタン
スタ じすた スをゲート電極から横方向の電界によ
FET えふいーてぃー って制御するトランジスタ。
備考 ゲート構造によって,“接合
形FET (JFET)”,“金属・酸化
物・半導体FET (MOSFET)”,
“金属・半導体 FET
(MESFET) (“ショットキー
バリアゲートFET”ともい
う。)”などに分けられる。
2004 薄膜トランジスタ はくまくとらんじすた絶縁体基板上に半導体薄膜を形成し,thin film transistor
TFT てぃーえふてぃー その膜内にチャネルを設けて,絶縁ゲ
ート電界効果トランジスタとしたも
の。
2005 MIS[構造] えむあいえす[こうぞ metal-insulator-semi
金属 (metal) と半導体 (semiconductor)
う] conductor
との間に薄い絶縁物 (insulator) を挿入
した構造。
参考 電界効果トランジスタ,電界
発光素子,ジョセフソン素子
などに用いられる。
2006 MOS[構造] えむおーえす[こうぞMIS構造のうち,絶縁物が半導体を構 metal-oxide-semicon
う] 成する原子の酸化物 (oxide) であるも ductor
の。
2007 MOSキャパシタ えむおーえすきゃぱしMOS構造を用いたキャパシタ。 metal-oxide-semicon
た ductor capacitor
もすきゃぱした
2008 MOSFET えむおーえすえふいーMOS構造の金属(ゲート)直下の酸化 metal-oxide-semicon
てぃー 膜・半導体界面の反転層をチャネルと ductor field-effect
もすえふいーてぃー し,ここのキャリア数をゲート電圧で transistor
制御することによってチャネルの面に
沿ったコンダクタンスを制御する電界
効果トランジスタ。
備考 チャネル反転層がn形のもの
をn-MOSFET,p形のものを
p-MOSFETという。
――――― [JIS C 5610 pdf 3] ―――――
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C 5610-1996
番号 用語 読み方(参考) 定義 対応英語(参考)
2009 MISFET えむあいえすえふいーゲートをMIS構造で構成した,MOSFET metal-insulator-semi
てぃー と同じ原理の電界効果トランジスタ。 conductor
みすえふいーてぃー field-effect
transistor
2010 MESFET えむいーえすえふいーゲート領域にショットキー障壁を設 metal-electrode
てぃー け,そのショットキー障壁を逆バイア semiconductor
スして空乏層の幅を変え,キャリアの field-effect
流れを制御する電界効果トランジス transistor
タ。
備考 “金属・半導体FET”,“ショ
ットキーバリアゲートFET”
ともいう。
2011 JFET じぇいえふいーてぃーゲート領域にpn接合を設け,そのpn junction field-effect
接合を逆バイアスし,ゲート直下の空 transistor
乏層の幅を制御することによってドレ
イン電流を制御する電界効果トランジ
スタ。
備考 “接合形電界効果トランジ
スタ”ともいう。
2012 薄膜【集積回路技 はくまく thin film
基板上に真空蒸着,イオンスパッタリ
術での】 ングなどによって得られる膜。
2013 厚膜【集積回路技 あつまく thick film
基板上にインク状ペーストなどを塗布
術での】 し,スプレイ又は印刷した後,焼き付
ける方法などによって得られる膜。
2014 集積化 しゅうせきか integration
数多くの回路機能を一つにまとめ,よ
IC化 あいしーか り大きな機能をもたせるようにするこ
と。
2015 集積回路 しゅうせきかいろ integrated circuit
数多くの超小形素子が一つの基板上に
IC あいしー 一体的に作り込まれている回路。
参考 JIS D 0103参照。
2016 大規模集積回路 だいきぼしゅうせきかチップ当たりに多数の部品を集積化しlarge-scale integrated
LSI いろ た集積回路。 circuit
えるえすあい 参考 LSIの本来の対応英語は
large-scale integrationで大規
模集積化を意味する。集積度
の増加に伴い,歴史的にSSI
(small-scale integration),MSI
(medium-scale integration),
LSI,VLSI (very-large-scale
integration) , ULSI
integration)
(ultra-large-scale
という用語が使用されてき
た。JIS D 0103参照。
2017 モノリシック集積 ものりしっくしゅうせ1個の半導体のチップ内に作られた集 monolithic integrated
回路 きかいろ 積回路。 circuit
2018 半導体集積回路 はんどうたいしゅうせ半導体素子を主体として作られているsemiconductor
きかいろ 集積回路。 integrated circuit
2019 膜集積回路 まくしゅうせきかいろ薄膜集積回路と厚膜集積回路の総称。film integrated
circuit
――――― [JIS C 5610 pdf 4] ―――――
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C 5610-1996
番号 用語 読み方(参考) 定義 対応英語(参考)
2020 薄膜集積回路 はくまくしゅうせきか基板上に構成された回路素子とその相thin film integrated
いろ 互接続が薄膜から成り立った集積回 circuit
路。
2021 厚膜集積回路 あつまくしゅうせきか thick film integrated
基板上に構成された回路素子とその相
いろ 互接続が厚膜から成り立った集積回 circuit
路。
2022 マルチチップモジ まるちちっぷもじゅー複数個のLSIチップなどをセラミックmultichip module
ュール る 基板などに直接実装し,一つの機能に
MCM えむしーえむ まとめたモジュール又はパッケージ。
各モジュールの寸法,端子などの大き
さや形を標準化し,製作,組立を容易
にし,実装密度,性能の向上が図れる。
備考 広義には,ハイブリッドIC
も含まれる。
2023 バイポーラ集積回 ばいぽーらしゅうせきバイポーラの素子で構成される半導体bipolar integrated
路 かいろ 集積回路。 circuit
2024 CMOS しーもす 基本的なインバータ回路がp-MOSと complementary
n-MOSの一対で構成され,両者が入力 metal-oxide-semic
に対して互いに相補的にスイッチング onductor
する構造の回路方式。
備考 “相補形MOS”ともいう。
2025 CMOS集積回路 しーもすしゅうせきかCMOSを主体として構成された集積回 complementary
いろ 路。 metal-oxide-semic
onductor
integrated circuit
2026 BiMOS ばいもす バイポーラ素子とMOS素子とを同一チ bipolar
ップ上に混載して,互いの長所を生か metal-oxide-semic
す回路構成方式。 onductor
備考 “バイポーラMOS”ともい
う。
2027 BiCMOS ばいしーもす バイポーラ素子とCMOS素子とを同一 bipolar
チップ上に混載した回路構成方式。 complementary
備考 “バイポーラCMOS”ともい metal-oxide-semic
う。 onductor
2028 SOI えすおーあい 高集積度,高速動作及び各種の特性改silicon on insulator
善をめざして,絶縁性基板ウェーハ上
にシリコン薄膜を設け,ここに集積回
路を形成する構造。
2029 半導体メモリ はんどうたいめもり 情報を一時的,又は長期的に記憶するsemiconductor
機能をもつ半導体デバイス。 memory
参考 MOSメモリ,バイポーラメ
モリなどがある。
――――― [JIS C 5610 pdf 5] ―――――
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JIS C 5610:1996の国際規格 ICS 分類一覧
- 31 : エレクトロニクス > 31.200 : 集積回路.マイクロエレクトロニクス
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