JIS K 0169:2012 表面化学分析―二次イオン質量分析法―デルタ多層標準物質を用いた深さ分解能パラメータ評価方法 | ページ 2

4
K 0169 : 2012 (ISO 20341 : 2003)
                                                               2
                                C                z−z0      σ
                         I(z)=      1(+erf 1 )   xp  +5.0
                               L+ T                L        L
                                                      2
                                        z−z0      σ
                        +1(+erf 2 )   xp − +5.0         (4)
                                           T        T
                                    1    z−z0  σ
                      ここに,   =
                                 1     −     −      (5)
                                     2     σ    T
                                    1   z−z0  σ
                                 =
                                 2           −     (6)
                                     2   σ     T
                                      2       y2
                                erf =     e− dy  (7)
                                          0
  非線形カーブフィッティングソフトウェアを利用できない場合には,附属書Aによって一つ又は二つの
SIMS深さ分解能パラメータを簡易に評価する方法を用いなければならない。
    注記 式(4)の導出は参考文献[1]に記載されており,また,参考文献[1]及び[2]にフィッティング例が
          ある。

6 分析結果の報告

  分析結果の報告には,次の情報を含まなければならない。
a) 試料,装置,研究機関及び分析日を特定できる全ての情報
b) デルタ多層標準物質
c) 分析条件
d) 深さ分解能パラメータの評価に用いた方法[例えば,式(4)又は附属書A]
e) 測定されたデルタ層に対する,上昇端ディケイ長,下降端ディケイ長及びガウス分布幅のようなSIMS
    深さ分解能パラメータ,及び測定されたデルタ層の深さ
f)  分析中の通常とは異なる特徴的な記述
g) 結果に影響を及ぼす特別な作業など,この規格によらない作業

――――― [JIS K 0169 pdf 6] ―――――

                                                                                              5
                                                                   K 0169 : 2012 (ISO 20341 : 2003)
                                          附属書A
                                          (規定)
                       SIMS深さ分解能パラメータの簡易評価
A.1 一般
  一つ又は二つのSIMS深さ分解能パラメータを簡易に評価する方法を利用することができる。一つの深
さ分解能パラメータの場合は下降端ディケイ長を用いて評価する。二つの深さ分解能パラメータの場合は
下降端ディケイ長及び上昇端ディケイ長を用いて評価する。
A.2 手順
  SIMS深さ方向分解能パラメータの簡易評価法は,次のとおりである。深さに対し自然対数軸で表示さ
れた二次イオン強度の直線部分を用いて,二次イオン強度がe倍又は1/eとなる深さ(通常ナノメートル
で表記)として,上昇端ディケイ長及び/又は下降端ディケイ長を決定する。
  直線部分は,少なくとも二次イオン強度が10倍変化する部分でなければならない。5.1及び5.3に示し
たとおり,二次イオン質量分析器の調整及び最適化,並びにバックグラウンドの差し引きを行う。評価さ
れるSIMS深さ分解能パラメータの再現性を良くするために,上記の片対数プロットでの直線部分に10点
を超えるデータ点数が載るようにSIMS分析の条件を調整し,最大強度の1 %以下になるまでSIMS深さ方
向分布を記録する。
参考文献 [1] DOWSETT M. G., ROWLAND G., ALLEN P. N. and BARLOW R. D.: An analytic form for the
              SIMS response function measured from ultra-thin impurity layers, Surf. Interface Anal., 21,
              pp.310-315 (1994)
          [2] MOON D. W., WON J. Y., KIM K. J., KIM H. J., KANG H. J. and PETRAVIC M.: GaAs
              delta-doped layers in Si for evaluation of SIMS depth resolution, Surf. Interface Anal., 29,
              pp.362-368 (2000)