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JISH0617:2024の概要
JIS H 0617:2024の規格概要
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フォトルミネッセンスによるシリコン単結晶中の低炭素不純物濃度の測定方法について規定。格子間酸素濃度が1×1017 atoms/cm3～2×1017 atoms/cm3程度で,導電型がn型で抵抗率が50 Ω・cm程度以上のシリコン単結晶,及び導電型がp型で抵抗率が1 kΩ・cm程度以上のシリコン単結晶に適用可能である。測定濃度範囲は1×1014 atoms/cm3～3×1015 atoms/cm3(2 ppba～60 ppba)である。
JISH0617:2024 規格全文情報
- 規格番号
- JIS H 0617:2024
- 規格名称
- フォトルミネッセンスによるシリコン単結晶中の低炭素不純物濃度測定方法
- 規格名称英語訳
- Test method for determination of low carbon impurity concentration in silicon single crystals by photoluminescence spectroscopy
- 規格の状態
- 有効
- 公示の種類
- 制定
- 公示の種類に関する説明（制定）
- 主務大臣が国家規格として必要と認め、新たにJISとして制定するもので、JISの名称及び番号、制定年月日を官報で公示します。
- 規格番号の西暦年（コロン(：)の後ろの年）は、制定された年になります。
- JISの制定、確認又は改正の日から5年を経過する日までに、それがなお適正であるか見直しが行われ、主務大臣が確認、改正又は廃止を行います。
- 制定年月日
- 2024年03月21日
- 最新改正日：確認日
- -
- 主務大臣
- 経済産業
- JISは、産業標準化法に基づき、主務大臣が必要と認め制定する国家規格です。
- 改訂:履歴
- 2024-03-21 制定日
- JIS 閲覧情報
- H0617, JIS H 0617
- 引用JIS規格
- H0615
- 対応国際規格
- -
- 引用国際規格
- -
- 国際規格分類
ICS
- 29.045,73.080,77.120.99
- 正誤票・訂正票
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- JISハンドブック
- -
- ページ
- JIS H 0617:2024 PDF [22ページ]
JISH0617:2024 改訂 履歴 一覧
- JIS H 0617:2024
- フォトルミネッセンスによるシリコン単結晶中の低炭素不純物濃度測定方法
JISH0617:2024 関連規格と引用規格一覧
- JIS H 0615:1996
- フォトルミネッセンスによるシリコン結晶中の不純物濃度測定方法
- JIS H 0615:2021
- フォトルミネッセンスによるシリコン結晶中の不純物濃度測定方法