JIS X 6305-1:2010 識別カードの試験方法―第１部：一般的特性 | ページ 5

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                                                            X 6305-1 : 2010 (ISO/IEC 10373-1 : 2006)
                                                                                      単位 mm
                       図16−温度の影響を受ける前のつかみ装置内のカード
  カードをセットしたつかみ装置を基本規格に示される温度及び湿度条件の恒温槽内に4時間放置する。
  50 ℃以上の温度では,恒温槽に技術的限界があるために,湿度管理はしなくてもよい。
  供試カードは,恒温槽内の気流にさらさない。
  試験の終わりに,カードを固定したつかみ装置を恒温槽から取り出す。
  4.1で規定する試験環境下で少なくとも30分放置した後,図17に示すようにh2を測定する。
                       図17−温度の影響を受けた後のつかみ装置内のカード
  ΔhFを,次の式で計算する。
                        ΔhF=h1−h2
  品質が同じ別のカードを使って,裏面を上向きにして固定し,これまでの手順をすべて繰り返す。
  ΔhBを,次の式で計算する。
                        ΔhB=h1−h2
  たわみの最大値Δhを,次の式で計算する。
                        Δh=Maximum(|ΔhF|,|ΔhB|)

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X 6305-1 : 2010 (ISO/IEC 10373-1 : 2006)
  層間はく離又は変色がないか,カードを目視で検査する。
5.15.3 試験報告書
  試験報告書には,たわみの最大値Δh,供試カードに層間はく離及び変色が見られたかどうかを記録する。

5.16 外観ゆが(歪)み及び盛上がり

  外観ゆが(歪)み及び盛上がり(エンボス文字を除く。)は,JIS X 6305-2 の磁気ストライプの盛上がり
高さ及び断面形状に示されているのと同じ装置及び手順で,測定する。