JIS C 5381-321:2004 低圧サージ防護デバイス用アバランシブレークダウンダイオード（ＡＢＤ）の試験方法

                                                            C 5381-321 : 2004 (IEC 61643-321 : 2001)

まえがき

  この規格は,工業標準化法第12条第1項の規定に基づき,社団法人日本電子材料工業会 (EMAJ)/財団
法人日本規格協会 (JSA) から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を制定すべきとの申出があり,日本工
業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格(日本産業規格)である。
  制定に当たっては,日本工業規格(日本産業規格)と国際規格との対比,国際規格に一致した日本工業規格(日本産業規格)の作成及び日
本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために,IEC 61643-321 : 2001,Components for
low-voltage surge protective devices−Part 321 : Specifications for avalanche breakdown diode (ABD) を基礎とし
て用いた。
  この規格の一部が,技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の
実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会
は,このような技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の実用新
案登録出願にかかわる確認について,責任はもたない。

(pdf 一覧ページ番号 1)

――――― [JIS C 5381-321 pdf 1] ―――――

C 5381-321 : 2004 (IEC 61643-321 : 2001)

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1. 適用範囲・・・・[1]
•  2. 引用規格・・・・[1]
•  3. 定義・・・・[2]
•  3.1 アバランシブレークダウンダイオードABD (avalanche breakdown diode ABD)・・・・[2]
•  3.2 クランピング電圧VC (clamping voltage VC)・・・・[2]
•  3.3 定格ピークインパルス電流IPPM (rated peak impulse current IPPM)・・・・[2]
•  3.4 最大使用電圧VWM (maximum working voltage VWM)・・・・[2]
•  3.5 待機電流ID (stand-by current ID)・・・・[2]
•  3.6 ブレークダウン(アバランシ)電圧V(BR) breakdown (avalanche) oltage V(BR) ] 23.7 静電容量Cj (capacitance Cj)・・・・[2]
•  3.8 定格ピークインパルス電力損失PPPM (rated peak impulse power dissipation PPPM)・・・・[2]
•  3.9 定格順サージ電流IFSM (rated forward surge current IFSM)・・・・[2]
•  3.10 順電圧VFS (forward voltage VFS)・・・・[2]

                                愀
3.11 ブレークダウン電圧の温度係数                                                     愀
                                      BR)   temperature coefficient of breakdown voltage     BR)   ]  3

•  3.12 温度軽減 (temperature derating)・・・・[3]
•  3.13 熱抵抗RthJA, RthJC, RthJL (thermal resistance RthJA, RthJC, RthJL)・・・・[3]
•  3.14 過渡熱インピーダンスZthJA, ZthJC, ZthJL (transient thermal impedance ZthJA, ZthJC, ZthJL)・・・・[3]
•  3.15 定格平均電力損失PM(AV) rated average power dissipation PM(AV) ] 33.16 ピークオーバシュート電圧VOS (peak overshoot voltage VOS)・・・・[3]
•  3.17 直流パルス試験電流IT (pulsed d.c. test current IT)・・・・[3]
•  3.18 ピークインパルス電流IPP (peak impulse current IPP)・・・・[3]
•  4. ABDの基本機能及び説明・・・・[3]
•  5. 使用状態・・・・[5]
•  6. 試験方法及び手順・・・・[6]
•  6.1 試験基準概要・・・・[6]
•  6.2 試験条件・・・・[6]
•  6.3 クランピング電圧VC・・・・[6]
•  6.4 定格ピークインパルス電流IPPM・・・・[7]
•  6.5 最大使用電圧VWM及び最大使用実効電圧VWMrms・・・・[7]
•  6.6 待機電流ID・・・・[7]
•  6.7 ブレークダウン(アバランシ)電圧V(BR)・・・・[7]
•  6.8 静電容量Cj・・・・[8]
•  6.9 定格ピークインパルス電力損失PPPM・・・・[8]
•  6.10 定格順サージ電流IFSM・・・・[8]

――――― [JIS C 5381-321 pdf 2] ―――――

                                                            C 5381-321 : 2004 (IEC 61643-321 : 2001)

ページ

•  6.11 順電圧VFS・・・・[8]
•  6.12 ブレークダウン電圧の温度係数 愀 BR) 96.13 温度軽減・・・・[9]
•  6.14 熱抵抗RthJA, RthJC, RthJL・・・・[9]
•  6.15 過渡熱インピーダンスZthJA, ZthJC, ZthJL・・・・[10]
•  6.16 定格平均電力損失PM(AV)・・・・[10]
•  6.17 ピークオーバシュート電圧VOS・・・・[10]
•  6.18 オーバシュート継続時間・・・・[10]
•  6.19 応答時間・・・・[10]
•  7. 故障モード及び不良モード・・・・[12]
•  7.1 劣化不良モード・・・・[12]
•  7.2 短絡故障モード・・・・[12]
•  7.3 開放故障モード・・・・[12]
•  7.4 フェールセーフの運用・・・・[12]

(pdf 一覧ページ番号 3)

――――― [JIS C 5381-321 pdf 3] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                       C 5381-321 : 2004
                                                                       (IEC 61643-321 : 2001)

低圧サージ防護デバイス用アバランシブレークダウンダイオード (ABD) の試験方法

Components for low-voltage surge protective devices- Specifications for avalanche breakdown diode (ABD)

序文

 この規格は,2001年に第1版として発行されたIEC 61643-321 : 2001,Components for low-voltage
surge protective devices−Part 321 : Specifications for avalanche breakdown diode (ABD) を翻訳し,技術的内容
及び規格票の様式を変更することなく作成した日本工業規格(日本産業規格)である。

1. 適用範囲

 この規格は,低圧配電システム,伝送及び信号回線に接続するサージ防護デバイスの設計
及び構成に用いるサージ防護デバイス用素子(以下,SPDCという。)のアバランシブレークダウンダイオ
ード(以下,ABDという。)の試験方法について規定する。この規格の試験仕様は,2端子からなるABD
単体用のものとする。ただし,複数のABDの場合はダイオードアレイと定義する一つのパッケージ内に
組み立てることができ,パッケージ内の各ダイオードは,この仕様で試験する。
  この規格は,ABDの電気的特性を決めるための一連の試験基準を含む。この規格の試験方法によって,
ABDの定格及び特性を検証することができ,特定の形式化した設計を確立することができる。
    備考 この規格の対応国際規格を,次に示す。
            なお,対応の程度を表す記号は,ISO/IEC Guide 21に基づき,IDT(一致している),MOD
          (修正している),NEQ(同等でない)とする。
          IEC 61643-321 : 2001,Components for low-voltage surge protective devices−Part 321 : Specifications
              for avalanche breakdown diode (ABD) (IDT)

2. 引用規格

 次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成す
る。これらの引用規格のうちで,発効年又は発行年を付記してあるものは,記載の年の版だけがこの規格
の規定を構成するものであって,その後の改正版・追補には適用しない。発行年を付記していない引用規
格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 0364-3 : 1999 建築電気設備 第3部 : 一般特性の評価
      備考 IEC 60364-3 : 1993 Electrical installations of buildings−Part 3 : Assessment of general
             characteristicsが,この規格と一致している。
    IEC 60068 (all parts)   nvironmental testing
    IEC 60364 (all parts)   lectrical installations of buildings
    IEC 60721 (all parts)   lassification of environmental conditions
    IEC 60747-2 : 2000Semiconductor devices−Discrete devices and integrated circuits−Part 2 : Rectifier
        diodes

――――― [JIS C 5381-321 pdf 4] ―――――

2
C 5381-321 : 2004 (IEC 61643-321 : 2001)
    IEC 60749 : 1996 Semiconductor devices−Mechanical and climatic test methods

3. 定義

 この規格で用いる主な用語の定義及び記号は,次による。
    備考 これらの定義は,SPDCの1タイプで,対称及び非対称電圧−電流 (V-I) 特性の両方をもつABD
          に適用する。この定義は,片方向素子(図1参照)のためのものである。双方向の場合は,V-I
          特性の両方向に第三象限の定義を適用する。

3.1 アバランシブレークダウンダイオードABD (avalanche breakdown diode ABD)

 過渡電圧を制限し,
サージ電流を分流する素子。この規格では,2端子ダイオードとし,共通端子をもつ複数の素子をまとめ
たものでもよい。

3.2 クランピング電圧VC (clamping voltage VC)

 規定する波形のピークインパルス電流IPPを通電して測
定する過渡電圧の瞬時最大値。
    備考 熱,リアクタンス又は他の影響のため,瞬時最大電圧及びピークインパルスの最大値の時間は
          同時である必要はない。VCLともいう。

3.3 定格ピークインパルス電流IPPM (rated peak impulse current IPPM)

 ダイオードの故障を引き起こす
ことなく通電できるピークインパルス電流IPPの最大値。
    備考 特に指定がない限り,ダイオードの特性を決めるために用いるインパルス波形は,図8に規定
          する10/1 000とする。

3.4 最大使用電圧VWM (maximum working voltage VWM)

 劣化又は損傷がなく連続的に印加することが
可能な最大ピーク電圧又は最大直流電圧。交流電圧印加では最大使用実効電圧VWMrms。
    備考 VWMは,VRM(最大定格)とも表し,定格スタンドオフ電圧ともいう。

3.5 待機電流ID (stand-by current ID)

 規定する温度で最大使用電圧を印加したときABDを流れる最大
電流。
    備考 逆方向漏れ電流IRともいう。
3.6   ブレークダウン(アバランシ)電圧V(BR)   breakdown (avalanche)   oltage V(BR)   ] V-I特性曲線上のア
バランシ(なだれ降伏)を起こす付近に規定する直流パルス試験電流IT(又はI(BR))をABDに流したとき
の測定電圧。
3.7   静電容量Cj (capacitance Cj) 規定する周波数及びバイアス条件で測定したABDの2端子間の静電容
量。
    備考 Cともいう。

3.8 定格ピークインパルス電力損失PPPM (rated peak impulse power dissipation PPPM)

 定格ピークインパ
ルス電流IPPMとクランピング電圧VCとの積。
                        PPPM =IPPM×VC
    備考 PPともいう。

3.9 定格順サージ電流IFSM (rated forward surge current IFSM)

――――― [JIS C 5381-321 pdf 5] ―――――

次のページ PDF 6