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R 1660-3 : 2004
ここに, 電力半値幅 (Hz)
IA1 : 挿入損失 (dB)
2) E02δモード共振器の無負荷Q (Quδ) E02 準円柱の無負荷Q (Qu で計算し,有効数
字を3けた以上求める。
f
Δf
Qu IA (7)
20
110
ここに, f TE02 準円柱の共振周波数 (Hz)
曰 電力半値幅 (Hz)
IA 挿入損失 (dB)
3) E021標準円柱の電界エネルギー集中率 (Pe1) 及び形状因子 (G1) e1は,TE021モード標準共振器全
体に蓄積される電界エネルギーに対する,TE021標準円柱内に蓄積される電界エネルギーの比とす
る。また,G1はTE021モード共振器全体に蓄積される磁界エネルギーに対する,導体表面における
磁界接線成分の表面積分値の比とする。無負荷Q (Qu1)とPe1,誘電正接tan G1及び共振周波数f1
における短絡導体の表面抵抗Rs1には,次の式で示される関係がある。
1 Rs1
Pel tan
1
(pdf 一覧ページ番号 )
Q u1
G1
TE021標準円柱の寸法が±0.01 mmの精度で表4に示した値に一致し,C軸に垂直な比誘電率 が
9.3< <9.5の場合,表4に示すPe1及びG1を使用してもよい。その他の場合は,次の手順でPe1及び
G1を計算し,有効数字3けたまで求める。
3.1) E021標準円柱のW
2 2
J1 u K0 v K2 v K1 v
W 2 2 (9)
K1 v J1 u J0 u J2 u
ここに, W : WはTE021標準円柱の内側に蓄積される電界エネルギーに対す
る。外側に蓄積される電界エネルギーの比を表す。Pe1及びG1
を計算するためのパラメータ
痿 式(4)によるパラメータ
v : 式(2)及び式(3) によるパラメータ
K2 (v) : 2次の第2種変形ベッセル関数
J2 (u) : 2次の第1種ベッセル関数
3.2) E021標準円柱のA
1W
A (10)
ここに, A : Pe1及びG1を計算するためのパラメータ
3.3) E021標準円柱のB
Hc>Hの場合
――――― [JIS R 1660-3 pdf 11] ―――――
10
R 1660-3 : 2004
3
0
1 W
B 2
(pdf 一覧ページ番号 )
2Hc 30
Hc<Hの場合
3
0
1 W
B 2 (12)
2H 30
ここに, B : G1を計算するためのパラメータ
3.4) E021標準円柱の電界エネルギー集中率(Pe1)
Pe1 1/ A (13)
3.5) E021標準円柱の形状因子(G1)
G1 BA/ (14)
4) E02 準円柱の電界エネルギー集中率(Pe び形状因子(G TE02 ード標準円柱の電界
‰
ネルギー集中率とする。また,G TE02 ード標準円柱の形状因子とする。無負荷Q(Qu
誘電正接tan G び共振周波数f 護 絡導体の表面抵抗Rs 次の式で示される関係
がある。
1 Rs
Pe tan (15)
Qu G
Pe びG 表4に示す値を用いる。なお,TE0m 準円柱の寸法は±0.01 mmの精度で,表4
に示した値に一致しなければならない。
5) 比導電率 短絡導体板の比導電率は次の手順で計算し,有効数字3けたまで求める。
5.1) 短絡導体板の導電率 (
2
QQu1u
GP1 e1f1 GPe f
ff
1 (16)
GG1
QPf
u1e1 1
QPf
u e
ここに, 短絡導体の透磁率
参考 短絡導体板として使用する銅や銀の透磁率は,真空の透磁率( 10-7H/m)に等しい。
5.2) 短絡導体板の比導電率(
r
(pdf 一覧ページ番号 )
0
ここに, IEC 60028に規定する国際標準軟銅の20 ℃における導電率
(5.8×107 S/m)
6) 比導電率の誤差 短絡導体板の比導電率の誤差は次の手順で算出し,有効数字3けたまで求める。
2 2 2
r Qu1 Qu (18)
ΔQu1 ΔQu1 Qu1 Qu1Qu1 (19)
Qu1
――――― [JIS R 1660-3 pdf 12] ―――――
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R 1660-3 : 2004
ΔQu ΔQu Qu Qu Qu (20)
Qu
ここに, 爰 差
儀 Qu1の標準偏差 儀 到 差
儀痰 Qu 準偏差 儀痰 爰 差
9. 試験試料の比誘電率及び誘電正接の測定
9.1 試験試料
試料は円柱とし,その上下面を平行に,かつ,円柱軸に垂直になるように研磨する。
9.2 試験試料の寸法設計
試験試料の高さHの設計値は5565 GHzの測定においてはH=2.25 mm,75
80 GHzにおいてはH=1.80 mmとする。60 GHz,77 GHz測定におけるTE011,TE021及びTE031モードの
試料直径Dは,概略の比誘電率( 替 図8,図9,表5及び表6を使用して求める。また,次の手
順で概略の ‰ 替 測定周波数f0におけるTE0m1モードの試料直径を求めてもよい。
a) 試験試料直径の設計
J0 u K0 v
u v (21)
J1 u K1 v
ここに, 2 D2 2
u : u ( ) 2( 0) (22)
0 H
2 D2 2
v ( ) 2( 0 ) 1 (23)
0 H
v),K1 (v) : 0次,1次の第2種変形ベッセル関数
J0 (u),J1 (u) : 0次,1次の第1種変形ベッセル関数
λ0 : 共振波長 c
0
f0
参考 任意のvに対して複数個のuの解が存在し,TE0m1モードの解をumとすると,u1<u2<···<um<···
である。また,umは u0mu1mの範囲に存在する。u0m,u1mはJ0(u)=0,J1(u)=0を満足するm番
目の解であり,u01=2.41,u11=3.83,u02=5.52,u12=7.02,u03=8.65,u13=10.17である。
――――― [JIS R 1660-3 pdf 13] ―――――
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8
7 D
6
H=2.25 mm
mm)
5
直径 D(
4
3 TE031
2 TE021
TE011
1
0
0 10 20 30 40
比誘電率
図 8 60 GHz測定用の試験試料の寸法
表 5 60 GHz測定用の試験試料の直径D (高さH=2.25 mm)
D D
mm mm
TE011 TE021 TE031 TE011 TE021 TE031
2.0 5.051 10.811 16.540 12.0 1.200 2.722 4.247
2.5 3.802 8.276 12.732 14.0 1.098 2.495 3.895
3.0 3.158 6.943 10.715 16.0 1.019 2.317 3.619
3.5 2.753 6.091 9.421 18.0 0.954 2.172 3.393
4.0 2.469 5.488 8.501 20.0 0.900 2.051 3.205
5.0 2.090 4.674 7.256 25.0 0.797 1.819 2.845
6.0 1.843 4.138 6.432 30.0 0.723 1.652 2.583
8.0 1.530 3.454 5.378 35.0 0.667 1.523 2.383
10.0 1.336 3.024 4.714 40.0 0.621 1.420 2.223
――――― [JIS R 1660-3 pdf 14] ―――――
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R 1660-3 : 2004
8
7
D
6
mm)
5 H=1.80 mm
直径 D(
4
3
TE031
2
TE021
1
TE011
0
0 10 20 30 40
比誘電率
図 9 77 GHz測定用の試験試料の寸法
表 6 77 GHz測定用の試験試料の直径D (高さH=1.80 mm)
D D
mm mm
TE011 TE021 TE031 TE011 TE021 TE031
2.0 3.683 7.992 12.282 12.0 0.927 2.108 3.292
2.5 2.831 6.230 9.617 14.0 0.849 1.934 3.022
3.0 2.376 5.270 8.157 16.0 0.788 1.797 2.808
3.5 2.084 4.646 7.204 18.0 0.739 1.685 2.635
4.0 1.877 4.200 6.520 20.0 0.697 1.592 2.489
5.0 1.597 3.591 5.585 25.0 0.618 1.413 2.211
6.0 1.412 3.186 4.961 30.0 0.561 1.283 2.008
8.0 1.177 2.667 4.160 35.0 0.517 1.184 1.853
10.0 1.030 2.339 3.651 40.0 0.483 1.104 1.729
9.3 試験試料の比誘電率及び誘電正接の測定条件
短絡導体板の表面状態が8.における比導電率の測定
時に比べて変化している場合は,再度比導電率を測定する。
9.4 試験試料の比誘電率及び誘電正接の測定手順
試験試料の比誘電率及び誘電正接の測定手順は,次
による。
a) 図4 c) に示すように基準レベル測定用の誘電体ストリップをジグに装着し,図3の試験装置に接続す
る。試験試料の測定周波数を中心に12 GHzの周波数範囲で透過減衰量を測定し,基準レベル(全
透過レベル)とする。
b) 試験試料の直径Dと高さHとを,JIS B 7502に規定するマイクロメータなどを用いて,1
まで測定する。
――――― [JIS R 1660-3 pdf 15] ―――――
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JIS R 1660-3:2004の国際規格 ICS 分類一覧
- 81 : ガラス及びセラミック工業 > 81.060 : セラミックス > 81.060.30 : ニューセラミックス
JIS R 1660-3:2004の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISB0601:2013
- 製品の幾何特性仕様(GPS)―表面性状:輪郭曲線方式―用語,定義及び表面性状パラメータ
- JISB7502:2016
- マイクロメータ
- JISR1600:2011
- ファインセラミックス関連用語
- JISR1660-1:2004
- ファインセラミックスのミリ波帯における誘電特性測定方法―第1部:遮断円筒導波管方法