JIS X 6305-1:2010 識別カードの試験方法―第１部：一般的特性 | ページ 4

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X 6305-1 : 2010 (ISO/IEC 10373-1 : 2006)
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                                      図12−ねじり試験機
5.9.2  試験手順
  試験前に4.2に従って供試カードを事前調整し,4.1で規定する試験環境下で試験を実施する。
  供試カードは,二つのガイドレールの溝に緩やかに保持し,間隔dを調整してカードの短辺が中心位置
に対して±αまでの角度で相対的にねじれるように,図12に示すねじり試験機に位置決めする。
  試験周波数を0.5 Hz,ねじり角度を15°±1°に設定し,基本規格で規定するねじりサイクル数又はね
じりサイクル数が規定されていない場合は,1 000サイクルねじる。
  試験の開始及び終了時にカードが機能残存(3.2参照)かどうかを確認する。また,これは基本規格で規
定するねじりサイクル数の1/4を終了した後に確認してもよい。
                                     図13−力サイクル関数
5.9.3  試験報告書
  試験報告書には,試験の終了時にカードが機能残存(3.2参照)かどうかを記録する。

5.10 不透過度

  不透過度を測定するために二つの試験方法を定義する。これは,カード取扱装置で使用している検出手

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段をより直接的に説明するための,基本規格内の方式の変更予定によって生じたものである。使用者は,
供試カードが適合する基本規格にとって,適切な試験方法だけを使わなければならない。
5.10.1 JIS X 6301:2005を含むJIS X 6301の旧版に適合するための不透過度
  この試験は,供試カードの所定領域の不透過度を評価することを目的とする。
    注記 この試験は,光源と受光素子との間における透過光の減衰によって,カードの有無を検出する
          場合に適用する。
5.10.1.1 試験装置
  口径8 mm,スペクトル範囲400 nm1 000 nmで,不透過度を測定可能な積分球形光拡散室を内蔵する
分光光度計を用いる。
5.10.1.2 試験手順
  試験前に4.2に従って供試カードを事前調整し,4.1で規定する試験環境下で試験を実施する。
  試験装置を校正する。
  供試カードを積分球の開口部に最も近い位置に置く(ある試験装置は,全光放射モードとする。)。
  基本規格で規定する領域内で,波長範囲400 nm1 000 nmにわたり,波長20 nm間隔で不透過度を測定
し,最低値を記録する。
    注記 測定位置をあらかじめ決めておくと,不透過度の最低値を見つけるための測定回数を減らすこ
          とができる。
5.10.1.3 試験報告書
  試験報告書には,不透過度の最低値,測定波長範囲,及びその測定位置を記録する。
5.10.2 JIS X 6301:2005より新しいJIS X 6301に適合するための不透過度
  この試験は,供試カードの基本規格で規定する領域の不透過度を光源と受光素子との間における透過光
の減衰によって,カードの有無を検出する装置に使用されている代表的な二つの赤外(IR)波長領域で評価
することを目的とする。
    注記 現時点で最も一般的な赤外光源は,GaAlAs[ガリウムアルミニウムひ(砒)素]又はGaAs[ガ
          リウムひ(砒)素]ダイオード(LED)であり,それぞれ860 nm及び950 nmの波長領域で最大
          の赤外光を出力する。
5.10.2.1 試験装置
a) 赤外LED光源と受光素子との組合せ仕様は,次のとおりとする。
                                                    波長
                                                    近赤外領域   遠赤外領域
                     最小LED発光出力 (mW)           5            5
                     LEDピーク発光波長 (nm)         860±10      950±10
                     LEDスペクトル半値幅 (nm)       50           50
                     受光素子ピーク感度波長 (nm)    900          900
b) 赤外LED及び受光素子のための開口部をもち赤外光を遮へい(蔽)する遮光材を,図14に示す。

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                                図14−赤外LED,受光素子配置図
c) 赤外LEDと受光素子とは,円すい(錐)角±5°以内,かつ,±0.25 mm以内の直線状に配置され,
    周囲の光源から遮光される(図14A詳細参照)。
                           図14A−赤外LED,受光素子配置図(詳細)
d) 光源の制御及び受光素子に流れる電流の測定回路は,図15に示す。
      注記 赤外LEDに流れる順電流(IF)が絶対最大定格の90 %を超えないよう抵抗値を選定する。赤外
            LEDと受光素子との間に何も存在しないときの受光素子の電流値は5 mA15 mAが望まし
            い。
                         図15−不透過度測定回路図(二つの波長に適用)

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5.10.2.2 試験手順
  モータ搬送型装置でカードを測定する場合は,個別の測定点間の距離は,試験装置の開口直径の半分以
下とするのが望ましい。連続検出を行う場合の速度は,開口直径を測定装置の応答時間で除した値の0.05
倍以下とするのが望ましい。
5.10.2.2.1 校正
  基本規格で定義されている基準材料ORM7810を,LEDと受光素子との間の,受光素子に最も近い部分
に設置する。センサに流れる電流値Irefを記録する。基準材料ORM7810を移動させ最小電流値を測定する。
校正完了後,基準材料を取り除く。
    注記 基準材料ORM7810は,Eclipse Laboratories, 7732 West 78th Street, Bloomington, MN55439 USA
          <www.eclipselaboratories.com>から入手可能である。
5.10.2.2.2 測定
  試験前に4.2に従って供試カードを事前調整し,4.1で規定する試験環境下で試験を実施する。
  LEDと受光素子との間の,受光素子に最も近い部分に供試カードを設置する。基本規格で規定する領域
内で,受光素子に流れる電流値Icardを測定する。LEDと受光素子との間で供試カードを動かし,受光素子
に流れるIcardの最大値を測定する。
  各々の波長に対し,不透過度比 :  Icard /Irefを記録する。
5.10.2.3 試験報告書
  試験報告書には,各々のLED波長領域における不透過度比の最小値,及びその測定位置を記録する。

5.11 耐紫外線性

  この試験は,供試カードを紫外線にさらす場合の影響を評価することを目的とする。
5.11.1 試験手順
  試験前に4.2に従って供試カードを事前調整し,4.1で規定する試験環境下で試験を実施する。
  供試カードを,試験環境条件を保持しながら波長254 nmの単色光にさらす。
  カードのおもて面をエネルギー総量が0.15 Ws/mm2になるまでさらし,次にカードの裏面を同様にさら
す。
  さらし時間(10分30分)は,次の式によって算出する。
                                                   2
                                        .015 (Ws/mm )
                        さらし時間(s)                2
                                       放射照度 (W/mm  )
    例 0.12 mW/mm2の放射照度では,20分50秒のさらし時間になる。
  試験の終了時にカードが機能残存(3.2参照)かどうかを確認する。
5.11.2 試験報告書
  試験報告書には,試験の終了時にカードが機能残存(3.2参照)かどうかを記録する。

5.12 耐X線性

  この試験は,供試カードをX線にさらした場合の影響を評価することを目的とする。
5.12.1 試験手順
  試験前に4.2に従って供試カードを事前調整し,4.1で規定する試験環境下で試験を実施する。
  カードの両面を,100 kVの加速電圧による基本規格で定めた放射線量のX線照射にさらす。
  さらした後,カードが機能残存(3.2参照)かどうかを確認する。
5.12.2 試験報告書
  試験報告書には,試験の終了時にカードが機能残存(3.2参照)かどうかを記録する。

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5.13 耐静的磁界性

  この試験は,供試カードの静的磁界における影響を評価することを目的とする。
5.13.1 試験手順
  試験前に4.2に従って供試カードを事前調整し,4.1で規定する試験環境下で試験を実施する。
  基本規格で定めた値の静的磁界内に磁界方向がカード面に対し垂直になるように,供試カードを通過さ
せる。通過速度は,200 mm/s250 mm/sとする。
  試験の終了時にカードが機能残存(3.2参照)かどうかを確認する。
5.13.2 試験報告書
  試験報告書には,試験の終了時にカードが機能残存(3.2参照)かどうかを記録する。

5.14 エンボス文字の高さ

  この試験は,供試カードの総高さ(カードの裏面からエンボス文字の最高点までの高さ)及びエンボス
文字の高さを調べることを目的とする。
5.14.1 試験装置
  試験装置は,測定子の直径が3 mm8 mmで,先端が平たんなアンビル及びスピンドルを備えたマイク
ロメータを用いる。
5.14.2 試験手順
  試験前に4.2に従って供試カードを事前調整し,4.1で規定する試験環境下で試験を実施する。
  マイクロメータを用い,3.5 N5.9 Nの測定力でいずれか1文字のエンボス高さを測定する。
  文字の盛上がり高さを,直接測定したカードの総高さの値から,対応する象限で測定した(図2参照)
カードの厚さを差し引くことによって,算出する。
5.14.3 試験報告書
  試験報告書には,カードの総高さ及び各文字の盛上がり高さを記録する。

5.15 耐熱性

  この試験は,カードの構造が要求温度にさらされている間,基本規格の要求事項内で安定しているかど
うかを評価することを目的とする。
  カード完成体の耐熱性は,一定時間にさらした後,そのカードの変形を測定することによって求める。
一定温度でのカードの変形(Δh)は,試験装置にカードのおもて面を上向きに置いた場合の測定値(ΔhF)と,
裏面を上向きに置いた場合の測定値(ΔhB)とのいずれか大きい値とする。
5.15.1 試験装置
  供試カードを確実につかむつかみ装置(図16参照)と,次に規定する温度及び湿度に保持することが可
能な恒温槽とを用いる。
5.15.2 試験手順
  試験前に4.2に従って供試カードを事前調整し,4.1で規定する試験環境下で試験を実施する。
  供試カードのおもて面を上向きにして,短辺全体に沿ってつかむように供試カードをつかみ装置にはめ
込む。
  外部端子付きICカードについては,接点がつかみ装置と反対側になるように置く。図16に示すように
h1を測定する。

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