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C 3216-5 : 2019
4.3.2 公称導体径1.600 mm以下のグレードFIW3からFIW9
試験は,表2.2に規定する直径のシリンダを用いて行う。
一方の端末の皮膜を除去した直線状の試験片を図1に示すように上方の端子に接続し,シリンダに1回
巻き付ける。試験片とシリンダとが密着するように,試験片の下端に表2.2に規定する張力を加える。
試験電圧を4.1に従って,シリンダと導体との間に印加する。試験は室温で行う。試験は5個の試験片
で行い,それぞれの絶縁破壊電圧値を記録する。
受渡当事者間の協定によって,試験片の公称導体径に対して加える張力を変更することができる。
表2.2−張力及びシリンダ径
公称導体径 張力 シリンダ径
mm N mm
を超え 以下
− 0.040 0.080 25±1
0.040 0.045 0.100 25±1
0.045 0.050 0.130 25±1
0.050 0.056 0.160 25±1
0.056 0.063 0.200 25±1
0.063 0.071 0.260 25±1
0.071 0.080 0.330 25±1
0.080 0.090 0.400 25±1
0.090 0.100 0.500 25±1
0.100 0.160 0.600 25±1
0.160 0.250 0.850 25±1
0.250 0.355 1.700 25±1
0.355 0.500 3.400 25±1
0.500 0.710 7.000 50±2
0.710 1.060 13.500 50±2
1.060 1.400 27.000 80±3
1.400 1.600 54.000 80±3
4.4 公称導体径0.100 mmを超え2.500 mm以下の,グレード1からグレード3のエナメル丸線
4.4.1 常温試験
両端の皮膜を除去した長さ約400 mmの直線状の試験片を図2に示す2個より試験機で,125±5 mmの
長さに2個よりする。線の端末をつなげて,表3に示す張力を加えながら,表3に示す回数でよる。2個
より部の両端のループ状の部分は,端末間の長さが最大になるように最端部を切断する。線の間隔を十分
保持するため,2個より試験片の両端を曲げる場合,急な曲げ及び皮膜への損傷を避ける。
試験電圧は4.1に従って,導体間に印加する。試験は室温で行う。試験は5個の試験片で行い,それぞ
れの絶縁破壊電圧値を記録する。
受渡当事者間の協定によって,試験片の公称導体径に対して加える張力を変更することができる。
――――― [JIS C 3216-5 pdf 6] ―――――
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表3−張力及びより回数
公称導体径 張力 より回数
mm N
を超え 以下
0.100 0.250 0.85 33
0.250 0.355 1.70 23
0.355 0.500 3.40 16
0.500 0.710 7.00 12
0.710 1.060 13.50 8
1.060 1.400 27.00 6
1.400 2.000 54.00 4
2.000 2.500 108.00 3
1 固定クランプ
2 回転クランプ
3 試験片
図2−絶縁破壊試験における2個より試験機
4.4.2 高温中試験
4.4.1に従って作製した試験片を個別規格に規定する試験温度の±3 ℃に維持された恒温槽に入れる。
試験片を恒温槽に入れて15分以上経ってから,試験片の導体間に,4.1に従って試験電圧を印加する。
試験は30分以内に完了させる。試験は5個の試験片で行い,それぞれの絶縁破壊電圧値を記録する。
4.5 公称導体径2.500 mmを超えるエナメル丸線(金属粒法)
4.5.1 常温試験
一方の端末の皮膜を除去した,十分な長さの直線状の試験片を,直径50±2 mmのマンドレルに沿って
曲げ,U字状の試験片を作製する。U字状の試験片の両端末は,フラッシオーバを避けるために十分な距
離をとって,適切な大きさの金属容器に収納する(図3参照)。
金属粒を試験片と容器の内壁との間が5 mm以上になるように,かつ,試験片が90 mmの深さの金属粒
で覆うように容器中に徐々に注入する。
金属粒は直径2 mm以下のステンレス鋼又はニッケルめっき鋼とする。金属粒は定期的に洗浄する。試
験電圧を4.1に従って,導体と金属粒との間に印加する。試験は室温で行う。
試験は5個の試験片で行い,それぞれの絶縁破壊電圧値を記録する。
――――― [JIS C 3216-5 pdf 7] ―――――
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受渡当事者間の協定によって,容器に油を入れて試験してもよい。油はJIS C 2320に従うか,又は受渡
当事者間で同意したものを用いるのが望ましい。
注記 (対応国際規格の注記の内容は,規定であることから本文の第5段落とした。)
単位 mm
図3−絶縁破壊試験のU字状の試験片(金属粒中の試験片)
4.5.2 高温中試験
4.5.1に従って作製した試験片を,個別規格に規定する試験温度の±3 ℃に維持された恒温槽に入れる。
金属粒及び容器は試験温度に設定した恒温槽中で予熱し,試験片を配置する間,恒温槽中に保持する。試
験片を配置する操作は試験片に損傷を与えないよう慎重に行う。試験片を恒温槽に入れて15分以上経って
から,試験片の導体と金属粒との間に,4.1に従って試験電圧を印加する。試験は30分以内に完了させる。
試験は5個の試験片で行い,それぞれの絶縁破壊電圧値を記録する。
4.6 繊維巻丸線
4.6.1 常温試験
一方の端末の皮膜を除去した十分な長さの直線状の試験片を,マンドレルを用いて10ターン曲げる。マ
ンドレル径は,次のとおりとする。
− 公称径が2.500 mm以下の場合は,25±1 mm
− 公称径が2.500 mmを超える場合は,50±2 mm
試験片は,図4に示すように容器に入れる。試験片の両端末は,フラッシオーバを避けるために十分な
距離をとる。
金属粒を試験片と容器の内壁との間が5 mm以上になるように,かつ,試験片が90 mmの深さの金属粒
で覆うように容器中に徐々に注入する。金属粒は,直径2 mm以下のステンレス鋼又はニッケルめっき鋼
とする。金属粒は定期的に洗浄する。
試験電圧は4.1に従って,導体と金属粒との間に印加する。試験は室温で行う。試験は5個の試験片で
行い,それぞれの絶縁破壊電圧値を記録する。
――――― [JIS C 3216-5 pdf 8] ―――――
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受渡当事者間の協定によって,容器に油を入れて試験してもよい。油はJIS C 2320に従うか,又は受渡
当事者間で同意したものを用いるのが望ましい。
注記 (対応国際規格の注記の内容は,規定であることから本文の第5段落とした。)
単位 mm
図4−絶縁破壊試験のコイル状試験片
4.6.2 高温中試験
4.6.1に従って作製した試験片を,個別規格に規定する試験温度の±3 ℃に維持された恒温槽に入れる。
金属粒及び容器は試験温度に設定した恒温槽中で予熱し,試験片を配置する間,恒温槽中に保持する。試
験片を配置する操作は試験片に損傷を与えないよう慎重に行う。試験片を恒温槽に入れて15分以上経って
から,試験片の導体と金属粒との間に,4.1に従って試験電圧を印加する。試験は30分以内に完了させる。
試験は5個の試験片で行い,それぞれの絶縁破壊電圧値を記録する。
4.7 平角線
4.7.1 常温試験
一方の端末の皮膜を除去した長さ約350 mmの直線状の試験片を,マンドレルに沿って厚さ方向に曲げ
る。マンドレル径は,次のとおりとする。
− 導体厚さが2.500 mm以下の場合は,25±1 mm
− 導体厚さが2.500 mmを超える場合は,50±2 mm
試験片の両端末は,フラッシオーバを避けるために十分な距離をとる。
金属粒を試験片と容器の内壁との間が5 mm以上になるように,かつ,試験片が90 mmの深さの金属粒
で覆うように容器中に徐々に注入する。金属粒は,直径2 mm以下のステンレス鋼,ニッケル又はニッケ
ルめっき鋼製とし,定期的に洗浄する。
試験電圧は4.1に従い導体と金属粒との間に印加する。試験は5個の試験片で行い,それぞれの値を記
録する。
――――― [JIS C 3216-5 pdf 9] ―――――
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受渡当事者間の協定によって,容器に油を入れて試験してもよい。油はJIS C 2320に従うか,又は受渡
当事者間で同意したものを用いるのが望ましい。
注記 (対応国際規格の注記の内容は,規定であることから本文の第5段落とした。)
4.7.2 高温中試験
4.7.1に従って作製した試験片を,個別規格に規定する試験温度の±3 ℃に維持された恒温槽に入れる。
金属粒及び容器は試験温度に設定した恒温槽中で予熱し,試験片を配置する間,恒温槽中に保持する。試
験片を配置する操作は試験片に損傷を与えないよう慎重に行う。試験片を恒温槽に入れて15分以上経って
から,試験片の導体と金属粒との間に,4.1に従って試験電圧を印加する。試験は30分以内に完了させる。
試験は5個の試験片で行い,それぞれの絶縁破壊電圧値を記録する。
5 均一性(エナメル丸線及びテープ巻丸線に適用)
5.1 概要
均一性は,電気回路を備えた試験機によって単位長さ当たりの欠陥数で表す。
5.2 低電圧均一性(公称導体径0.050 mm以下,グレード1からグレード3)
この試験は,公称導体径が0.050 mm以下の,グレード1からグレード3の巻線に適用する。
図5のように,長さ30±1 mの試験片を,線の導体及び硫酸ナトリウム水溶液(30 g/L)を開回路直流
試験電圧50±3 Vの電気回路に接続した状態で,水溶液に浸せきした2枚のフェルトの間を275±25 mm/s
の速さで引っ張る。線には,0.03 Nを超えない力を加える。欠陥は,適切な計数器リレーによって検出す
る。線の皮膜の絶縁抵抗が0.04秒間以上,10 kΩ未満になった場合に検出し,カウントする。計数器は,
絶縁抵抗15 kΩ以上で作用しないものを用いる。裸線で試験したとき,5±1 msの応答速度で,毎分500
±25回欠陥を検知する欠陥検出回路とする。
試験は1回行う。長さ30 m当たりの欠陥数を低電圧均一性として記録する。
単位 mm
1 試験片(線) 6 抵抗50 kΩ
2 フェルト 7 抵抗50 kΩ
3 電解溶液槽 8 計数器(カウンタ)
(硫酸ナトリウム水溶液30 g/L) 9 パイロットランプ
4 直流電源 10 スプール及び巻線
5 リレー 11 出荷ドラム
図5−低電圧均一性試験装置
――――― [JIS C 3216-5 pdf 10] ―――――
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JIS C 3216-5:2019の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60851-5:2011(MOD)
JIS C 3216-5:2019の国際規格 ICS 分類一覧
JIS C 3216-5:2019の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISC2320:1999
- 電気絶縁油
- JISC3216-1:2011
- 巻線試験方法―第1部:全般事項