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C 5942 : 2010
し指定の値となる,最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との差。
b) -dB法 シングルモード発振の場合,縦モードのピークに対し指定の値で切ったときのスペクトル
幅。マルチモード発振の場合,縦モードのピークに対し指定の値以上で発振する縦モードのうち,最
も長波長側の波長と最も短波長側の波長との差。単一縦モード発振の場合,発振している縦モードの
最大のピークに対し指定の値(スペクトル半値幅を求めるときは,ピークに対し50 %の値)になるス
ペクトル線の広がり幅。
c) MS法 n番目の縦モードの光出力及び発振波長から,次の式によって求めた波長幅。
なお,kは定数で目的に応じて1,2,2.35又は3から選択し,明示する(2.35を選択した場合は,
スペクトル形状をガウス分布とみなしたときのスペクトル半値幅に相当する。)。
An (n c)2
w k
An
ここに, Δ スペクトル幅
λc : 中心発振波長
λn : n番目の縦モードの発振波長
An : n番目の縦モードの光出力
k : 定数(1,2,2.35又は3)
3.14
ビーム広がり角, 一 (half-intensity angle)
pn接合面に平行(//)方向及び垂直(⊥)方向の遠視野像の半値全角。平行方向のビーム広がり角を 一
で表し,垂直方向のビーム広がり角を で表す。
3.15
遠視野像リプル,R1
遠視野像の光パワーのピーク値の25 %以上の出力範囲における光パワーの最大変動幅ΔIpのピーク値Ip
に対する比(ΔIp/Ip)。
3.16
放射光軸ずれ角,Δ 一 Δ (misalignment angle)
遠視野像で半導体レーザのpn接合面に平行(//)方向及び垂直(⊥)方向の光軸(放射光パワーが最大
になる軸)と取付け方向軸との角度。平行方向の放射光軸ずれ角をΔ 一己 垂直方向の放射光軸ずれ
角をΔ で表す。
3.17
近視野像幅,W//,W⊥(emission source width)
端面でpn接合面に平行(//)方向及び垂直(⊥)方向において,光強度が最大値の指定の割合に等しく
なる幅。通常,指定の割合は50 %とし,半値全幅を用いる。
3.18
発光点位置精度,Δx,Δy,Δz(position accuracy of emission point)
外形図に示す発光点の基準位置が,示した座標軸(x,y及びz)のそれぞれについてもつ位置精度。
3.19
非点隔差,As(astigmatic difference)
光軸方向において,pn接合面に平行方向の発光点1)と垂直方向の発光点との間の距離。
注1) 発光点とは,見かけの近視野像幅が最小になる点をいう。
3.20
――――― [JIS C 5942 pdf 6] ―――――
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C 5942 : 2010
偏光比,P1
光軸に垂直な面内にある直交する直線偏光成分において,最大となる光パワーの最小となる光パワーに
対する比。
3.21
干渉パターン強度比, 愀
半導体レーザから放射された光を干渉させて生じる干渉強度の光路差に対する変化を描いたとき,その
包絡線上における第2のピーク値の第1のピーク値に対する比。
3.22
上昇時間,tr(rise time)
光出力パルス(又は電気信号)が最大値2)の10 %から90 %まで増加するのに要する時間。立ち上がり時
間ともいう。
注2) 最大値とは,緩和振動後の定常値をいう。
3.23
下降時間,tf(fall time)
光出力パルス(又は電気信号)が最大値2)の90 %から10 %まで減少するのに要する時間。立ち下がり時
間ともいう。
3.24
遮断周波数,fc(cut-off frequency)
指定のバイアス点において,正弦波を用いて小信号で変調を行ったときに得られる被変調光出力の正弦
波振幅が,低周波領域の十分に平たんな部分に対して3 dB低下する周波数。
3.25
相対強度雑音,RIN(relative intensity noise)
単位周波数当たりの光強度雑音と平均光出力との比。実際には,光のゆらぎはフォトダイオードなどの
受光素子及び増幅器を用いて測定し,算出するため,指定の周波数において検出した雑音から受光素子で
発生するショット雑音及び増幅器で発生する熱雑音を除き,これを半導体レーザの平均出力(一般には受
光器の光電流で検出)及び測定周波数帯域で除して求める。
3.26
キャリア対雑音強度比,C/N(carrier-to-noise ratio)
指定の周波数及び振幅での,変調状態における信号光出力の強度の雑音光出力の強度に対する比。
3.27
モニタ用フォトダイオード出力電流,Im(monitor current)
モニタ光出力を光電変換して得られる電流値。
3.28
モニタ用フォトダイオード暗電流,ID(dark current)
半導体レーザを発光させないときに光モニタ出力に流れる電流。
3.29
モニタ用フォトダイオード端子間容量,Ct(diode capacitance)
モニタ用フォトダイオードの端子間の容量。
3.30
――――― [JIS C 5942 pdf 7] ―――――
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C 5942 : 2010
モニタ用フォトダイオード逆電圧,Vrd(reverse voltage)
モニタ用フォトダイオードの端子間にかける逆電圧。
3.31
モニタ用フォトダイオード測定周波数,f(test frequency)
モニタ用フォトダイオードの端子間容量を測定するときの電気的周波数。
4 分類及び外形
4.1 分類
半導体レーザの分類は,表1による。
表1−半導体レーザの分類
分類項目 種類
大項目 小項目
結晶材料 インジウム ガリウム アルミニウム窒素/ガリウム窒素(InGaAlN/GaN),
アルミニウム ガリウムひ素/ガリウムひ素(AlGaAs/GaAs),
インジウム ガリウムひ素 りん/インジウム りん(InGaAsP/InP),
インジウム ガリウム アルミニウム りん/ガリウムひ素(InGaAlP/GaAs)など
波長帯 400 nm帯用,600 nm帯用,700 nm帯用,800 nm帯用など
素子構造 接合構造 ダブルヘテロ(DH)接合形,量子井戸構造など
ストライプ構造 利得導波形,屈折率導波形など
帰還構造 へき開面反射形,分布帰還形(DFB)など
パッケージ構造 光出力構造 光出力窓形,開放形など
モニタ出力構造 モニタなし,フォトダイオード内蔵形など
端子構造 TO形など
用途 再生用,記録用など
注記 空欄は,適用しない。
4.2 外形及び電極接続
半導体レーザの外形並びに端子番号及び電極名は,図示しなければならない。発光点の基準位置及び光
軸方向は,図中に示さなければならない。
例 A : 外形 (外形図番号)
B : 電極接続 リード又は端子 電極名
1
2
3
:
ケース
5 性能及び試験
5.1 最大定格
半導体レーザの最大定格は,絶対最大定格とする。絶対最大定格は,表2による。特に指定がない限り,
動作温度(周囲温度又はケース温度)は25 ℃とする。
表2−半導体レーザの絶対最大定格
――――― [JIS C 5942 pdf 8] ―――――
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C 5942 : 2010
項目 記号 条件 最大定格値 単位
温度 保存温度 Tstg −_+_ ℃
動作温度 Tamb又はTcase −_+_ ℃
はんだ付け温度 Tsld はんだ付け時間を指定 _ ℃
電圧 直流逆電圧 Vrl _ V
せん頭逆電圧a) Vrml _ V
電流 直流順電流 Ifl _ mA
せん頭順電流a) Ifml _ mA
光出力 直流光出力 Pol _ mW
せん頭光出力a) Poml _ mW
モニタ用フォ 直流逆電圧 Vrdl _ V
トダイオード せん頭逆電圧a) Vrdml _ V
注記1 最大定格値の欄の下線部分は,指定しなければならない。
注記2 空欄は,適用しない。
注a) 直流に対し,せん頭は交流又はパルス動作を示し,選択項目である。
5.2 電気的特性及び光学的特性
半導体レーザの電気的特性及び光学的特性は,表3による。特に指定がない限り動作温度(周囲温度又
はケース温度)は,25 ℃とする。パルス動作の場合は,その旨及びパルス駆動条件を明記しなければなら
ない。
表3−半導体レーザの電気的特性及び光学的特性
――――― [JIS C 5942 pdf 9] ―――――
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項目 記号 測定条件 最小値 標準値 最大値 単位
しきい値電流 Ith _ _ mA
しきい値光出力a) Pth If=Ith _ mW
動作電流 Iop P=Po _ _ mA
動作電圧 Vop P=Po又はIf=Iop _ _ V
スロープ効率 P=Po又はIf=Iop _ _ _ mW/mA
ピーク発振波長 P=Po又はIf=Iop _ _ _ nm
スペクトル幅a), e) Δ Po又はIf=Iop _ _ nm
ビーム広がり角(平行方向) 一一 P=Po又はIf=Iop _ _ _ °
ビーム広がり角(垂直方向) P=Po又はIf=Iop _ _ _ °
遠視野像リプルa) Rl P=Po又はIf=Iop _ %
放射光軸ずれ角(平行方向) Δ一一 Po又はIf=Iop _ °
放射光軸ずれ角(垂直方向) Δ P=Po又はIf=Iop _ °
近視野像幅(平行)a) W// P=Po又はIf=Iop _ _ _
近視野像幅(垂直)a) W⊥ P=Po又はIf=Iop _ _ _
発光点位置精度 Δx P=Po又はIf=Iop _
Δy P=Po又はIf=Iop _
Δz P=Po又はIf=Iop _
非点隔差a) As P=Po又はIf=Iop _ _
偏光比a) P1 P=Po又はIf=Iop _
干渉パターン強度比a) 愀 P=Po又はIf=Iop _
上昇時間b) tr If=_ _ _ ns
下降時間b) tf If=_ _ _ ns
遮断周波数b) fc P=Po又はIf=Iop _ _ GHz
相対強度雑音c) RIN P=Po又はIf=Iop _ dB/Hz
キャリア対雑音強度比c) C/N P=Po又はIf=Iop _ dBc
モニタ用フォトダイオード Im P=Po又はIf=Iop'
出力電流d) Vrd=_ _
モニタ用フォトダイオード ID
暗電流d) Vrd=_ _ nA
モニタ用フォトダイオード Ct
端子間容量a), d) Vrd=_,f=_ pF
注記 最小値,標準値及び最大値の下線部分は,指定しなければならない。
注a) 選択項目
b) 上昇時間及び下降時間の組合せ又は遮断周波数のいずれかを選択する。
c) 用途によっていずれかの選択でよい。
d) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
e) スペクトル幅の測定方法は,包絡線法,N-dB法又はRMS法のいずれかの選択でよいが,選択
した方法を明記する。
補足情報として,電気的特性及び光学的特性の中から必要なものの温度依存性を指定してもよい。
5.3 環境及び耐久性に対する性能及び試験
半導体レーザの環境及び耐久性に対する性能及び試験は,表4による。
表4−半導体レーザの環境及び耐久性に対する性能及び試験
――――― [JIS C 5942 pdf 10] ―――――
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JIS C 5942:2010の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60747-5-2:1997(MOD)
- IEC 60747-5-4:2006(MOD)
JIS C 5942:2010の国際規格 ICS 分類一覧
- 33 : 電気通信工学.オーディオ及びビデオ工学 > 33.180 : 光ファイバ通信 > 33.180.01 : 光ファイバシステム一般
- 31 : エレクトロニクス > 31.260 : オプトエレクトロニクス.レーザー設備
JIS C 5942:2010の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISC0025:1988
- 環境試験方法(電気・電子)温度変化試験方法
- JISC5943:2010
- 再生用及び記録用半導体レーザ測定方法
- JISC60068-2-1:2010
- 環境試験方法―電気・電子―第2-1部:低温(耐寒性)試験方法(試験記号:A)
- JISC60068-2-11:1989
- 環境試験方法(電気・電子)塩水噴霧試験方法
- JISC60068-2-17:2001
- 環境試験方法―電気・電子―封止(気密性)試験方法
- JISC60068-2-2:2010
- 環境試験方法―電気・電子―第2-2部:高温(耐熱性)試験方法(試験記号:B)
- JISC60068-2-20:2010
- 環境試験方法―電気・電子―第2-20部:試験―試験T―端子付部品のはんだ付け性及びはんだ耐熱性試験方法
- JISC60068-2-21:2009
- 環境試験方法―電気・電子―第2-21部:試験―試験U:端子強度試験方法
- JISC60068-2-27:2011
- 環境試験方法―電気・電子―第2-27部:衝撃試験方法(試験記号:Ea)
- JISC60068-2-32:1995
- 環境試験方法―電気・電子―自然落下試験方法
- JISC60068-2-38:2013
- 環境試験方法―電気・電子―第2-38部:温湿度組合せ(サイクル)試験方法(試験記号:Z/AD)
- JISC60068-2-6:2010
- 環境試験方法―電気・電子―第2-6部:正弦波振動試験方法(試験記号:Fc)
- JISC60068-2-7:1993
- 環境試験方法―電気・電子―加速度(定常)試験方法
- JISC60068-2-78:2015
- 環境試験方法―電気・電子―第2-78部:高温高湿(定常)試験方法(試験記号:Cab)
- JISC6802:2014
- レーザ製品の安全基準