JIS H 0611:1994 シリコンウェーハの厚さ,厚さむら及びボウの測定方法

JIS H 0611:1994 規格概要

この規格 H0611は、シリコン単結晶ウェーハの厚さ,厚さむら及びボウの測定方法について規定。

JISH0611 規格全文情報

規格番号
JIS H0611 
規格名称
シリコンウェーハの厚さ,厚さむら及びボウの測定方法
規格名称英語訳
Methods of measurement of thickness, thickness variation and bow for silicon wafer
制定年月日
1971年10月1日
最新改正日
2015年10月20日
JIS 閲覧
‐ 
対応国際規格

ISO

国際規格分類

ICS

29.045, 77.120.99
主務大臣
経済産業
JISハンドブック
‐ 
改訂:履歴
1971-10-01 制定日, 1974-10-01 確認日, 1978-02-01 確認日, 1983-10-01 確認日, 1988-12-01 確認日, 1994-01-01 改正日, 2001-09-20 確認日, 2006-01-20 確認日, 2010-10-01 確認日, 2015-10-20 確認
ページ
JIS H 0611:1994 PDF [4]
                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
H 0611-1994

シリコンウェーハの厚さ,厚さむら及びボウの測定方法

Methods of measurement of thickness, thickness variation and bow for silicon wafer

1. 適用範囲 この規格は,シリコン単結晶ウェーハ(以下,ウェーハという。)の厚さ,厚さむら及びボ
ウの測定方法について規定する。
備考 この規格の引用規格を,次に示す。
JIS B 7503 ダイヤルゲージ
JIS B 7536 電気マイクロメータ
JIS B 9920 クリーンルーム中における浮遊微粒子の濃度測定方法及びクリーンルームの空気清浄度
の評価方法
2. 用語の定義 この規格で用いる主な用語の定義は,次による。
(1) 厚さ ウェーハの表面,裏面の相対位置の間の距離。
(2) 厚さむら ウェーハ面内の多数の点の厚さ測定値中の最大値と最小値との差。
備考 この規格では,7.2で規定する5点の測定値の最大値と最小値との差で表示する。
(3) おもて面 ウェーハに表裏の区別がある場合,デバイスが作り込まれる側の面。
(4) ボウ (bow) ウェーハの中央部で評価した反りの量。ウェーハの表面と裏面からの等距離点を結んだ
中間面の凹凸の変位。
備考 この規格では,ウェーハ面の中央位置での凹凸の変位で表示する。
3. 測定環境 測定環境は,清浄度がJIS B 9920に規定するクラス7,又はそれ以上の清浄な雰囲気で行
う。
測定の許容温度範囲は,2325℃とする。
4. 試料 試料は,円形又はこれに準じるウェーハで,表面が清浄なものとする。
5. 厚さ及び厚さむらの測定用具
5.1 測定器 接触式測定器は,JIS B 7536に規定の電気マイクロメータ,JIS B 7503に規定のダイヤルゲ
ージ又はデジタルゲージで目盛が1 罵 する。
非接触測定器は,静電容量方式,超音波方式,オプトマイクロメータ方式などの装置を使用する。

――――― [JIS H 0611 pdf 1] ―――――

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H 0611-1994
5.2 測定台 接触式の測定台は,直径8mm以下の平面アンビル,又は半径3.5mm以上の球面アンビル
とする。
非接触式の測定台は,測定器附属のウェーハ保持台とする。
6. ボウの測定用具
6.1 測定器 測定器は,5.1に規定の接触式測定器で目盛が1 測定圧784mN以下のものを使用する。
6.2 測定台 測定台は,図1のような構造の三球座,又はこれに準じる構造のものを使用する。
球座直径は,ウェーハの公称直径より6mm小さい直径とする。
図1 三球座
7. 測定位置
7.1 ウェーハの厚さ ウェーハの厚さは,ウェーハの中心点で測定する。
7.2 厚さむら 厚さむらの測定は,次のいずれかによる。
(1) ウェーハのオリエンテーションフラット面に平行な直径と,これに直交する直径上の外周から5 mm
内側の4点及び中心点の合計5点とする[図2(1)参照]。
(2) おもて面のオリエンテーションフラット面に垂直な直径に対し30°の傾斜をもつ直径とこれに垂直
な直径上の外周から6mm内側の4点及び中心点の合計5点とする[図2(2)参照]。
(3) オリエンテーションフラットやマークがない場合は,任意の直交直径上の外周から5mm内側の4点
と中心点の合計5点とする。

――――― [JIS H 0611 pdf 2] ―――――

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H 0611-1994
図2 測定位置
8. 測定操作
8.1 厚さ及び厚さむら 接触式測定器の場合は,図3のように測定アンビルの上にウェーハを置き,ウ
ェーハに測定子を当て 定する。
非接触式測定器の場合は,測定器を規定された手順で調整後 定する。
図3 厚さ及び厚さむらの測定図
8.2 ボウ ボウは,測定台の中心が測定子先端と一致するように,又は三球座を結ぶ一辺が測定者に平
行に近接するように固定する。ウェーハのオリエンテーションフラットが測定者に近接平行になる方向で
測定台の中心におもて面を上にしてウェーハを置き,ウェーハの中心高さXを 定する。次に,
ウェーハをオリエンテーションフラットが同じ側になるように裏返し,両面の球座接点が相対するような
位置に置き,裏面の中心の高さYを 定する(図4参照)。
ボウB( は,次の式によって算出する。
(X Y)
B
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――――― [JIS H 0611 pdf 3] ―――――

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H 0611-1994
図4 ボウの測定図
JIS改正原案作成委員会 構成表
氏名 所属
(委員長) 水 間 基一郎 三菱マテリアルシリコン株式会社
徳 丸 洋 三 中央大学
垂 井 康 夫 東京農工大学
新 井 敏 弘 筑波大学
三 宅 信 弘 通商産業省機械情報産業局
稲 葉 裕 俊 工業技術院標準部
高 須 新一郎 東芝セラミックス株式会社
河 野 光 雄 小松電子金属株式会社
中 村 由 樹 ニッテツ電子株式会社
南 秀 旻 三菱マテリアルシリコン株式会社
白 井 省 三 信越半導体株式会社
宮 内 慎 九州電子金属株式会社
佐々木 健 太 ヒュルスジャパン株式会社
中 西 俊 郎 株式会社富士通研究所
宮 武 久 和 シャープ株式会社
大 村 雅 紀
小 林 則 夫 株式会社東芝
清 水 博 文 株式会社日立製作所
日下部 兼 治 三菱電機株式会社
八 木 俊 直 松下電子工業株式会社
豊 川 文 敏 日本電気株式会社
安 楽 一 宏 沖電気工業株式会社
(事務局) 宮 下 敏 也 社団法人日本電子工業振興協会

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