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C 5201-8 : 2014 (IEC 60115-8 : 2009)
曲線上の全ての折れ点(break point)を試験によって確認する。
2.2.4 素子最高電圧Umax
素子最高電圧Umaxの推奨値は,次による。
12.5 V,15 V,25 V,50 V,75 V,100 V,150 V,200 V,300 V及び500 V(直流電圧又は交流電圧の実
効値)
2.2.5 絶縁抵抗
絶縁形抵抗器に対する絶縁抵抗は,高温(耐熱性)試験後で1 GΩ以上,耐候性試験後で100 MΩ以上
とする。
2.2.6 絶縁電圧
絶縁形抵抗器に対する絶縁電圧の推奨値は,次による。
75 V,100 V,200 V,300 V及び500 V(直流電圧又は交流電圧のピーク値)
2.3 推奨する試験の厳しさ
2.3.1 短時間過負荷
JIS C 5201-1の4.13(短時間過負荷)によるほか,次による。
印加電圧 : 個別規格に印加電圧を規定する。推奨値は,定格電圧の2.5倍又は素子最高電圧の2倍の
いずれか小さい方とする。
印加時間 : 個別規格に印加時間を規定する。
推奨値は,0.5秒,1秒,2秒,5秒及び10秒とする。
印加時間は,素子温度の最大値がカテゴリ上限温度より30 ℃以上高くなるように規定す
る。
取付け : 2.4.2による。個々の抵抗器の間隔は,これらの抵抗器の最大寸法以上とする。
試験基板は,水平に取り付け,周囲温度15 ℃35 ℃の自由空間に置く。
2.3.2 はんだ付け性
JIS C 5201-1の4.17(はんだ付け性)によるほか,次による。
はんだ付け性試験は,加速エージングによる前処理を行う。関連する個別規格に規定がない場合は,JIS
C 60068-2-20の4.1.1(試験Ta : 試験方法)に規定するエージング3a(155 ℃の乾燥加熱4時間)を適用
する。加速エージングの後,試料を標準試験状態に2時間24時間放置する。
抵抗器のはんだ付け可能な電極表面は,関連する個別規格に規定がない場合には,SnPbはんだ合金及び
鉛フリーはんだの両方に適合する。したがって,はんだ付け性試験は,両方のはんだ合金に対して必要で
ある。
SnPbはんだ合金によるはんだ付け性は,次の厳しさを用いて,JIS C 60068-2-58の8.2.1(鉛入りはんだ :
はんだ槽法)のはんだ槽法によって試験を行う。
− はんだ合金 : Sn60Pb40又はSn63Pb37
− 槽の温度 : 235 ℃±5 ℃
− 浸せき(漬)時間 : 2秒間±0.2秒間
鉛フリーはんだ合金は,代表的なはんだ付け工程温度によって分類する[JIS C 60068-2-58の4.(鉛フ
リーはんだを使用したはんだ付け工程の分類)参照]。最も一般的なSnAg,SnAgCu及びSnAgBiのはんだ
合金は,群3の“中−高温”に含まれる。鉛フリーはんだによるはんだ付け性は,次の群3の代表的な厳
しさで,JIS C 60068-2-58の8.1.1(鉛フリーはんだ : はんだ槽法)のはんだ槽法によって試験を行う。
− はんだ合金 : Sn96.5Ag3.0Cu0.5
――――― [JIS C 5201-8 pdf 11] ―――――
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C 5201-8 : 2014 (IEC 60115-8 : 2009)
− 槽の温度 : 245 ℃±5 ℃
− 浸せき(漬)時間 : 3秒間±0.3秒間
2.3.3 はんだ耐熱性
JIS C 5201-1の4.18(はんだ耐熱性)によるほか,次による。
抵抗器は,関連する個別規格に規定がない場合には,IEC 61760-1に規定する全てのはんだ付けプロセ
スに耐えることができなければならない。
− SnPbはんだ気相ソルダリング
− 鉛フリーはんだ気相ソルダリング
− SnPbはんだ遠赤外線又は熱風(forced gas convection)ソルダリング
− 鉛フリーはんだ遠赤外線又は熱風(forced gas convection)ソルダリング
− SnPbはんだフローソルダリング
− 鉛フリーはんだフローソルダリング
全てのはんだ付け法に対応するはんだ耐熱性は,JIS C 60068-2-58の8.2.1及びJIS C 60068-2-58の8.1.1
の最も厳しい条件で試験を行う。
− 試験方法 : はんだ槽法
− はんだ合金 : SnPb,SnCu,SnAgCu又はSnAgのいずれかの合金
− 槽の温度 : 260 ℃±5 ℃
− 浸せき(漬)時間 : 10秒間±1秒間
− 試験回数 : 1回
関連する個別規格で,フローソルダリングを適用除外している抵抗器の場合には,はんだ耐熱性は,JIS
C 60068-2-58の8.2.4(はんだ耐熱性試験のリフロー)及びIEC 61760-1の箇条6(Typical process conditions)
の最も厳しいリフロー条件で試験を行う。
− 試験方法 : 気相ソルダリング
− 槽の温度 : 230 ℃±5 ℃
− 浸せき(漬)時間 : 40秒間±1秒間
− 試験回数 : 3回。2回連続する場合の回復時間は,試料の温度が50 ℃未満に低下するまで
の時間とする。
関連する個別規格で,フローソルダリング及び気相ソルダリングの適用を除外している抵抗器の場合に
は,はんだ耐熱性は,JIS C 60068-2-58の8.2.4及びJIS C 60068-2-58の8.1.2.2(はんだ耐熱試験のリフロ
ー温度プロファイル)の最も厳しいリフロー条件で試験を行う。
− 試験方法 : 遠赤外線及び熱風(forced gas convection)ソルダリング
− 予備加熱 : 150 ℃180 ℃で,120秒±5秒
− ピーク温度 : 255 ℃±5 ℃
− 保持時間 : 40秒間±1秒間 245 ℃以上
60秒間90秒間 220 ℃以上
− 試験回数 : 3回。2回連続する場合の回復時間は,試料の温度が50 ℃未満に低下するまで
の時間とする。
2.3.4 固着性
JIS C 5201-1の4.32.2(固着性 : 厳しさ)b)によるほか,次による。
関連する個別規格に規定がない場合,抵抗器の本体に加える加圧力は,表4による。
――――― [JIS C 5201-8 pdf 12] ―――――
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C 5201-8 : 2014 (IEC 60115-8 : 2009)
表4−固着性
形式(形式記号) 加圧力a)
角形 円筒形 N
RR0603M − 2
RR1005M − 3
RR1608M RC1610M 5
RR2012M RC2012M 9
RC2211M
RR3216M RC3514M 25
RR3225M
RR3245M − 45
RR4532M
RR5025M
RR6332M
− RC5922M 90
注記 加圧力は,それぞれの形式の抵抗器の代表的な質量を基に,“加速度
981 m/s2(100 G)”を用いた衝撃試験又はバンプ試験での結果による。
注a) 固着力の許容差は,0/+10 %とする。
2.3.5 周期的パルス過負荷試験
JIS C 5201-1の4.39(断続過負荷試験)によるほか,次による。
− パルス電圧 : 推奨パルス電圧Uは,次の式による。ただし,最高試験電圧は,2Umaxを超えて
はならない。
U 15P70 Rn
ここに, P70 : 定格電力
Rn : 公称抵抗値
Umax : 素子最高電圧
− パルスサイクル数 : 0.1秒間印加及び2.5秒間停止を1サイクルとして,1 000サイクル
− 取付け : 2.4.2による。個々の抵抗器の間隔は,これらの抵抗器の最大寸法以上とする。
試験基板は,水平に取り付け,周囲温度15 ℃35 ℃の自由空間に置く。
2.3.6 静電気放電(ESD)
JIS C 5201-1の4.38(静電気放電)によるほか,次による。
− 放電回数 : 正極性及び負極性放電の回数は,次とし,個別規格に規定しなければならない。
正極性放電 : 1回(水準Gの抵抗器の場合)又は3回(水準Pの抵抗器の場合)。
負極性放電 : 1回(水準Gの抵抗器の場合)又は3回(水準Pの抵抗器の場合)。
注記 対応国際規格では“放電回数 : 正極性3回及び負極性3回,極性を換えて印加する。”と規定
されているが,これは水準Pの抵抗器の場合である。水準Gの抵抗器の場合はそれぞれ1回
の印加であり,対応国際規格の誤記である。
− 印加電圧 : 推奨値は,300 V,500 V,800 V,1 000 V,1 500 V,2 000 V,3 000 V及び4 000 Vとする。
HBMのESD感度区分は,適用しない。
2.3.7 部品の耐溶剤性
JIS C 5201-1の4.29(部品の耐溶剤性)によるほか,次による。
0
溶剤の温度 : 23 ℃±5 ℃(推奨値)又は50 −℃
5
――――― [JIS C 5201-8 pdf 13] ―――――
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2.3.8 表示の耐溶剤性
JIS C 5201-1の4.30(表示の耐溶剤性)によるほか,次による。
0
溶剤の温度 : 23 ℃±5 ℃(推奨値)又は50 −℃
5
2.4 供試品の準備
2.4.1 乾燥
JIS C 5201-1の4.3(乾燥)の手順Iによる。
2.4.2 部品の取付け
抵抗器は,図4に示す基本レイアウトの試験基板に取り付ける。
試験基板は,厚さが(1.6±0.1)mmで,公称値35 騰 箔)からなる導体のガラス布基
材エポキシ樹脂プリント配線板とする。形式記号RR1005M,又はより小さい寸法の抵抗器については,代
替の基板の厚さ(0.8±0.1)mmを用いてもよい。必要がある場合は,個別規格に異なった材料仕様及びレ
イアウト寸法を含む基本レイアウトを規定する。
規定する領域の裏面及び内部には,ケルビン接続のための0.3 mm幅の配線以外の金属領域は認めない。
2
25mm超
5mm超
はんだ付け領域
非はんだ付け領域(ソルダーレジストで覆う。)
注記1 寸法は,表5による。
注記2 100 mΩよりも低い公称抵抗値の試料の場合には,図5に示すはんだ付け領域にセンス
端子を付加する。
図4−機械的,環境的及び電気的試験用の基本レイアウト−ケルビン(4端子)接続
――――― [JIS C 5201-8 pdf 14] ―――――
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C 5201-8 : 2014 (IEC 60115-8 : 2009)
はんだ付け領域
非はんだ付け領域(ソルダーレジストで覆う。)
図5−ケルビン(4端子)接続用センス端子の取付け
(100 mΩよりも低い公称抵抗値の試料の場合)
表5−はんだ付けランド寸法
形式 X Y G C K P M
(形式記号) mm mm mm mm mm mm
RR0603M 検討中
RR1005M 0.7 0.6 0.5 0.3 0.15 5.0 M=P
RR1608M 1.0 1.1 0.6 0.5 0.2 5.0
RR2012M,RC2211M 1.5 1.3 0.6 2.0 0.2 5.0
RR3216M,RC3514M 2.0 1.6 1.5 2.0 0.2 5.0
RR3225M 2.9 1.6 1.5 2.0 0.2 10.0
RR3245M 5.0 1.6 1.5 5.0 0.2 10.0
RR4532M 3.6 1.8 2.3 5.0 0.2 10.0
RR5025M,RC5922M 2.9 1.8 2.7 5.0 0.2 10.0
RR6332M 3.6 1.8 3.8 5.0 0.2 10.0
注記 寸法許容差 : RR1608Mの形状寸法を超える形式の場合,±0.1 mm
RR1608Mの形状寸法以下の形式の場合,±0.05 mm
公称抵抗値が100 Ω以上で安定性クラス0.1 %又はより厳しい試験,又は抵抗値測定が必要でない試験
の場合には,図6に示す試験基板を用いる。
――――― [JIS C 5201-8 pdf 15] ―――――
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JIS C 5201-8:2014の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60115-8:2009(IDT)
JIS C 5201-8:2014の国際規格 ICS 分類一覧
JIS C 5201-8:2014の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISC5062:2008
- 抵抗器及びコンデンサの表示記号
- JISC5063:1997
- 抵抗器及びコンデンサの標準数列
- JISC61340-3-1:2010
- 静電気―第3-1部:静電気の影響をシミュレーションする方法―人体モデル(HBM)の静電気放電試験波形