JIS C 2560-2:2006 フェライト磁心―第２部：試験方法

                                                                                 C 2560-2 : 2006

まえがき

  この規格は,工業標準化法第12条第1項の規定に基づき,社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)/財
団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を制定すべきとの申出があり,日本工
業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格(日本産業規格)である。
  これによって, JIS C 2561:1992は廃止され,この規格に置き換えられる。また,E形フェライト磁心の
製品規格であるJIS C 2514:1989も廃止され,この規格及びJIS C 2560-3:2006に置き換えられる。
  制定に当たっては,日本工業規格(日本産業規格)と国際規格との対比,国際規格に一致した日本工業規格(日本産業規格)の作成及び日
本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために,IEC 60424-1:1999,Ferrite cores−Guide
on the limits of surface irregularities−Part 1: General specification,IEC 61631:2001,Test method for the
mechanical strength of cores made of magnetic oxides,IEC 62044-1:2002,Cores made of soft magnetic materials
−Measuring methods−Part 1: Generic specification,IEC 62044-2:2005,Cores made of soft magnetic materials
−Measuring methods−Part 2: Magnetic properties at low excitation level及びIEC 62044-3:2000,Cores made of
soft magnetic materials−Measuring methods−Part 3: Magnetic properties at high excitation levelを基礎として用
いた。
  この規格の一部が,技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の
実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会
は,このような技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の実用新
案登録出願にかかわる確認について,責任はもたない。
  JIS C 2560-2には,次に示す附属書がある。
    附属書1(規定)ディスアコモデーション
    附属書2(参考)THD試験の測定条件
    附属書3(参考)振幅透磁率測定のための基本回路及び関連装置
    附属書4(参考)パワーロス測定のためのマルチプライング法−基本回路及び関連測定手順
    附属書5(参考)直流磁気特性及びその他の基本的物理的特性の試験方法
    附属書6(参考)ヘッド用フェライト磁心特有の試験方法
    附属書7(規定)機械的強度測定のための磁心の支持方法
    附属書8(参考)JISと対応する国際規格との対比表
  JIS C 2560の規格群には,次に示す部編成がある。
    JIS C 2560-1   第1部 : 通則(予定)
    JIS C 2560-2  第2部 : 試験方法
    JIS C 2560-3-1 第3-1部 : 寸法及び外観−E形フェライト磁心

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――――― [JIS C 2560-2 pdf 1] ―――――

C 2560-2 : 2006

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1. 適用範囲・・・・[1]
•  2. 引用規格・・・・[2]
•  3. 定義・・・・[2]
•  4. 標準試験状態・・・・[3]
•  4.1 一般事項・・・・[4]
•  4.2 標準大気条件(標準状態)・・・・[4]
•  5. 電磁気的試験・・・・[4]
•  5.1 一般事項・・・・[4]
•  5.2 低磁界における磁気特性の測定・・・・[5]
•  5.3 高磁界における磁気特性の測定・・・・[17]
•  6. 機械的強度試験・・・・[23]
•  6.1 装置・・・・[23]
•  6.2 試料・・・・[23]
•  6.3 試験・・・・[23]
•  7. 外観検査・・・・[26]
•  8. 寸法検査・・・・[26]
•  附属書1(規定)ディスアコモデーション・・・・[27]
•  附属書2(参考)THD試験の測定条件・・・・[29]
•  附属書3(参考)振幅透磁率測定のための基本回路及び関連装置・・・・[31]
•  附属書4(参考)パワーロス測定のためのマルチプライング法-基本回路及び関連測定手順・・・・[32]
•  附属書5(参考)直流磁気特性及びその他の基本的物理的特性の試験方法・・・・[35]
•  附属書6(参考)ヘッド用フェライト磁心特有の試験方法・・・・[45]
•  附属書7(規定)機械的強度測定のための磁心の支持方法・・・・[48]
•  附属書8(参考)JISと対応する国際規格との対比表・・・・[49]

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                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                           C 2560-2 : 2006

フェライト磁心−第2部 : 試験方法

Cores made of ferrite-Measuring methods

序文

 この規格は,1999年に第1版として発行されたIEC 60424-1,Ferrite cores−Guide on the limits of
surface irregularities−Part 1: General specification,2001年に第1版として発行されたIEC 61631,Test method
for the mechanical strength of cores made of magnetic oxides,2002年に第1版として発行されたIEC 62044-1,
Cores made of soft magnetic materials−Measuring methods−Part 1: Generic specification,2005年に第1版とし
て発行されたIEC 62044-2,Cores made of soft magnetic materials−Measuring methods−Part 2: Magnetic
properties at low excitation level及び2000年に第1版として発行されたIEC 62044-3,Cores made of soft
magnetic materials−Measuring methods−Part 3: Magnetic properties at high excitation levelを翻訳し,技術的内
容を変更することなく一つにまとめて作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
  なお,この規格で側線及び/又は点線の下線を施してある箇所は,原国際規格にはない事項である。

1. 適用範囲

 この規格は,フェライト磁心の低磁界及び高磁界における電磁気的特性の試験方法,機械
的強度の試験方法及び外観の検査方法について規定する。
    備考1. この規格の対応国際規格を,次に示す。
            なお,対応の程度を表す記号は,ISO/IEC Guide 21に基づき,IDT(一致している),MOD
          (修正している),NEQ(同等でない)とする。
          IEC 60424-1:1999,Ferrite cores−Guide on the limits of surface irregularities−Part 1: General
              specification(MOD)
          IEC 61631:2001,Test method for the mechanical strength of cores made of magnetic oxides(MOD)
          IEC 62044-1:2002,Cores made of soft magnetic materials−Measuring methods−Part 1: Generic
              specification(MOD)
          IEC 62044-2:2005,Cores made of soft magnetic materials−Measuring methods−Part 2: Magnetic
              properties at low excitation level(MOD)
          IEC 62044-3:2000,Cores made of soft magnetic materials−Measuring methods−Part 3: Magnetic
              properties at high excitation level(MOD)
    参考1. 低磁界における電磁気的特性とは主にレイリー領域内における特性,高磁界における電磁気
            的特性とはレイリー領域外での特性をそれぞれ意味する。レイリー領域とは,磁性材料の磁
            束密度及び磁界の強さをグラフで表示したときの原点近傍の領域のことで,その中では磁束
            密度が次の式のように磁界の強さの二次関数として表現できる。
                         B               v   2    2
                             μi vH Hp     Hp  H
                        μ0              2
                      ここに, 滿   レイリー履歴係数

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2
C 2560-2 : 2006
    参考2. 高磁界における特性は,コアロス及び振幅透磁率の二つだけである。
    参考3. 附属書5に直流磁気特性及びその他の基本的物理特性の試験方法を,附属書6にヘッド用フ
            ェライト磁心特有の試験方法を,参考として示す。

2. 引用規格

 次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成す
る。これらの引用規格は,記載の年の版だけがこの規格の規定を構成するものであって,その後の改正版・
追補には適用しない。
    JIS C 60068-1:1993 環境試験方法−電気・電子−通則
      備考 IEC 60068-1:1988 Environmental testing−Part 1: General and guidanceが,この規格と一致して
             いる。
    IEC 60050(221):1990 International Electrotechnical Vocabulary (IEV). Chapter 221: Magnetic materials and
        components,Amendment 1 and Amendment 2

3. 定義

 この規格で用いる主な用語の定義は,次による。
3.1   振幅透磁率μa(実効振幅透磁率μea)[(effective)   mplitude permeability] 規定の消磁状態にある磁
                                                           B及び磁界の強さのせん頭値  Hから得られ
心に,交流磁界を外部印加したときの,磁束密度のせん頭値  e                          e
る比透磁率。
    備考1. この定義は,IEC 60050(221)の221-03-07における同用語の定義とは異なる。
        2. 次の二つの振幅透磁率が一般的に用いられる。
          − 磁束密度及び磁界の実際の波形のせん頭値を用いるもの。
          − 磁束密度及び磁界の波形の基本成分のせん頭値を用いるもの。
        3. 磁心が周期的に磁化され,B-H曲線を逸脱しなければ,磁束密度,磁界,及び振幅透磁率は
            静的な物質量とみなされる。
3.2   最大振幅透磁率  懿    max(実効最大振幅透磁率  攀懿    max)[maximum (effective)   mplitude permeability]
励磁の振幅が変動する場合の振幅透磁率の最大値。
    備考 この定義は,IEC 60050(221)の221-03-10における同用語の定義とは異なる。
3.3   励磁(excitation) 波形及びその振幅がともに規定の許容差内にある磁束密度又は磁界。
    備考 励磁のための基準として磁束密度(磁界)を選んだ場合,磁性材料の非線形的な振舞いに起因
          する励磁波形に関して磁界(磁束密度)の波形は結果的にゆがむ場合がある。
3.4   高励磁状態(high excitation level) 透磁率が励磁振幅に依存(特に低周波において)する励磁,及び
/又はコアロス(3.9参照)が顕著な温度上昇を生じさせる励磁(特に高周波において)。
3.5                                   1 %以下の高調波定数をもつ励磁。
      正弦波励磁(sinusoidal excitation)
3.6   励磁巻線(exciting winding) 励磁するための巻線。
3.7   電圧検出巻線(voltage sensing winding) 誘起される電圧を測定するための巻線。
3.8   測定巻線(measuring winding) 励磁巻線及び/又は電圧検出巻線とは別に,通常二次的な測定に使
用する無負荷又は負荷状態の巻線。
3.9   コアロスP (power loss) 磁心によって吸収される電力。コアロスには,次のような二つの表現方法
がある。
3.9.1  単位体積当たりのコアロスPv 単位体積当たりのコアロスPvは,次の式(1)によって算出する。

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                                                                                              3
                                                                                 C 2560-2 : 2006
                             P
                         Pv      (1)
                             V
                      ここに,V : 磁心の実効体積(m3)
3.9.2  単位質量当たりのコアロスPm コアロスPmは,次の式(2)によって算出する。
                              P
                         Pm      (2)
                              m
                      ここに,m : 磁心の質量(kg)
    参考 P,Pv及びPmは,それぞれPc,Pcv及びPcmとも呼ぶ。
3.10 チップ及びラッジドエッジ(chips and ragged edges) チップは取扱中又は切削中に起きる機械的衝
撃によって生じる磁心の欠損部。ラッジドエッジは幅1 mm以下のチップが連続したもの。
3.11 クラック(crack) 長さと比べて十分に幅が小さい磁心表面上のひび。
3.12 フラッシュ(flash) 磁心の表面の輪郭部分にできたばり。
3.13 プルアウト(pull-out) 成形のときの金型へのはりつきによって生じる磁心の表面層の欠損部。プレ
ス方向と垂直な面に発生する。ただし,深さが1 mm以上の欠損はチップとみなす。
3.14 機械的強度(mechanical strength) 磁心に機械的な負荷をかけたときの磁心が壊れる瞬間の負荷の
値。
3.15 総高調波ひずみTHD[(magnetic)   otal harmonic distortion] 磁心における磁束密度Bと磁界Hと
の非線形的な関係によって生じる電圧波形のひずみ。次の式(3)及び式(4)によって算出する。
                        THD=20 log(Vm/Vf)  (3)
                        Vm       Vn2  (4)
                               n 1
                      ここに, Vn :  n次の高調波の振幅成分
                                Vf :  基本周波数における電圧振幅
3.16 総高調波ひずみ係数THDF[(magnetic)   otal harmonic distortion factor] 材料特性の評価に用いる
係数。次の式(5)及び式(6)によって算出する。
                                       Vm Vf
                        THDF    20 log           (5)
                                         CCF
                                        ea
                        CCF    1  1  3 L1 Rs   (6)
                      ここに,    Vf :  基本周波数における電圧振幅
                                   攀懿     実効振幅透磁率
                                  L1 :  一次側インダクタンス(5.2.9.2参照)
                                  Rs :  信号源一次側抵抗(抵抗=50Ω)(5.2.9.2参照)
    備考 CCFは回路補正係数であり,直流バイアスのない第三高調波の近似によって与えられる。

――――― [JIS C 2560-2 pdf 5] ―――――

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