JIS C 7030:1993 トランジスタ測定方法 | ページ 16

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  (c) ドレイン電流のピーク値
  (d) パルス幅,印加パルス数及びドレイン電流導通期間
  (e) 周囲温度又は基準点温度
  (f) 試験後の測定

2.2.3 ゲート・ソース間電圧測定 (A)

  ゲート・ソース間電圧測定 (A) は,次による。
(1) 目的 この測定は,規定条件で,供試電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧を測定すること
    を目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,附属書図11に示す。
                         附属書図11 ゲート・ソース間電圧測定回路 (A)
(3) 手順 ドレイン・ソース間を規定の状態にし,ゲート・ソース間電圧 (VGS) を規定のゲート電流 (IG)
    に達するまで徐々に上げていきゲート・ソース間電圧 (VGS) 〔ゲート・ソース間電圧 (VGS) 又は,ゲ
    ート・ソース間降伏電圧 [V (BR)   S]〕を測定する。
    備考 ゲート・ソース間降伏電圧 [V (BR)   S] とは,ゲート電流 (IG) が明らかに降伏状態とみなせると
          きのゲート・ソース間電圧 (VGS) である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(4.1) ドレイン・ソース間のバイアス条件
  (a)   GSXの場合はドレイン・ソース間電圧
  (b)   GSRの場合はドレイン・ソース間に接続するR2の抵抗値
  (c)   GSSの場合はドレイン・ソース間を短絡すること。
  (d)   GSOの場合はドレイン・ソース間を開放すること。
(4.2) ゲート・ソース間電流
(4.3) デュアルゲートの場合,非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度

2.2.4 ゲート・ドレイン間電圧測定 (A)

  ゲート・ドレイン間電圧測定 (A) は,次による。
(1) 目的 この測定は,規定条件で,供試電界効果トランジスタのゲート・ドレイン間電圧を測定するこ
    とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,附属書図12に示す。

――――― [JIS C 7030 pdf 76] ―――――

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C 7030-1993
                        附属書図12 ゲート・ドレイン間電圧測定回路 (A)
(3) 手順 ドレイン・ソース間を規定の状態にし,ゲート・ドレイン間電圧 (VGD) を規定のゲート電流 (IG)
    に達するまで徐々に上げていきゲート・ドレイン間電圧 (VGD) 〔ゲート・ドレイン間電圧 (VGD) 又
    は,ゲート・ドレイン間降伏電圧 [V (BR)   D]〕を測定する。
    備考 ゲート・ドレイン間降伏電圧 [V (BR)   D]とは,ゲート電流 (IG) が明らかに降伏状態とみなせる
          ときのゲート・ドレイン間電圧 (VGD) である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(4.1) ドレイン・ソース間のバイアス条件
  (a)   GDOの場合はドレイン・ソース間電圧
  (b)   GDSの場合はドレイン・ソース間に接続するR2の抵抗値
  (c)   GDRの場合はドレイン・ソース間を短絡すること。
  (d)   GDXの場合はドレイン・ソース間を開放すること。
(4.2) ゲート・ドレイン間電流
(4.3) デュアルゲート形の場合,非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度

2.2.5 ドレイン・ソース間電圧測定 (A, B, C)

 ドレイン・ソース間電圧測定 (A, B, C) は,次による。
(1) 目的 この測定は,規定条件で,供試電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電圧を測定するこ
    とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,附属書図13に示す。

――――― [JIS C 7030 pdf 77] ―――――

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                      附属書図13 ドレイン・ソース間電圧測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 ゲート・ソース間を規定の状態にし,ドレイン・ソース間電圧を規定のドレイン電流 (ID) に達
    するまで徐々に上げていきドレイン・ソース間電圧 (VDS) 〔ドレイン・ソース間電圧 (VDS) 又は,ド
    レイン・ソース間降伏電圧[V (BR)   S]を測定する。
    備考1. ドレイン・ソース間降伏電圧 [V (BR)   S] とは,ドレイン・ソース間電流 (IDS) が明らかに降
            伏状態とみなせるときのドレイン・ソース間電圧 (VDS) である。
         2. 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは,規定がない限り,これをソース電極に接
            続する。
         3. ドレイン・ソース間降伏電圧V (BR)   SR,V (BR)   SSは,通常エンハンスメント形で測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(4.1) ゲート・ソース間のバイアス条件
  (a)   DSXの場合はゲート・ソース間電圧
  (b)   DSRの場合はゲート・ソース間に接続するR2の抵抗値
  (c)   DSSの場合はゲート・ソース間を短絡すること。
(4.2) ドレイン・ソース間電流
(4.3) デュアルゲート形の場合,非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度

――――― [JIS C 7030 pdf 78] ―――――

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                                    個別半導体専門委員会構成表
                                     氏名                         所属
        (委員会長)           林       豊       電子技術総合研究所電子デバイス部
                               松 田 純 夫       宇宙開発事業団機器・部品開発部
                               杉 本 俊 二       防衛庁装備局
                               吉 田 裕 道       東京都立工業技術センター
                               鳴 神 長 昭       財団法人日本電子部品信頼性センター
                               岩 本 英 雄       三菱電機株式会社東京半導体技術部
                               吉 川 直 幹       沖電気工業株式会社電子デバイス事業本部
                               杉 本    隆       株式会社東芝半導体システム技術センター
                               中 込 義 之       株式会社日立製作所半導体設計開発センター
                               佐 藤 喜久蔵      三洋電機株式会社半導体事業本部
                               斎 藤 忠 義       日本電気株式会社半導体応用技術本部
                               東 迎 良 育       社団法人日本電子機械工業会
                               水 沢    武       日本電信電話株式会社LSI研究所
                               芦 田 秀 夫       富士通株式会社通信事業推進本部
                               柴 田 明 一       ソニー株式会社法務・渉外グループ
                               秋 山 重 信       松下電器産業株式会社半導体研究センター
                               兼 島 敏 一       シャープ株式会社情報システム事業本部
                               池 田    浩       横河電機株式会社開発推進標準部
                               川 城 三 治       株式会社ゼクセルソフト・サービス事業室
                               三 宅 信 弘       通商産業省機械情報産業局
                               稲 葉 裕 俊       工業技術院標準部
        (専門委員)           関 川 敏 弘       電子技術総合研究所電子デバイス部
        (関係者)             岡 部 健 明       株式会社日立製作所半導体設計開発センター
                               立 川    明       社団法人日本電子機械工業会技術部
        (事務局)             角 田 悦 啓       工業技術院標準部電気規格課
                               宗 像 保 男       工業技術院標準部電気規格課