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C 7030-1993
附属書図4 安全動作領域試験回路(スイッチング方法)
(3) 手順 附属書図4の試験回路で,出力側を規定の負荷条件とし,規定のパルス条件で規定のベース電
流IB1とIB2を流し,次にVCCを低い値から徐々に増加していき,規定のコレクタ電流 (IC) 及び規定の
コレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を印加して,安全動作領域を確認する。最大安全動作領域は,この
VCEとICの軌跡によって確認する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(4.1) パルス幅及びデューティサイクル
(4.2) 出力側の負荷条件
(a) 抵抗負荷
(b) 抵抗及び誘導負荷
(c) 誘導負荷
(4.3) コレクタ電圧及び(又は)コレクタ電流の最大限界値
(4.4) 順方向ベース電流値,逆方向ベース電流値
(4.5) 周囲温度又は基準点温度
2.1.5 コレクタ・エミッタ間降伏電圧測定
コレクタ・エミッタ間降伏電圧測定は,次による。
(1) 目的 この測定は,規定条件で,供試バイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間降伏電圧を測
定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,附属書図5に示す。
――――― [JIS C 7030 pdf 71] ―――――
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附属書図5 コレクタ・エミッタ間降伏電圧測定回路
(3) 手順 ベース・エミッタ間を規定の状態にし,コレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を徐々に上げていき,
コレクタ電流 (IC) が規定値となったときのコレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) 〔コレクタ・エミッタ
間降伏電圧 [V (BR) E]〕を測定する。
なお,コレクタ・エミッタ間サスティニング電圧VCE (sus) の測定については2.1.1を参照のこと。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(4.1) ベース・エミッタ間のバイアス条件
(a) (BR) EXの場合はベース・エミッタ間電圧
(b) (BR) ERの場合はベース・エミッタ間に接続するRBEの抵抗値
(c) (BR) ESの場合はベース・エミッタ間を短絡すること。
(d) (BR) EOの場合はベース・エミッタ間を開放すること。
(4.2) コレクタ電流
(4.3) 周囲温度又は基準点温度
2.1.6 コレクタ・ベース間降伏電圧測定
コレクタ・ベース間降伏電圧測定は,次による。
(1) 目的 この測定は,規定条件で,供試バイポーラトランジスタのコレクタ・ベース間降伏電圧を測定
することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,附属書図6に示す。
附属書図6 コレクタ・ベース間降伏電圧測定回路
(3) 手順 エミッタ・ベース間を規定の状態にし,コレクタ・ベース間電圧 (VCB) を徐々に上げていき,
コレクタ電流 (IC) が規定値となったときのコレクタ・ベース間電圧 (VCB) 〔コレクタ・ベース間降
――――― [JIS C 7030 pdf 72] ―――――
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伏電圧 [V (BR) B]〕を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(4.1) エミッタ・ベース
(a) (BR) BXの場合はエミッタ・ベース間電圧
(b) (BR) BRの場合はエミッタ・ベース間に接続するRBEの抵抗値
(c) (BR) BSの場合はエミッタ・ベース間を短絡すること。
(d) (BR) BOの場合はエミッタ・ベース間を開放すること。
(4.2) コレクタ電流
(4.3) 周囲温度又は基準点温度
2.1.7 エミッタ・ベース間降伏電圧測定
エミッタ・ベース間降伏電圧測定は,次による。
(1) 目的 この測定は,規定条件で,供試バイポーラトランジスタのエミッタ・ベース間降伏電圧を測定
することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,附属書図7に示す。
附属書図7 エミッタ・ベース間降伏電圧測定回路
(3) 手順 コレクタ・ベース間を規定の状態にし,エミッタ・ベース間電圧 (VEB) を徐々に上げていき,
エミッタ電流 (IE) が規定値となったときのエミッタ・ベース間電圧 (VEB) 〔エミッタ・ベース間降伏
電圧 [V (BR) B]〕を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(4.1) コレクタ・ベース間のバイアス条件
(a) (BR) BXの場合はコレクタ・ベース間電圧
(b) (BR) BRの場合はコレクタ・ベース間に接続するRBCの抵抗値
(c) (BR) BSの場合はコレクタ・ベース間を短絡すること。
(d) (BR) BOの場合はコレクタ・ベース間を開放すること。
(4.2) エミッタ電流
(4.3) 周囲温度又は基準点温度
2.2 電界効果トランジスタ
2.2.1 安全動作領域試験(順方向) (A, B, C)
安全動作領域試験(順方向) (A, B, C) は,次による。
(1) 目的 この試験は,規定条件で,供試電界効果トランジスタの順方向安全動作領域を確認することを
目的とする。
(2) 試験回路 試験回路の一例を,附属書図8に示す。
――――― [JIS C 7030 pdf 73] ―――――
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附属書図8 安全動作領域試験回路(順方向) (A, B, C)
(3) 手順 附属書図8(1)の回路でドレイン電圧VDDを規定の値とし,ゲート・ソース電圧VGSを徐々に上
げていきドレイン電流を増加させる。規定のドレイン電圧及びドレイン電流から安全動作領域が確認
できる。ドレイン電圧の急激な低下はトランジスタの破壊を意味しているが,ドレイン電圧の急激な
低下にともない過大電流が流れる場合があるため,VDDとして電流制限電圧源を用いることが望まし
い。
なお,附属書図8(2)の回路のようにゲート・ソース間にパルス電圧VGSを印加すれば,パルス安全
動作領域が確認できる。図中のVGS (OFF) は供試電界効果トランジスタ遮断用電源である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) 直流動作又はパルス動作
(b) パルス幅,デューティサイクル又は印加パルス数(パルス動作の場合)
(c) ドレイン電圧,ドレイン電流
(d) 周囲温度又は基準点温度
(e) 試験後の測定
2.2.2 安全動作領域試験(逆方向) (A, B, C)
安全動作領域試験(逆方向) (A, B, C) は,次による。
(1) 目的 この試験は,規定条件で,供試電界効果トランジスタの逆方向安全動作領域を確認することを
目的とする。
(2) 試験回路 試験回路の一例を,附属書図9及び動作波形を附属書図10に示す。
――――― [JIS C 7030 pdf 74] ―――――
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附属書図9 安全動作領域試験回路(逆方向) (A, B, C)
附属書図10 パルス波形
(3) 手順 附属書図9の回路で,規定のドレイン電流IDMに達するまで,ドレイン電圧VDDを徐々に上げ
るか又はゲート・ソース電圧VGSのパルス幅 (tp) を徐々に広げていき,ドレイン電圧,ドレイン電流
波形をオシロスコープOで観測する。ドレイン電圧 (VDS) 及びドレイン電流 (IDM) から安全動作領域
が確認できる。ドレイン電圧の急激な低下又はドレイン電流の減少時の発振現象はトランジスタの不
良の発生を意味している。
なお,VGS (OFF) は供試電界効果トランジスタ遮断用電源,また,VGSは供試電界効果トランジスタ飽
和用電源である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) インダクタンス値
(b) ゲート・ソース間電圧
――――― [JIS C 7030 pdf 75] ―――――
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JIS C 7030:1993の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60747-7:1988(NEQ)
- IEC 60747-8:1984(NEQ)