JIS H 0616:2024 室温フーリエ変換赤外吸収分光法によるシリコン単結晶の低濃度置換型炭素濃度の測定方法 

JISH0616:2024の概要

JIS H 0616:2024の規格概要

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室温フーリエ変換赤外吸収分光法によるシリコン単結晶の低濃度置換型炭素濃度の測定方法について規定。炭素原子が5×1014 atoms/cm3(0.01 ppma)~5×1015 atoms/cm3(0.1 ppma)の濃度範囲の測定に適用可能である。この規格による測定方法は,生産管理,材料研究,品質保証,及び材料承認に適用性がある。

JISH0616:2024 規格全文情報

規格番号
JIS H 0616:2024
規格名称
室温フーリエ変換赤外吸収分光法によるシリコン単結晶の低濃度置換型炭素濃度の測定方法 
規格名称英語訳
Test method for low substitutional atomic carbon content of single crystal silicon by Fourier transform infrared absorption spectroscopy at room temperature
規格の状態
有効
公示の種類
制定
公示の種類に関する説明(制定)
  1. 主務大臣が国家規格として必要と認め、新たにJISとして制定するもので、JISの名称及び番号、制定年月日を官報で公示します。
  2. 規格番号の西暦年(コロン(:)の後ろの年)は、制定された年になります。
  3. JISの制定、確認又は改正の日から5年を経過する日までに、それがなお適正であるか見直しが行われ、主務大臣が確認、改正又は廃止を行います。
制定年月日
2024年03月21日
最新改正日:確認日
-
主務大臣
  1. 経済産業
  2. JISは、産業標準化法に基づき、主務大臣が必要と認め制定する国家規格です。
改訂:履歴
2024-03-21 制定日
JIS 閲覧情報
H0616, JIS H 0616
引用JIS規格
K0212:2016
対応国際規格
-
引用国際規格
-
国際規格分類

ICS

29.045,73.080,77.120.99
正誤票・訂正票
-
JISハンドブック
-
ページ
JIS H 0616:2024 PDF [24ページ]

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JISH0616:2024 引用 国際規格 一覧

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