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C 5101-4 : 2019 (IEC 60384-4 : 2016)
定格電圧を印加する。
電圧印加時間は,コンデンサ端子間の電圧が定格電圧の±3 %に達した後,1時間とする。また,電圧印
加後,コンデンサは,約1 Ω/Vの抵抗器を用いて放電する。
この電圧処理後,電圧を印加しない状態で12時間48時間放置し,その後にこの規格の3.4.3の試験及
び検査を行う。試験の中間では,上記の電圧処理をしてはならない。
4.2 外観検査及び寸法検査
4.2.1 一般事項
外観及び寸法は,JIS C 5101-1の4.4(外観検査及び寸法検査)によるほか,次による。
4.2.2 外観及び寸法
外観検査は,供試品が要求する品質水準に適切な,照明付きの倍率約10倍の拡大鏡を用いて行う。
作業者には,適切な測定装置に加えて,直接又は間接照明の設備を提供することが望ましい。
コンデンサは,材料,設計,構造及び外径寸法が,個別規格の要求事項を満足していることを証明する
ために検査する。
4.2.3 要求事項
要求事項は,表3による。
でき栄え(ワークマンシップ)は,個別規格に規定する要求事項を満足しなければならない。
4.3 電気的試験
4.3.1 漏れ電流
4.3.1.1 一般事項
漏れ電流は,JIS C 5101-1の4.9(漏れ電流)によるほか,次による。
4.3.1.2 測定条件
コンデンサに保護抵抗器を直列に接続し,その両端に定格電圧を印加する。個別規格に規定がない場合,
定格電圧が100 V以下のコンデンサのときの保護抵抗器の抵抗値は約100 Ωとし,定格電圧が100 Vを超
えるコンデンサのときの保護抵抗器の抵抗値は約1 kΩとする。
4.3.1.3 要求事項
要求事項は,表3による。
4.3.2 静電容量
4.3.2.1 一般事項
静電容量は,JIS C 5101-1の4.7(静電容量)によるほか,次による。
4.3.2.2 測定条件
個別規格に規定がない場合,静電容量の測定周波数は,100 Hz又は120 Hzとする。
実際のコンデンサ端子間に印加する交流電圧は,0.5 V(実効値)以下とする。
基本的に,測定の間,コンデンサに直流電圧は印加しないほうがよい。
なお,交流電圧によって,コンデンサに逆電圧が印加されないように,測定の間,0.7 V1.0 Vの直流
バイアス電圧を印加してもよい。
測定機器の確度は,絶対値又は静電容量の変化として個別規格に規定する値の±2 %以下とする。
4.3.2.3 要求事項
要求事項は,表3による。
――――― [JIS C 5101-4 pdf 26] ―――――
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C 5101-4 : 2019 (IEC 60384-4 : 2016)
4.3.3 損失角の正接(tan δ)又は等価直列抵抗(ESR)
4.3.3.1 一般事項
損失角の正接(tan δ)又は等価直列抵抗(ESR)は,JIS C 5101-1の4.8[誘電正接(損失角の正接)及
び等価直列抵抗(ESR)]によるほか,次による。
4.3.3.2 測定条件
測定条件は,4.3.2.2による。測定機器の確度は,絶対値で0.01以下とする。
4.3.3.3 要求事項
要求事項は,表3によるほか,次による。
a) 損失角の正接(tan δ)又は等価直列抵抗(ESR)の規定値は,個別規格による。
b) 非固体電解コンデンサの場合は,損失角の正接(tan δ)の代わりに,等価直列抵抗(ESR)を個別規
格に規定してもよい。
4.3.4 インピーダンス(要求がある場合)
4.3.4.1 一般事項
インピーダンスは,JIS C 5101-1の4.10(インピーダンス)によるほか,次による。
4.3.4.2 測定周波数
測定周波数は,100 Hz,120 Hz,1 kHz,10 kHz,100 kHz及びl MHzの中から,コンデンサが最も低い
インピーダンスになるような周波数を選定する。測定周波数の許容差は±20 %以内とする。測定する周波
数の値は,個別規格の規定による。
4.3.4.3 測定条件
測定電圧は,測定中にコンデンサが発熱しない,十分に低い値とし,コンデンサに1分間印加したとき,
インピーダンスの変化が認められないものとする。
測定誤差は,インピーダンスの規定値の5 %又は0.02 Ωのいずれか大きい値以下とする。
4.3.4.4 カテゴリ下限温度での測定
個別規格に規定がない場合,カテゴリ下限温度での測定周波数は,100 Hz又は120 Hzとする。
4.3.4.5 要求事項
要求事項は,表3による。
4.3.5 外部絶縁の絶縁抵抗(要求がある場合)
4.3.5.1 一般事項
外部絶縁の絶縁抵抗は,JIS C 5101-1の4.5(絶縁抵抗)によるほか,次による。
4.3.5.2 測定条件
金属はく(箔)をコンデンサの全長にわたって密着して巻き付ける。このとき,金属はく(箔)は,端
面から5 mm以上はみ出すようにし,金属はく(箔)と端子との間隔は0.5 mm以上とする。金属はく(箔)
の両端は,コンデンサの端で折り曲げない。0.5 mmの間隔が取れない場合,0.5 mmの間隔が取れるまで,
金属はく(箔)のはみ出しを小さくする。
代替方法としてVブロック法を用いてもよい。
100 V±15 Vの直流電圧を,金属はく(箔)又はVブロックとコンデンサ端子との間に,最低1分間又
は測定器の表示が安定するまでの必要な時間の間印加する。この時間の最後に絶縁抵抗値を読み取る。
4.3.5.3 要求事項
要求事項は,表3による。
――――― [JIS C 5101-4 pdf 27] ―――――
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4.3.6 外部絶縁の耐電圧(要求がある場合)
4.3.6.1 一般事項
外部絶縁の耐電圧は,JIS C 5101-1の4.6(耐電圧)によるほか,次による。
4.3.6.2 測定条件
金属はく(箔)をコンデンサの全長にわたって密着して巻き付ける。このとき,金属はく(箔)は,端
面から5 mm以上はみ出すようにし,金属はく(箔)と端子との間隔は1 mm以上とする。金属はく(箔)
の両端は,コンデンサの端で折り曲げない。1 mmの間隔が取れない場合,1 mmの間隔が取れるまで,金
属はく(箔)のはみ出しを小さくする。
代替方法として,Vブロック法を用いてもよい。
金属はく(箔)又はVブロックとコンデンサの端子との間に,直流電圧を100 V/sの割合で電圧を1 000
Vに上昇するまで徐々に印加する。
その後,1 000 Vの電圧を1分±5秒間印加する。
4.3.6.3 要求事項
要求事項は,表3による。
4.4 端子強度
4.4.1 一般事項
端子強度は,JIS C 5101-1の4.13(端子強度)によるほか,次による。
個別規格に試験方法及びその厳しさを規定する。
4.4.2 初期検査
表3による。
4.4.3 最終検査及び要求事項
後処理後に,表3に従って,コンデンサは,適切な照明の下で約10倍の拡大鏡で外観検査を行う。要求
事項は,表3による。
4.5 はんだ耐熱性
4.5.1 一般事項
はんだ耐熱性は,JIS C 5101-1の4.14(はんだ耐熱性)によるほか,次による。
ねじ端子コンデンサ又は個別規格にはんだ付けを意図しない端子と規定したコンデンサには適用しない。
4.5.2 試験条件
予備乾燥は,行わない。
4.5.3 後処理
後処理時間は,1時間2時間とする。
4.5.4 最終検査及び要求事項
後処理後に,表3に従って,コンデンサは,適切な照明の下で約10倍の拡大鏡で外観検査を行い,電気
的特性の測定を行う。要求事項は,表3による。
4.6 はんだ付け性
4.6.1 一般事項
はんだ付け性は,JIS C 5101-1の4.15(はんだ付け性)によるほか,次による。
ねじ端子コンデンサ又は個別規格にはんだ付けを意図しない端子と規定したコンデンサには適用しない。
4.6.2 試験条件
JIS C 5101-1の4.15(はんだ付け性)による。
――――― [JIS C 5101-4 pdf 28] ―――――
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はんだ槽の温度及び試験時間は,次による。
− Sn-Pbはんだ : 235 ℃±3 ℃で,(2±0.2)秒又は(5±0.5)秒間
− Sn-Ag-Cuはんだ : 245 ℃±3 ℃で,(3±0.3)秒間
− Sn-Cuはんだ : 250 ℃±3 ℃で,(3±0.3)秒間
はんだ槽法が適切でない場合は,こて先Aを用いて,はんだこて試験を行う。
はんだ平衡法が適切な場合は,個別規格でJIS C 60068-2-69を引用した試験を規定してもよい。
4.6.3 最終検査及び要求事項
後処理後に,表3に従ってコンデンサは最終検査を行う。要求事項は,表3による。
4.7 温度急変
4.7.1 一般事項
温度急変は,JIS C 5101-1の4.16(温度急変)によるほか,次による。
4.7.2 初期検査
表3による。
4.7.3 試験条件
試験条件は,次による。
− TA=カテゴリ下限温度
− TB=カテゴリ上限温度
− 試験サイクル数 : 5回
− 各温度でのさらし時間 : 30分間又は3時間の,いずれか個別規格に規定する時間
4.7.4 後処理
後処理時間は,16時間以上とする。
4.7.5 最終検査及び要求事項
後処理後に,表3に従ってコンデンサは最終検査を行う。要求事項は,表3による。
4.8 振動
4.8.1 一般事項
振動は,JIS C 5101-1の4.17(振動)によるほか,次による。
4.8.2 試験条件
コンデンサは,表6に示す中から個別規格で規定する厳しさで,3方向(X,Y及びZ)の試験を行う。
表6−振幅及び加速度
周波数 振幅又は加速度(いずれか緩い方) 時間
Hz h
1055 0.35 mm又は50 m/s2 0.5
1055 0.75 mm又は100 m/s2 2
10500 0.75 mm又は100 m/s2 2
102 000 0.75 mm又は100 m/s2 2
個別規格には,周波数範囲及び取付方法を規定する。リード端子反対方向(アキシャルリード端子)で,
かつ,リード端子だけでコンデンサを固定する場合は,コンデンサ本体から6 mm±1 mm離れた箇所で端
子を固定する。
――――― [JIS C 5101-4 pdf 29] ―――――
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C 5101-4 : 2019 (IEC 60384-4 : 2016)
4.8.3 最終検査及び要求事項
後処理後に,表3に従ってコンデンサは最終検査を行う。要求事項は,表3による。
4.9 バンプ(要求がある場合)
4.9.1 一般事項
バンプは,JIS C 5101-1の4.18[バンプ(繰返しのある衝撃)]によるほか,次による。
なお,バンプ又は衝撃のいずれの試験を適用するかを,個別規格に規定する。
4.9.2 試験条件
試験条件は,次による。
− バンプの総回数 : 一般等級コンデンサ 1 000 回
長寿命等級コンデンサ 4 000 回
− ピーク加速度 : 400 m/s2(40G)
− 作用時間 : 6 ms
個別規格には,取付方法を規定する。リード端子反対方向(アキシャルリード端子)で,かつ,リード
端子だけでコンデンサを固定する場合は,コンデンサ本体から6 mm±1 mm離れた箇所で端子を固定する。
4.9.3 最終検査及び要求事項
後処理後に,表3に従ってコンデンサは最終検査を行う。要求事項は,表3による。
4.10 衝撃
4.10.1 一般事項
衝撃は,JIS C 5101-1の4.19(衝撃)によるほか,次による。
なお,衝撃又はバンプのいずれの試験を適用するかを,個別規格に規定する。
4.10.2 試験条件
表7に示すいずれの試験条件を適用するかを,個別規格に規定する。
パルス波形 : 正弦半波
表7−推奨強度
ピーク加速度 作用時間
m/s2 ms
300 18
500 11
1 000 6
個別規格には,取付方法を規定する。リード端子反対方向(アキシャルリード端子)で,かつ,リード
端子だけでコンデンサを固定する場合は,コンデンサ本体から6 mm±1 mm離れた箇所で端子を固定する。
4.10.3 最終検査及び要求事項
後処理後に,表3に従ってコンデンサは最終検査を行う。要求事項は,表3による。
4.11 一連耐候性
4.11.1 一般事項
一連耐候性は,JIS C 5101-1の4.21(一連耐候性)によるほか,次による。
4.11.2 初期検査
表3による。
――――― [JIS C 5101-4 pdf 30] ―――――
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JIS C 5101-4:2019の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60384-4:2016(IDT)
JIS C 5101-4:2019の国際規格 ICS 分類一覧
- 31 : エレクトロニクス > 31.060 : コンデンサ > 31.060.50 : アルミニウム電解コンデンサ
JIS C 5101-4:2019の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISC5101-1:2019
- 電子機器用固定コンデンサ―第1部:品目別通則
- JISC60068-2-69:2019
- 環境試験方法―電気・電子―第2-69部:試験―試験Te/Tc:電子部品及びプリント配線板のはんだ付け性試験方法(平衡法)
- JISZ8601:1954
- 標準数