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R 1660-3 : 2004
c) 図4 b)に示すように,試験試料を短絡導体の中央に置く。試料と左右の誘電体ストリップとの距離が
互いに等しくなるように注意する。
d) 上部短絡導体を装着する。上下の短絡導体の間隔と試験試料の高さとは同じ値に設計されているが,
試験試料の実際の高さがわずかに大きい場合は,上部短絡導体の表面にきずを付けないように,注意
して装着する。
e) ネットワークアナライザの画面上で,TE021モードの共振ピークを見つける。
f) 周波数掃引幅を狭くしてTE0m1モードの共振ピークだけを画面上に表示し,入出力NRDガイドの間隔
を調整して,挿入損失IA0を1530 dBにする(図7参照)。このときの共振周波数f0(Hz),電力半値
幅 Hz)及び挿入損失IA0(dB)を測定する。f0(Hz)は5けた以上, Hz),IA0(dB) は3けた以上測定す
る。さらに,試験試料を装着し直すことによって数回の測定を行い,平均値及び標準偏差を算出する。
9.5 試験試料の比誘電率及び誘電正接の計算
9.5.1 比誘電率の計算 比誘電率は次の手順で計算し,有効数字4けた以上を求める。
a) 共振波長(
c
泰
0
(pdf 一覧ページ番号 )
f0
ここに, f0 : 共振周波数 (Hz)
真空中の光速(c=2.997 9×108 m/s)
b) 2
Hc>Hの場合
2 2
2 D 0
v 1 (25)
0
2Hc
Hc<Hの場合
2 2
2 D 0
v 1 (26)
0
2H
ここに, v2 : 比誘電率を計算するためのパラメータ
試験試料の直径 (m)
Hc : 短絡導体間隔 (m)
H : 試験試料の高さ (m)
c) u
J0 u K0 v
u v (27)
J1 u K1 v
ここに, U : 比誘電率を計算するためのパラメータ
v) : 0次の第2種変形ベッセル関数
K1 (v) : 1次の第2種変形ベッセル関数
J0 (u) : 0次の第1種変形ベッセル関数
J1 (u) : 1次の第1種変形ベッセル関数
参考 任意のvに対して複数個のuの解が存在し,TE0m1モードの解をumとすると,u1<u2<···<um<···
である。また,umは u0mu1mの範囲に存在する。u0m,u1mはJ0(u)=0,J1(u)=0を満足するm番
――――― [JIS R 1660-3 pdf 16] ―――――
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R 1660-3 : 2004
目の解であり,u01=2.41,u11=3.83,u02=5.52,u12=7.02,u03=8.65,u13=10.17である。
d) 比誘電率 ( )
2
0
u
2
v
2
1 (28)
D
9.5.2 比誘電率の誤差の計算 比誘電率の誤差は,次の手順で計算する。
Hc>Hの場合
2 2 2
Δ Δ D ΔHc Δ 0f (29)
Hc<Hの場合
2 2 2
Δ Δ D ΔH Δ 0f (30)
ここに, : ‰ 差
D
D D D D
(pdf 一覧ページ番号 )
D
Δ Hc
ΔHc Hc
ΔHc Hc (32)
Hc
0
Δ f Δf f f0Δf
f ・・・・・・・・・・・・・・・ (33)
D : Dの標準偏差 の誤差
Hc : Hcの標準偏差 の誤差
f : f0の標準偏差 の誤差
9.5.3 誘電正接(tanδ)の計算 誘電正接は次の手順で計算し,有効数字3けた以上を求める。
a) 試験試料の無負荷Q (Qu)
f0
Δf0
Qu IA0 (34)
20
110
b) 試験試料のW
2 2
j1 u K0 v K2 v K1 v
W 2 2 (35)
K1 v j1 u J0 u J2 u
ここに, W : 誘電正接を計算するためのパラメータ
U : 式(27)によるパラメータ
V : 式(25)及び式(26)によるパラメータ
K2 (v) : 2次の第2種変形ベッセル関数
J2 (u) : 2次の第1種ベッセル関数
――――― [JIS R 1660-3 pdf 17] ―――――
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R 1660-3 : 2004
c) 試験試料のA
1W
A (36)
ここに, A : 誘電正接を計算するためのパラメータ
d) 試験試料のB
Hc>Hの場合
3
0
1 W
B 2
(pdf 一覧ページ番号 )
2Hc 30
Hc<Hの場合
3
1 W
B 0
(pdf 一覧ページ番号 )
2H 30 2
'
ここに, B : 誘電正接を計算するためのパラメータ
e) 表面抵抗Rs
f0
Rs 圀 (39)
ここに, 式(16)で求めた短絡導体の実効導電率(1/圀
f0 : 共振周波数(Hz)
短絡導体の透磁率
参考 短絡導体として使用する銅や銀の透磁率は,真空の透磁率 ( 107) に等しい。
f) 試験試料の誘電正接(tan
A B
tan (40)
Qu Rs
9.5.4 誘電正接(tanδ)の誤差の計算 誘電正接の誤差は,次の手順で計算する。
2 2 (41)
Δtan Δtan Q Δtan
tan (42)
tan Q
ΔQu tan Qu
tan Qu ΔQu
Qu
tan
Δtan Δ tan tan (43)
ここに, 愀 tan ‰ 差
愀 Quの標準偏差 儀田 謀愀 ‰ 差
愀 準偏差 謀愀 ‰ 差
10. 報告
測定結果の報告には,次の事項を記載する。
a) 試験試料の判別記号
――――― [JIS R 1660-3 pdf 18] ―――――
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R 1660-3 : 2004
b) 試験試料の寸法
c) 試験条件(温度,湿度)
d) 測定周波数(f0)
e) 比誘電率(
f) 誘電正接(tan
JIS R 1660-3:2004の国際規格 ICS 分類一覧
- 81 : ガラス及びセラミック工業 > 81.060 : セラミックス > 81.060.30 : ニューセラミックス
JIS R 1660-3:2004の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISB0601:2013
- 製品の幾何特性仕様(GPS)―表面性状:輪郭曲線方式―用語,定義及び表面性状パラメータ
- JISB7502:2016
- マイクロメータ
- JISR1600:2011
- ファインセラミックス関連用語
- JISR1660-1:2004
- ファインセラミックスのミリ波帯における誘電特性測定方法―第1部:遮断円筒導波管方法