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C 5101-16-1 : 2009 (IEC 60384-16-1 : 2005)
表4−品質確認検査の試験計画 評価水準E及びEZ(続き)
細分箇条番号及び試験項目 試験条件 試料数及び合格判定数e) 要求性能a)
a)
D
又は E EZ
ND c) p n c p n c
副群C1 B D 6 18 1 6 5 0
副群C1の残りの試料
4.6.1 初期測定 静電容量
誘電正接 (tan δ)
CR>1 F : 1 kHz
CR≦1 F : 10 kHz
4.6 温度急変 TA=カテゴリ下限温
度
TB=カテゴリ上限温
度
5 サイクル
時間t1=30 min
外観 外観に損傷がない。
4.7 振動 周波数範囲 :
... Hz... Hz
振幅0.75 mm又は加速
度100 m/s2(どちら
か緩い方)
試験時間の合計 : 6 h
4.7.2 最終測定 外観 外観に損傷がない。
4.8 バンプ(又は4.9衝撃) 取付方法 : この規格の
1.1による。
バンプ回数 : ...
ピーク速度 : ... m/s2
4.9 衝撃(又は4.8 バン 作用時間 : ... ms
プ) 取付方法 : この規格の
1.1による。
ピーク速度 : ... m/s2
作用時間 : ... ms
――――― [JIS C 5101-16-1 pdf 11] ―――――
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C 5101-16-1 : 2009 (IEC 60384-16-1 : 2005)
表4−品質確認検査の試験計画 評価水準E及びEZ(続き)
細分箇条番号及び試験項目 試験条件 試料数及び合格判定数e) 要求性能a)
D
a)
又は E EZ
ND c) p n c p n c
4.8.3又は4.9.3 最終測定 外観 外観に損傷がない。
静電容量 4.6.1の測定値に対し
てΔC/Cは,
等級1.1 : ≦1 %
等級1.2 : ≦2 %
等級2 : ≦3 %
誘電正接 (tan δ) tan δの増加は4.6.1
の測定値に対して
CR≦1 F
等級1.1 : ≦0.001
等級1.2 : ≦0.002
等級2 : ≦0.004
CR>1 F : 個別規格
による。
絶縁抵抗 4.2.4.2の規定値の
50 %以上
副群C1 D 6 27 2 6 10 0
副群C1AとC1Bとを合わ
せた試料
4.10 一連耐候性
4.10.2 高温 温度 : カテゴリ上限温
度
時間 : 16 h
4.10.3 温湿度サイクル
(12+12時間サイクル)
試験Db最初のサイクル
4.10.4 低温 温度 : カテゴリ下限温
度
時間 : 2 h
4.10.5 減圧 圧力 : 8 kPa
(個別規格に要求がある場
合)
――――― [JIS C 5101-16-1 pdf 12] ―――――
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C 5101-16-1 : 2009 (IEC 60384-16-1 : 2005)
表4−品質確認検査の試験計画 評価水準E及びEZ(続き)
細分箇条番号及び試験項目 試験条件 試料数及び合格判定数e) 要求性能a)
a)
D
E EZ
又は
ND c) p n c p n c
4.10.5.3 最終測定 外観 永久短絡,フラッシ
オーバ又はケース
の有害な変形がな
4.10.6 温湿度サイクル い。
(12+12時間サイクル)
試験Db残りのサイク
ル
4.10.6.2 最終測定 外観 外観に損傷がない。
表示は明りょうとす
る。
静電容量 4.4.2,4.8.3又は4.9.3
の測定値に対し
て,ΔC/Cは,
等級1.1 : ≦1 %
等級1.2 : ≦3 %
等級2 : ≦5 %
誘電正接 (tan δ) tan δの増加は4.3.1又
は4.6.1の測定値に
対して
CR≦1 F
等級1.1 : ≦0.0015
等級1.2 : ≦0.003
等級2 : ≦0.005
CR>1 F : 個別規格
による。
絶縁抵抗 4.2.4.2の規定値の
50 %以上
副群C2 D 6 15 1 6 10 0
4.11 高温高湿(定常)
4.11.1 初期測定 静電容量
誘電正接 (tan δ) :
1 kHz
――――― [JIS C 5101-16-1 pdf 13] ―――――
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C 5101-16-1 : 2009 (IEC 60384-16-1 : 2005)
表4−品質確認検査の試験計画 評価水準E及びEZ(続き)
細分箇条番号及び試験項目 試験条件 試料数及び合格判定数e) 要求性能a)
a)
D
E EZ
又は
ND c) p n c p n c
4.11.3 最終測定 外観 外観に損傷がない。
表示は明りょうとす
る。
静電容量 4.11.1の測定値に対
してΔC/Cは,
等級1.1 : ≦1 %
等級1.2 : ≦3 %
等級2 : ≦5 %
誘電正接 (tan δ) tan δの増加は4.11.1
の測定値に対して
CR≦1 F
等級1.1 : ≦0.001
等級1.2 : ≦0.002
CR>1F : 個別規格に
よる。
絶縁抵抗 4.2.4.2の規定値の
50 %以上
副群C3 D 3 21 1 6 10 0
4.12 耐久性 試験時間
等級1 : 2 000 h
等級2 : 1 000 h
4.12.1 初期測定 静電容量
誘電正接 (tan δ)
CR>1 F : 1 kHz
CR≦1 F : 10 kHz
4.12.5 最終測定 外観 外観に損傷がない。
表示は明りょうとす
る。
静電容量 4.12.1の測定値に対
してΔC/Cは,
等級1.1 : ≦1 %
等級1.2 : ≦3 %
等級2 : ≦5 %
――――― [JIS C 5101-16-1 pdf 14] ―――――
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C 5101-16-1 : 2009 (IEC 60384-16-1 : 2005)
表4−品質確認検査の試験計画 評価水準E及びEZ(続き)
細分箇条番号及び試験項目 試験条件 試料数及び合格判定数e) 要求性能a)
a) D
又は E EZ
ND c) p n c p n c
誘電正接 (tan δ) tan δの増加は4.12.1
の測定値に対して
CR≦1 F
等級1.1 : ≦0.002
等級1.2 : ≦0.004
CR>1 F : 個別規格
による。
絶縁抵抗 4.2.4.2の規定値の
50 %以上
副群C4 D 3 9 1 6 10 0
4.2.6 温度特性 静電容量
(適用する場合) 絶縁抵抗 4.2.6による。
4.13 充放電
4.13.1 初期測定 静電容量
誘電正接 (tan δ)
CR>1 F : 1 kHz
CR≦1 F : 10 kHz
充電時間 : ... s
放電時間 : ... s
4.13.3 最終測定 静電容量 4.13.1の測定値に対
してΔC/Cは,
等級1.1 : ≦1 %
等級1.2 : ≦3 %
等級2 : ≦5 %
誘電正接 (tan δ) tan δの増加は4.13.1
の測定値に対して
CR≦1 F
等級1.1 : ≦0.003
等級1.2 : ≦0.005
CR>1 F : 個別規格
による。
絶縁抵抗 4.2.4.2の規定値の
50 %以上
――――― [JIS C 5101-16-1 pdf 15] ―――――
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JIS C 5101-16-1:2009の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60384-16-1:2005(IDT)
JIS C 5101-16-1:2009の国際規格 ICS 分類一覧
- 31 : エレクトロニクス > 31.060 : コンデンサ > 31.060.30 : 紙コンデンサ及びプラスチックコンデンサ
JIS C 5101-16-1:2009の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISZ9015-1:2006
- 計数値検査に対する抜取検査手順―第1部:ロットごとの検査に対するAQL指標型抜取検査方式