JIS C 5942:2010 再生用及び記録用半導体レーザ通則 | ページ 3

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C 5942 : 2010
項目 試験条件 適用a) 抜取方式 試験方法
検査水準 AQL
はんだ耐熱性 温度_℃±_℃ JIS C 60068-2-20
温度サイクル 低温_℃ 高温_℃ JIS C 0025
保持時間_min
移動時間_min 回数_回
熱衝撃 高温_℃ 保持時間_min JIS C 0025
移動時間_s
低温_℃ 保持時間_min
回数_回
温湿度サイクル 高温_℃ 高温側相対湿度_% JIS C 60068-2-38
保持時間_min
低温_℃ 低温側相対湿度_%
保持時間_min
移動時間_min 回数_回
気密性 加圧圧力_Pa JIS C 60068-2-17
加圧時間_h
(必要がある場合)
自然落下b) 高さ_cm 回数_回 JIS C 60068-2-32
衝撃b) 方向_ 最高加速度_m/s2 JIS C 60068-2-27
パルス幅_ms 回数_回
定加速度 方向_ 加速度_m/s2 JIS C 60068-2-7
パルス幅_ms 回数_回
振動 周波数__Hz JIS C 60068-2-6
全振幅又は加速度
方向_ 時間_h
端子強度 荷重_N 回数_回 JIS C 60068-2-21
塩水噴霧 時間_h JIS C 60068-2-11
低温保存 温度_℃ 時間_h JIS C 60068-2-1
高温保存 温度_℃ 時間_h JIS C 60068-2-2
動作寿命 ケース温度(又は周囲温度)_℃
定出力動作 光出力_mW 時間_h
高温高湿 温度_℃ 相対湿度_% 時間_h JIS C 60068-2-78
静電気放電 人体帯電モデル IEC 60749-26
注記 試験条件の下線部分は,指定しなければならない。
注a) 合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。
b) 自然落下又は衝撃のいずれかを指定する。
試験の合否判定基準は,表5による。

――――― [JIS C 5942 pdf 11] ―――――

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C 5942 : 2010
表5−合否判定基準
項目 測定条件 許容値 単位 測定方法
最小値 最大値 JIS C 5943
半導体レーザしきい値電流 算出方法_ _ mA 5.5
半導体レーザ動作電流a) 光出力_mW _ mA 5.1
半導体レーザ光出力a) 電流_mA _ mW 5.4
モニタ用フォトダイオード 光出力_mW
出力電流b) モニタ用フォトダイオード逆電圧_V _ μA
モニタ用フォトダイオード
暗電流b) モニタ用フォトダイオード逆電圧_V _ nA
注記 測定条件,許容値の下線部分は,指定しなければならない。
注a) 動作電流又は光出力のいずれか一方を適用する。
b) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。

6 レーザの安全性

  製品は,JIS C 6802に規定する安全基準のクラスを明確にするか,又はJIS C 6802に適合することを保
証しなければならない。
レーザ製品の製造業者は,レーザ安全性規格及び法規制に基づいて,そのレーザ製品,安全性能,ラベ
ル表示,使用法,維持及び保守について情報を提供しなければならない。その文書は,製品を使用するシ
ステムがこれらの安全性保証事項に適合するように満たすべき要求事項及び使用上の制限事項を明確に指
定しなければならない。

7 測定

  半導体レーザの測定は,JIS C 5943による。

8 表示

  半導体レーザには,次の項目を表示しなければならない。ただし,個々の半導体レーザに表示すること
が困難な場合は,包装に表示してもよい。
a) 形名(製造業者の指定による。)
b) 製造業者名又はその略号
c) 製造年月若しくは製造ロット番号又はそれらの略号
d) 静電気破壊のおそれがあり,取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する(記号は,附
属書JA参照)。
e) その他必要事項

9 取扱い上の注意事項

  静電気破壊のおそれがある半導体レーザに対しては,次の事項に注意する。
a) 移送,保管及び放置のときは,静電気導電材料,帯電防止処理材料などを用い,静電気の帯電を防止
する。
b) 測定は,静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は50 %程度が望ましい。また,静電気の発生を防
ぐためには,取扱い者,工具及び測定器類の電位と被測定半導体レーザの電位とを同じにする。

――――― [JIS C 5942 pdf 12] ―――――

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C 5942 : 2010
附属書JA
(参考)
静電気破壊のおそれがあるデバイスヘの表示

序文

  静電気によって破壊をするおそれがあり,取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する記
号は,次による。
A.1 記号の使用
実用上適している内装,デバイス上,データシート,保管容器,特別な防護用の包みなどに表示する。
デバイス上に縮小して使用する場合に簡略化した記号を,図JA.2に示す。
A.2 記号の色
記号の色は,表JA.1による。
表JA.1−記号の色
記号の種類 色 表示方法
図JA.1 主に印刷によって表示する。
下地と識別できれば,単一色で何色でもよい。
図JA.2 ただし,赤色は除く。
図JA.3 下地は黄色とする。文字及び記号は黒色とする。 主にラベルによって表示する。
図JA.1−記号
図JA.2−縮小する場合の簡略化した記号

――――― [JIS C 5942 pdf 13] ―――――

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C 5942 : 2010
図JA.3−文字と組み合わせた記号の例
参考文献 JIS C 5948 光伝送用半導体レーザモジュールの信頼性評価方法
IEC 62007-2,Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part 2:
Measuring methods

――――― [JIS C 5942 pdf 14] ―――――

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13
附属書JB
942
(参考)
: 20
JISと対応国際規格との対比表
10
JIS C 5942:2010 再生用及び記録用半導体レーザ通則 IEC 60747-5-4:2006 Semiconductor devices−Discrete devices−Part 5-4:
Optoelectronic devices−Semiconductor lasers
IEC 60747-5-2:1997 Discrete semiconductor devices and integrated circuits−Part 5-2:
Optoelectronic devices−Essential ratings and characteristics及びAmendment 1:2002
(I) JISの規定 (II) (III)国際規格の規定 (IV) JISと国際規格との技術的差異の箇条(V) JISと国際規格との技術的差異
国際規格 ごとの評価及びその内容 の理由及び今後の対策
箇条番号 内容 番号 箇条番号 内容 箇条ごと 技術的差異の内容
及び題名 の評価
1 適用範 再生用及び記録用 IEC 1 伝送用を除く半導体レー変更 国際規格は複数の光能動部品 用途を限定したJISとしたため。今
囲 半導体レーザの用 60747-5-4 ザ及び光能動部品の用 後も,IEC規格及びJISの体系見直
を適用範囲とするため,再生用
語,記号,分類,性IEC 語,分類,最大定格,性 及び記録用半導体レーザ及び しに合わせて,国際規格との整合を
能などの一般的事 60747-5-2 能,測定方法などの一般 それを内蔵するモニタ用フォ 図っていく。
項について規定。 的な共通事項について規 トダイオード以外の製品を適
定。 用範囲から削除した。測定方法
はJIS C 5943に規定し,引用規
格とした。
2 引用規

C5 942 : 201
1
0
3

――――― [JIS C 5942 pdf 15] ―――――

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JIS C 5942:2010の引用国際規格 ISO 一覧

  • IEC 60747-5-2:1997(MOD)
  • IEC 60747-5-4:2006(MOD)

JIS C 5942:2010の国際規格 ICS 分類一覧

JIS C 5942:2010の関連規格と引用規格一覧