JIS K 0164:2010 表面化学分析―二次イオン質量分析法―シリコン内のボロンの深さ方向分布測定方法 | ページ 3

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A.6 統計分析結果
A.6.1 全機関の溝の深さの測定値から求めた平均値,繰返し性及び再現性を,表A.1に示す。
  なお,レベル3の測定値では,A.5.1の解析によって外れ値と判定された1機関の値を除外してある。
                              表A.1−深さ測定の繰返し性及び再現性
         レベル         機関数            平均値             Sr               SR
                          件                μm              μm              μm
            1             20               2.32           4.98×10−3      1.99×10−2
            2             20               0.27           2.26×10−3      3.94×10−3
            3             14               0.029          7.76×10−4      7.98×10−4
参考文献
JIS K 0147 表面化学分析−用語
JIS Z 8402-2 測定方法及び測定結果の精確さ(真度及び精度)−第2部 : 標準測定方法の併行精度及び再
    現精度を求めるための基本的方法
    注記 対応国際規格 : ISO 5725-2:1994,Accuracy (trueness and precision)   f measurement methods and
          results−Part 2: Basic method for the determination of repeatability and reproducibility of a standard
          measurement method(IDT)
TS K 0012 表面化学分析−深さ方向分布測定−スパッタ深さ測定方法
[1] SEAH, M. P.: Channel Electron Multipliers−Quantitative Intensity Measurement Efficiency, Gain, Linearity
      and Bias Effects, J. Electron Spectrosco. Relat. Phenom., 50, pp.137-157 (1990)
[2] SEAH, M. P. and TOSA, M.: Linearity in Electron Counting and Detection Systems, Surf. Int. Anal., 18,
      pp.240-246 (1992)

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                                                                                                                                                  2
                                                                 附属書JA
                                                                                                                                                  16
                                                                  (参考)
                                                                                                                                                    4 : 2
                                                    JISと対応国際規格との対比表
                                                                                                                                                        010
                                                                           ISO 17560:2002 Surface chemical analysis−Secondary-ion mass spectrometry
     JIS K 0164:2010 表面化学分析−二次イオン質量分析法−シリコン内のボロンの深
     さ方向分布測定方法                                                    −Method for depth profiling of boron in silicon
     (I)   JISの規定                 (II)     (III)国際規格の規定             (IV)   JISと国際規格との技術的差異の箇条(V)   JISと国際規格との技術的差
                                  国際規格                                 ごとの評価及びその内容               異の理由及び今後の対策
     箇条番号         内容        番号     箇条番号          内容          箇条ごと       技術的差異の内容
     及び題名                                                              の評価
     8.4.3      細分箇条として規定         8.4.2     注記1                 変更      規定とした。                           −
                                                                                     技術的差異はない。
     8.4.4      細分箇条として規定         8.4.2     注記2                 変更      規定とした。                           −
                                                                                     技術的差異はない。
     8.5.4      細分箇条として規定         8.5.3     注記                  変更      規定とした。                           −
                                                                                     技術的差異はない。
     JISと国際規格との対応の程度の全体評価 : ISO 17560:2002,MOD
     注記1 箇条ごとの評価欄の用語の意味は,次による。
          − 変更·················· 国際規格の規定内容を変更している。
     注記2 JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は,次による。
          − MOD··············· 国際規格を修正している。