JIS C 5942:2010 再生用及び記録用半導体レーザ通則

                                                                                   C 5942 : 2010

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[1]
•  3 用語及び定義・・・・[2]
•  4 分類及び外形・・・・[6]
•  4.1 分類・・・・[6]
•  4.2 外形及び電極接続・・・・[6]
•  5 性能及び試験・・・・[6]
•  5.1 最大定格・・・・[6]
•  5.2 電気的特性及び光学的特性・・・・[7]
•  5.3 環境及び耐久性に対する性能及び試験・・・・[8]
•  6 レーザの安全性・・・・[10]
•  7 測定・・・・[10]
•  8 表示・・・・[10]
•  9 取扱い上の注意事項・・・・[10]
•  附属書JA(参考)静電気破壊のおそれがあるデバイスヘの表示・・・・[11]
•  附属書JB(参考)JISと対応国際規格との対比表・・・・[13]

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――――― [JIS C 5942 pdf 1] ―――――

C 5942 : 2010

まえがき

  この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,財団法人光産業技
術振興協会(OITDA)及び財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を改
正すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格(日本産業規格)であ
る。これによって,JIS C 5942:1997は改正され,この規格に置き換えられた。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に
抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許
権,出願公開後の特許出願,実用新案権及び出願公開後の実用新案登録出願にかかわる確認について,責
任はもたない。

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――――― [JIS C 5942 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              C 5942 : 2010

再生用及び記録用半導体レーザ通則

General rules of laser diodes used for recording and playback

序文

  この規格は,2006年に第1版として発行されたIEC 60747-5-4並びに1997年に第1版として発行された
IEC 60747-5-2及びAmendment 1 (2002)を基に作成した日本工業規格(日本産業規格)であるが,適用範囲を再生用及び記録
用半導体レーザに限定したために,技術的内容を追加,変更及び削除して作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
ただし,追補(amendment)については,編集し,一体とした。
  なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。
変更の一覧表にその説明を付けて,附属書JBに示す。

1 適用範囲

  この規格は,光源として使用する再生用及び記録用半導体レーザ(電子回路内蔵形及び光学素子内蔵形
を除く。以下,半導体レーザという。)の用語,記号,分類,性能などの一般的共通事項について規定する。
    注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
          IEC 60747-5-4:2006,Semiconductor devices−Discrete devices−Part 5-4: Optoelectronic devices−
              Semiconductor lasers
          IEC 60747-5-2:1997,Discrete semiconductor devices and integrated circuits−Part 5-2: Optoelectronic
              devices−Essential ratings and characteristics及びAmendment 1:2002(全体評価 : MOD)
            なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”
          ことを示す。

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで,西暦年を付記してあるものは,記載の年の版を適用し,その後の改正版(追補を含む。)
は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 0025 環境試験方法(電気・電子)温度変化試験方法
      注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-14:1984,Environmental testing−Part 2: Tests−Test N:Change of
             temperature及びIEC 60068-2-33:1971,Environmental testing−Part 2: Tests−Guidance on change
             of temperature tests(全体評価 : MOD)
    JIS C 5943 再生用及び記録用半導体レーザ測定方法
    JIS C 6802 レーザ製品の安全基準
    JIS C 60068-2-1 環境試験方法−電気・電子−第2-1部 : 低温(耐寒性)試験方法(試験記号 : A)
      注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-1:1990,Environmental testing−Part 2: Tests−Test A: Cold(IDT)

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2
C 5942 : 2010
    JIS C 60068-2-2 環境試験方法−電気・電子−第2-2部 : 高温(耐熱性)試験方法(試験記号 : B)
      注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-2:1974,Environmental testing−Part 2: Tests−Test B: Dry heat(IDT)
    JIS C 60068-2-6 環境試験方法−電気・電子−第2-6部 : 正弦波振動試験方法(試験記号 : Fc)
      注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-6:1995,Environmental testing−Part 2: Tests−Test Fc: Vibration
             (sinusoidal)(IDT)
    JIS C 60068-2-7 環境試験方法−電気・電子−加速度(定常)試験方法
    JIS C 60068-2-11 環境試験方法(電気・電子)塩水噴霧試験方法
    JIS C 60068-2-17 環境試験方法−電気・電子−封止(気密性)試験方法
      注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-17:1994,Basic environmental testing procedures−Part 2: Tests−Test
             Q: Sealing(IDT)
    JIS C 60068-2-20 環境試験方法−電気・電子−第2-20部 : 試験−試験T−端子付部品のはんだ付け
        性及びはんだ耐熱性試験方法
    JIS C 60068-2-21 環境試験方法−電気・電子−第2-21部 : 試験−試験U : 端子強度試験方法
    JIS C 60068-2-27 環境試験方法−電気・電子−衝撃試験方法
      注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-27:1987,Environmental testing−Part 2: Tests−Test Ea and
             guidance:Shock(IDT)
    JIS C 60068-2-32 環境試験方法−電気・電子−自然落下試験方法
    JIS C 60068-2-38 環境試験方法(電気・電子)温湿度組合せ(サイクル)試験方法
    JIS C 60068-2-78 環境試験方法−電気・電子−第2-78部 : 高温高湿(定常)試験方法
    IEC 60749-26,Semiconductor devices−Mechanical and climatic test methods−Part 26: Electrostatic
        discharge (ESD)   ensitivity testing−Human body model (HBM)

3 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。
3.1
絶対最大定格(absolute maximum ratings)
  瞬時でも超えてはならない限界値。どの一つの規格値も超えてはならない。
3.2
保存温度,Tstg(storage temperature)
  電源電圧及び入力信号を加えないときの許容周囲温度。
3.3
動作温度(operating temperature)
  指定の電圧又は電流で半導体レーザの動作を保証する温度。周囲温度(Tamb)又はケース温度(Tcase)で
表す。
3.4
光出力,Po(radiant power or optical output power)
  光出力端部から取り出す光パワー。このとき,測定光学系の開口数NAを指定することもある。
3.5
動作電圧,Vop(operating voltage)
  指定の光出力を得るときの順電圧値。

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                                                                                   C 5942 : 2010
3.6
動作電流,Iop(operating current)
  指定の光出力を得るときの順電流値。
3.7
しきい値電流,Ith(threshold current)
  誘導放出によるレーザ発振を開始する順電流値。
3.8
しきい値光出力,Pth(radiant power at threshold)
  しきい値電流値における光出力値。
3.9
スロープ効率,        differential efficiency)
  1点を動作電流における光出力とし,他の1点をしきい値電流,又はしきい値電流よりも高く,かつ,
動作電流よりも十分低い順電流における光出力としたときに,これらの2点の光出力差を,電流差で除し
たもの。
3.10
縦モード(longitudinal mode)
  レーザ共振器の光軸方向に存在する電磁界のモード。多くの半導体レーザでは複数の発振モードがあり
マルチモード発振というが,特に単一の縦モードで発振するときをシングルモード発振という。
3.11
ピーク発振波長,        peak emission wavelength)
  レーザ発振が最強となる波長。
3.12
中心発振波長,         central emission wavelength)
  発振スペクトルの中心の波長。中心発振波長は,次の測定法のいずれかによって求める。
a) 包絡線法 それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び,その包絡線が縦モードのピークに対
    し指定の値となる,最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との平均の波長。
b)   -dB法 ピーク発振波長の両側の波長帯で,ピークに対し指定の値となる波長のうち最も長い波長
    側の縦モードの発振波長と,最も短い波長側の縦モードの発振波長との平均の波長。指定値が50 %の
    場合は,この方法をしきい値法ともいう。
c)   MS法 n番目の縦モードの光出力及び発振波長から,次の式によって求めた波長。
                              AnA  n
                                 n
                      ここに,         λc :  中心発振波長
                                       λn :  n番目の縦モードの発振波長
                                       An :  n番目の縦モードの光出力
3.13
スペクトル幅,Δ        spectral radiation bandwidth)
  発振スペクトルの広がり。特に発振スペクトルの最大強度の50 %のスペクトル幅をスペクトル半値幅,
又はFWHM(半値全幅)という。スペクトル幅は,次の測定法のいずれかによって求める。
a) 包絡線法 それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び,その包絡線が縦モードのピークに対

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