JIS C 8201-5-2:2017 低圧開閉装置及び制御装置―第５－２部：制御回路機器及び開閉素子―近接スイッチ | ページ 17

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C 8201-5-2 : 2017 (IEC 60947-5-2 : 2012)
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                      図D.4−直流近接スイッチ用8 mm 4端子構成コネクタ
                                                                                      単位 mm
注記1 端子番号は省略してもよい。
注記2 交流用近接スイッチは,M12の代替案として1/2インチ−20ユニファイ−2Aねじを使用することができる。
注記3 クラスII近接スイッチでは,保護接地端子は省略してもよい。
                       図D.5−交流近接スイッチ用M12 4端子構成コネクタ

――――― [JIS C 8201-5-2 pdf 81] ―――――

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注記1 端子番号は省略してもよい。
注記2 交流用近接スイッチは,M12の代替案として1/2インチ−20ユニファイ−2Aねじを使用することができる。
注記3 クラスII近接スイッチでは,保護接地端子は省略してもよい。
                       図D.6−交流近接スイッチ用M12 5端子構成コネクタ
                                                                                      単位 mm
注記1 端子番号は省略してもよい。
注記2 交流用近接スイッチは,M12の代替案として1/2インチ−20ユニファイ−2Aねじを使用することができる。
注記3 クラスII近接スイッチでは,保護接地端子は省略してもよい。
                       図D.7−交流近接スイッチ用M12 6端子構成コネクタ

――――― [JIS C 8201-5-2 pdf 82] ―――――

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                                      a) 3端子構成コネクタ
                                      b) 4端子構成コネクタ
                                 図D.8−直流近接スイッチ用M5

――――― [JIS C 8201-5-2 pdf 83] ―――――

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                                          附属書E
                                          (規定)
          強磁界環境下での使用に適した近接スイッチの追加要求事項
E.1   一般
  この附属書で規定していない事項は,この規格の本体及び他の附属書による。
E.1.2 適用範囲及び目的
  この附属書は,強磁界環境,例えば,電気溶接環境(通常は交流磁界)又は電気分解環境(通常は直流
磁界)で動作する近接スイッチに適用する。
  この附属書は,強磁界環境下で動作する近接スイッチに関し,その性能及び試験条件について規定する
ことを目的とする。
E.2   定義
E.2.5
磁界
  この規格における磁界は,磁束密度の値で定義する。
  この値は,テスラ(T)(V・s/m2)で記載する。
E.2.5.1
交流磁界
  磁束密度のピーク値を用い,基本周波数(f)を45 Hz65 Hzとする交流の磁束密度による磁界。
E.2.5.2
直流磁界
  磁束密度の平均値を用い,全リップルが±5 %を許容する,ある時間一定の値をとる磁束密度による磁
界。
E.2.5.3
強度
E.2.5.3.1
交流磁界に対する強度
  特定の環境下において,その出力が交流磁界の影響によって反転しない,交流磁界に対する近接スイッ
チの耐性。
E.2.5.3.2
直流磁界に対する強度
  直流磁界の影響によって,実効動作距離が規定された値よりも大きくならない,直流磁界に対する近接
スイッチの耐性。
E.3   分類
  表1で規定した第6位の後に,次の分類を追加する。

――――― [JIS C 8201-5-2 pdf 84] ―――――

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C 8201-5-2 : 2017 (IEC 60947-5-2 : 2012)
E.3.7 影響を与える磁界の種類による分類
E.3.7.1 交流磁界に対する強度
  交流磁界に対する強度は,英大文字Xで示し,第7位に置く。
E.3.7.2 直流磁界に対する強度
  直流磁界に対する強度は,英大文字Yで示し,第7位に置く。
E.3.7.3 交流磁界及び直流磁界に対する強度
  両タイプの磁界に対する強度は,英大文字Zで示し,第7位に置く。
E.7   構造及び性能に対する要求事項
E.7.2.1.6 動作サイクル周波数
E.7.2.1.6.1 誘導形及び静電容量形近接スイッチ
  動作サイクル周波数は,8.5による方法で測定し,製造業者が表示しなければならない。
E.7.5 磁界に対する強度
  次の値を適用しなければならない。
a) 交流磁界の最大値 磁束密度 : 00.1 Tピーク値
b) 直流磁界 磁束密度 : 00.1 T平均値
E.7.5.1 性能
E.7.5.1.1 交流磁界環境
  近接スイッチは,E.8.9.1に従った試験において,出力状態が変化してはならない。
E.7.5.1.2 直流磁界環境
  誘導形及び静電容量形近接スイッチに関しては,7.2.1.3.1に次の項目を追加する。
  実効動作距離は,磁界の影響によって,規定値の範囲から±30 %以下でなければならない。
  試験は,E.8.9.2に従って行う。
E.8   試験
E.8.9 強度の検証
E.8.9.1 交流磁界に対する強度
E.8.9.1.1 検査及び試験順序(図E.1参照)
    注記 他の試験構成については,別途規定してもよい。
  試験は,次に従って行う。
a) 磁界計測のためのセンサ(1)は,空心インダクタ(4)の中心にくるように取り付けるのが望ましい。
b) 空心インダクタ(4)には,オシロスコープ(3)に0.1 Tの磁束密度のピーク値が現れるまで交流電
    流(A)を流さなければならない。
      電流値Irefを記録しなければならない。
      注記 Irefの値を調整するために,30°までの位相制御を行うことができる。
c) センサ(1)を取り除き,近接スイッチ(I)を空心インダクタの中に取り付ける。このとき,近接セ
    ンサの中心軸が空心インダクタ(4)の中心軸方向と同一になるようにし,近接スイッチの検出面が空
    心インダクタの長さの半分の位置(L/2)にくるようにする。
      試験は,近接スイッチの向きが磁界に対して一致する方向及び垂直方向に行うことが望ましい。
d) 空心インダクタ(4)には,約t秒間(3/f相当),電流値Irefを与えなければならない。ただし,tは0.1

――――― [JIS C 8201-5-2 pdf 85] ―――――

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