JIS C 5943:2010 再生用及び記録用半導体レーザ測定方法

                                                                                   C 5943 : 2010

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[1]
•  3 用語及び定義・・・・[1]
•  4 装置・・・・[1]
•  5 電気的及び光学的特性の測定方法・・・・[2]
•  5.1 順電流(If)・・・・[2]
•  5.2 順電圧(Vf)・・・・[3]
•  5.3 逆電圧(Vr)・・・・[4]
•  5.4 光出力(Po)・・・・[5]
•  5.5 しきい値電流(Ith)・・・・[5]
•  5.6 しきい値光出力(Pth)・・・・[6]
•  5.7 スロープ効率(ηd)・・・・[7]
•  5.8 ピーク発振波長(λp),中心発振波長(λc)及びスペクトル幅(Δλw)・・・・[7]
•  5.9 近視野像幅(W⊥及びW//)・・・・[10]
•  5.10 ビーム広がり角(θ⊥及びθ//)・・・・[10]
•  5.11 上昇時間(tr)及び下降時間(tf)・・・・[11]
•  5.12 遮断周波数(fc)・・・・[13]
•  5.13 相対強度雑音(RIN)・・・・[14]
•  5.14 偏光比(P1)・・・・[15]
•  5.15 干渉パターン強度比(α)・・・・[16]
•  5.16 非点隔差(As)・・・・[17]
•  5.17 遠視野像リプル(R1)・・・・[18]
•  5.18 放射光軸ずれ角(Δθ⊥及びΔθ//)・・・・[19]
•  5.19 キャリア対雑音強度比(C/N)・・・・[21]
•  附属書JA(参考)JISと対応国際規格との対比表・・・・[23]

(pdf 一覧ページ番号 1)

――――― [JIS C 5943 pdf 1] ―――――

C 5943 : 2010

まえがき

  この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,財団法人光産業技
術振興協会(OITDA)及び財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を改
正すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格(日本産業規格)であ
る。これによって,JIS C 5943:1997は改正され,この規格に置き換えられた。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に
抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許
権,出願公開後の特許出願,実用新案権及び出願公開後の実用新案登録出願にかかわる確認について,責
任はもたない。

(pdf 一覧ページ番号 2)

――――― [JIS C 5943 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              C 5943 : 2010

再生用及び記録用半導体レーザ測定方法

Measuring methods of laser diodes used for recording and playback

序文

  この規格は,2006年に第1版として発行されたIEC 60747-5-4を基に作成した日本工業規格(日本産業規格)であるが,
適用範囲を再生用及び記録用半導体レーザと限定したために,技術的内容を追加,変更及び削除して作成
した日本工業規格(日本産業規格)である。
  なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。
変更の一覧表にその説明を付けて,附属書JAに示す。

1 適用範囲

  この規格は,光源として使用する再生用及び記録用半導体レーザ(電子回路内蔵形及び光学素子内蔵形
を除く。以下,半導体レーザという。)の電気的及び光学的特性の測定方法について規定する。
    注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
          IEC 60747-5-4:2006,Semiconductor devices−Discrete devices−Part 5-4: Optoelectronic devices−
              Semiconductor lasers(MOD)
            なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”
          ことを示す。

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 1102-1 直動式指示電気計器−第1部 : 定義及び共通する要求事項
    JIS C 5942 再生用及び記録用半導体レーザ通則

3 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,JIS C 5942による。

4 装置

4.1   電源
  直流電源は,リプル含有率3 %以下,交流電源は高調波含有率5 %以下とする。ただし,商用電源を用
いる場合は,高調波含有率10 %以下とする。
  なお,特に交流出力を測定する試験では,直流電源のリプル含有率,交流電源の高調波含有率及び交流
の流れる直流電源回路の交流インピーダンスは,測定に影響を与えないように小さい値とする。また,サ
ージの侵入に対する十分な防護措置を施さなければならない。

――――― [JIS C 5943 pdf 3] ―――――

2
C 5943 : 2010
4.2   計器
  他に規定がない限り,計器はJIS C 1102-1に規定する階級指数0.5以上の確度をもち,入力インピーダ
ンスは測定系への影響を無視できる値とする。
    注記 標準品として階級指数0.5以上の計器がない場合は,4.2の規定を適用しなくてもよい。
4.3   光パワーメータ
  測定に使用する光パワーメータは,該当する波長で光強度が校正され,かつ,受光面感度分布が十分に
平たんでなければならない。
4.4   光スペクトラムアナライザ
  測定に使用する光スペクトラムアナライザは,該当する波長で,十分なダイナミックレンジ(十分低い
迷光),横(波長)軸及び縦(レベル)軸の確度並びに発振スペクトルを分離するのに十分な分解能をもた
なければならない。

5 電気的及び光学的特性の測定方法

5.1 順電流(If)

5.1.1  目的
  指定した状態での順電流を測定することを目的とする。
5.1.2  測定回路
  順電流の測定回路は,図1による。図1は直流動作の場合を示すが,パルス動作を含む変調動作の場合,
電源及び測定機器は,それに対応したものを用意する。
5.1.3  測定方法
  半導体レーザに指定の順電圧Vfを印加して指定の光出力Poを発生させ,そのときの順電流Ifを測定す
る。この測定は,1 kHz以下の交流電源を用いてオシロスコープの画面上に電流−電圧波形を描く方法に
よってもよい。
  半導体レーザで相当程度の電力消費があり,それに伴う接合部温度上昇が測定値に大きな影響を与える
場合には,次のいずれかの方法によって行い,その方法を明記する。
a) 直流を用い,熱的平衡に達した後,測定する。ただし,熱的平衡に達しない場合は,指定の電圧を印
    加し始めた後,指定の時間に測定する。
b) パルスを用いるか又は接合部温度上昇が無視できるような短い時間で測定する。パルスを用いるとき
    は,パルス幅,デューティサイクル及びバイアス条件を明記する。
5.1.4  測定上の注意
  光パワーメータの受光面は,放射される全光量を十分に受けられる大きさでなければならない。また,
光パワーメータの受光部から半導体レーザへの反射光は十分小さく抑える。光パワーメータの代わりに積
分球を用いた測定系(図2参照)を用いてもよい。順電圧の印加によって半導体レーザからの光出力Po
が絶対最大定格値を超えないようにする。
5.1.5  測定条件
  次に示す測定条件を指定する。
a) 動作温度(Tamb又はTcase)
b) 順電圧Vf又は光出力Po
c) パルス動作のときは,パルス幅,デューティサイクル及びバイアス条件

――――― [JIS C 5943 pdf 4] ―――――

                                                                                              3
                                                                                   C 5943 : 2010
直流電圧計の内部抵抗は,半導体レーザの抵抗値に比べ測定値に影響を与えない程度に十分大きくなければならない。
        図1−順電流,順電圧,光出力,しきい値電流,しきい値光出力及びスロープ効率の測定
直流電圧計の内部抵抗は,半導体レーザの抵抗値に比べ測定値に影響を与えない程度に十分大きくなければならない。
測定デバイス及びアパーチャは,積分球の表面積に比べて十分小さくなければならない。また,積分球の内側の表面
及び遮へい板は,一定の拡散反射率(0.8以上)をもつ塗料でコーティングしなければならない。
 図2−積分球を用いた順電流,順電圧,光出力,しきい値電流,しきい値光出力及びスロープ効率の測定

5.2 順電圧(Vf)

5.2.1  目的
  指定した状態での順電圧を測定することを目的とする。
5.2.2  測定回路
  順電圧の測定回路は,図1による。図1は直流動作の場合を示すが,パルス動作を含む変調動作の場合,
電源及び測定機器は,それに対応したものを用意する。
5.2.3  測定方法
  半導体レーザに指定の順電流Ifを印加して指定の光出力Poを発生させ,そのときの順電圧Vfを測定す
る。この測定は,1 kHz以下の交流電源を用いてオシロスコープの画面上に電流−電圧波形を描く方法に
よってもよい。
  半導体レーザで相当程度の電力消費があり,それに伴う接合部温度上昇が測定値に大きな影響を与える
場合には,次のいずれかの方法によって行い,その方法を明記する。

――――― [JIS C 5943 pdf 5] ―――――

次のページ PDF 6