JIS C 61340-4-8:2014 静電気―第４－８部：特定応用のための標準試験方法―放電遮蔽―バッグ

                                                                               C 61340-4-8 : 2014

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[1]
•  3 用語及び定義・・・・[1]
•  4 試験装置・・・・[2]
•  4.0 ESDシミュレータ・・・・[2]
•  4.1 ESD電流波形発生装置・・・・[2]
•  4.2 パルス電流波形測定装置・・・・[2]
•  4.3 容量性プローブ・・・・[3]
•  4.4 放電電極及び接地電極・・・・[3]
•  4.5 バッグ寸法・・・・[4]
•  4.6 コンピュータ/ソフトウェア・・・・[4]
•  4.7 恒温恒湿槽・・・・[4]
•  5 測定システムの検証手順・・・・[4]
•  6 試験手順及び試験条件(前処理)・・・・[5]
•  7 報告・・・・[6]
•  附属書A(参考)エネルギー算出プログラム・・・・[7]
•  附属書JA(参考)JISと対応国際規格との対比表・・・・[8]

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C 61340-4-8 : 2014

まえがき

  この規格は,工業標準化法第12条第1項の規定に基づき,一般財団法人日本電子部品信頼性センター
(RCJ)及び一般財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を制定すべきと
の申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格(日本産業規格)である。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。
  JIS C 61340-4の規格群には,次に示す部編成がある。
    JIS C 61340-4-1 第4-1部 : 特定応用のための標準的な試験方法−床仕上げ材及び施工床の電気抵抗
    JIS C 61340-4-3 第4-3部 : 特定応用のための標準的試験方法−履物
    JIS C 61340-4-4 第4-4部 : 特定応用のための標準的試験方法−フレキシブルコンテナの静電気的分類
    JIS C 61340-4-5 特定応用のための標準的試験方法−人体と組み合わせた履物及び床システムの静電
        気防止性能の評価方法
    JIS C 61340-4-7 第4-7部 : 特定応用のための標準的試験方法−イオナイザ
    JIS C 61340-4-8 第4-8部 : 特定応用のための標準試験方法−放電遮蔽−バッグ
    JIS C 61340-4-9 第4-9部 : 特定応用のための標準試験方法−衣服

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                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                      C 61340-4-8 : 2014

静電気−第4-8部 : 特定応用のための標準試験方法−放電遮蔽−バッグ

Electrostatics-Part 4-8: Standard test methods for specific applications- Discharge shielding-Bags

序文

  この規格は,2010年に第1版として発行されたIEC 61340-4-8を基とし,昨今の技術動向を鑑み技術的
内容を変更して作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
  なお,この規格で点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。変更の一
覧表にその説明を付けて,附属書JAに示す。

1 適用範囲

  この規格は,静電気放電シールドバッグの性能を評価するための試験方法について規定する。試験装置
の設計電圧は,直流1 000 Vとする。
  この規格は,試験機関などで,この試験方法を用いて,該当する包装材料を評価するとき,同等の再現
性を得ることを目的としている。
  この規格は,シールドバッグを構成するフィルムの中に金属蒸着などの導電層があるものを評価する試
験方法で規定したものである。また,この規格は,電磁波障害(EMI),無線電波障害(RFI)及び電磁パ
ルス(EMP)からの保護,又は爆発物の防護に関する事項には適用しない。
    注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
          IEC 61340-4-8:2010,Electrostatics−Part 4-8: Standard test methods for specific applications−
              Discharge shielding−Bags(MOD)
            なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”
          ことを示す。

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 2139 固体電気絶縁材料−体積抵抗率及び表面抵抗率の測定方法
    JIS C 61340-3-1 静電気−第3-1部 : 静電気の影響をシミュレーションする方法−人体モデル(HBM)
        の静電気放電試験波形

3 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。

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2
C 61340-4-8 : 2014
3.1
静電気放電シールド(遮蔽)(electrostatic discharge shield)
  静電気放電及び/又は静電気誘導帯電に起因する,電界の抑制及び/又は電流の制限を行うことによっ
て,静電界を減じるバリヤ又は囲い。

4 試験装置

4.0 ESDシミュレータ

  ESDシミュレータは,4.1に規定するESD電流波形発生装置,4.2に規定するパルス電流波形測定装置,
4.3に規定する容量性プローブ及び4.4に規定する放電電極及び接地電極によって構成する。
  基本的な構成を,図1に示す。
     R1   中和(除電)用電流制限保護抵抗器 : 10 kΩ10 MΩ
     R2   放電用高電圧抵抗器 : 500 Ω
     SW1 中和(除電)用切替えスイッチ
     1    供試バッグ
     2    容量性プローブ
     3    放電電極
     4    接地電極
     5    電流トランスデューサ(変換プローブ)
     6    ストレージオシロスコープ
     注記1 電流トランスデューサは,4.2.2による。
     注記2 抵抗値500 Ωの高電圧抵抗器(R2)は,4.2.3による。
     注記3 放電電極に静電気の帯電を残さない[中和(除電)する]ために,パルス印加後の10 ms100 ms
            の間,スイッチSW1を閉じている。スイッチSW1は,次のパルス印加までに,10 ms以上の時間を
            あけることが望ましい。R1及びSW1は,ESDシミュレータの内部回路の一部である。
     注記4 プローブの性能は,浮遊容量及びインダクタンスの影響を強く受ける。
                                     図1−ESDシミュレータ

4.1 ESD電流波形発生装置

  ESD電流波形発生装置及び発生する波形は,JIS C 61340-3-1の規定による。
  このESD電流波形発生装置における容量値100 pFのコンデンサへの充電時の等価回路は,抵抗値1 500
Ωの抵抗器との直列接続で構成する。

4.2 パルス電流波形測定装置

  パルス電流波形測定装置は,4.2.1に規定するオシロスコープ,4.2.2に規定する電流トランスデューサ及

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                                                                                              3
                                                                               C 61340-4-8 : 2014
び4.2.3に規定する高電圧抵抗器を含む構成とするが,同様な性能が保持できる場合には,これらの構成
に限定しない。
4.2.1  オシロスコープ
  オシロスコープは,200 MHz以上のシングルショット帯域幅及び500 MSPS以上の最小サンプリングレ
ートで測定可能なデジタルストレージ形とする。
4.2.2  電流トランスデューサ
  電流トランスデューサの最小周波数応答性は,500 MHz以上とする。また,ケーブル長さは,1 m以下
とする。
4.2.3  高電圧抵抗器
  高電圧抵抗器は,抵抗値500 Ω±1 %で,また,直流電圧1 000 Vに耐え,かつ,高周波帯域まで対応で
きる無誘導形金属フィルム抵抗器とする。
    注記 無誘導形金属フィルム抵抗器の事例には,CADDOCK社の取り扱うType MG Precision High
          Voltage Resistorsなどがある。

4.3 容量性プローブ

  容量性プローブは,並行平行板の形状であり,図2に示す構成とする。このプローブの容量は,8 pF±2
pFとする。プローブの容量は,箇条6 c)によって検証することができる。
                                                                            単位 cm
            1  ポリカーボネート又はアクリル樹脂のような体積抵抗値1.0×1015 Ω以上の絶縁材料
            2  直径2.2 cm±0.025 cmで,厚さ0.15 cm±0.015 cmの導電板
            3  高電圧抵抗器接続点
                                   図2−平行板容量性プローブ

4.4 放電電極及び接地電極

  放電電極及び接地電極は,直径3.8 cm±0.025 cmとし,金属などの低抵抗の材料で作っていなければな
らない。
  接地電極を囲む支持領域は,20 cm×25 cm以上であることが望ましく,JIS C 2139によって測定したと
き,1.0×1012 Ωよりも大きな表面抵抗値をもっていることが望ましい。

――――― [JIS C 61340-4-8 pdf 5] ―――――

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