JIS C 5381-311:2016 低圧サージ防護デバイス用部品―第311部:ガス入り放電管(GDT)の要求事項及び試験回路

JIS C 5381-311:2016 規格概要

この規格 C5381-311は、公称システム電圧が交流1 000V(実効値)又は直流1 500V以下の通信網,信号網及び低圧配電システムの過電圧保護に用いる二つ又は三つの電極をもつガス入り放電管(GDT)の電気的特性を決定するための試験回路,試験方法及び試験の合否判定について規定。完成品であるサージ防護デバイスについては規定しない。GDTの特性及びサージ防護デバイスの耐量との正確な協調が非常に厳しい電子機器内に使用するGDT全体の要求事項も規定しない。

JISC5381-311 規格全文情報

規格番号
JIS C5381-311 
規格名称
低圧サージ防護デバイス用部品―第311部 : ガス入り放電管(GDT)の要求事項及び試験回路
規格名称英語訳
Components for low-voltage surge protective devices -- Part 311:Performance requirements and test circuits for gas discharge tubes (GDT)
制定年月日
2004年3月20日
最新改正日
2016年3月22日
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対応国際規格

ISO

IEC 61643-311:2013(IDT)
国際規格分類

ICS

31.100, 33.040.99
主務大臣
経済産業
JISハンドブック
‐ 
改訂:履歴
2004-03-20 制定日, 2009-10-01 確認日, 2014-10-20 確認日, 2016-03-22 改正
ページ
JIS C 5381-311:2016 PDF [23]
                                                            C 5381-311 : 2016 (IEC 61643-311 : 2013)

pdf 目 次

ページ

  •  序文・・・・[1]
  •  1 適用範囲・・・・[1]
  •  2 引用規格・・・・[1]
  •  3 用語及び定義,並びに図記号・・・・[2]
  •  3.1 用語及び定義・・・・[2]
  •  3.2 図記号・・・・[6]
  •  4 使用条件・・・・[6]
  •  4.1 低温・・・・[6]
  •  4.2 大気圧及び高度・・・・[6]
  •  4.3 周囲温度・・・・[6]
  •  4.4 相対湿度・・・・[6]
  •  5 機械的要求事項及び材料・・・・[6]
  •  5.1 端子強度・・・・[6]
  •  5.2 はんだ付け性・・・・[7]
  •  5.3 放射線・・・・[7]
  •  5.4 表示・・・・[7]
  •  6 一般・・・・[7]
  •  6.1 故障率・・・・[7]
  •  6.2 標準大気状態・・・・[7]
  •  7 電気的要求事項・・・・[7]
  •  7.1 一般・・・・[7]
  •  7.2 初期値・・・・[7]
  •  7.3 試験後の要求事項・・・・[9]
  •  8 試験測定手順及び試験回路・・・・[10]
  •  8.1 直流放電開始電圧・・・・[10]
  •  8.2 インパルス放電開始電圧・・・・[11]
  •  8.3 絶縁抵抗・・・・[11]
  •  8.4 静電容量・・・・[12]
  •  8.5 グロー・アーク転移電流,グロー電圧及びアーク電圧・・・・[12]
  •  8.6 線間電圧・・・・[13]
  •  8.7 直流ホールドオーバ電圧・・・・[14]
  •  8.8 放電電流耐量の要求事項・・・・[16]
  •  8.9 フェールセーフ・・・・[19]
  •  参考文献・・・・[21]

(pdf 一覧ページ番号 1)

――――― [JIS C 5381-311 pdf 1] ―――――

C 5381-311 : 2016 (IEC 61643-311 : 2013)

まえがき

  この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,一般社団法人電子
情報技術産業協会(JEITA)及び一般財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業
規格を改正すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業
規格である。これによって,JIS C 5381-311:2004は改正され,この規格に置き換えられた。
この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。
JIS C 5381の規格群には,次に示す部編成がある。
JIS C 5381-11 低圧サージ防護デバイス−第11部 : 低圧配電システムに接続する低圧サージ防護デバ
イスの要求性能及び試験方法
JIS C 5381-12 低圧サージ防護デバイス−第12部 : 低圧配電システムに接続する低圧サージ防護デバ
イスの選定及び適用基準
JIS C 5381-21 低圧サージ防護デバイス−第21部 : 通信及び信号回線に接続するサージ防護デバイス
(SPD)の要求性能及び試験方法
JIS C 5381-22 通信及び信号回線に接続するサージ防護デバイスの選定及び適用基準
JIS C 5381-311 低圧サージ防護デバイス用部品−第311部 : ガス入り放電管(GDT)の要求事項及び
試験回路
JIS C 5381-312 低圧サージ防護デバイス用部品−第312部 : ガス入り放電管(GDT)の選定及び適
用基準
JIS C 5381-321 低圧サージ防護デバイス用アバランシブレークダウンダイオード(ABD)の試験方

JIS C 5381-331 低圧サージ防護デバイス用金属酸化物バリスタ(MOV)の試験方法
JIS C 5381-341 低圧サージ防護デバイス用サージ防護サイリスタ(TSS)の試験方法

(pdf 一覧ページ番号 2)

――――― [JIS C 5381-311 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
C 5381-311 : 2016
(IEC 61643-311 : 2013)

低圧サージ防護デバイス用部品−第311部 : ガス入り放電管(GDT)の要求事項及び試験回路

Components for low-voltage surge protective devices-Part 311: Performance requirements and test circuits for gas discharge tubes(GDT)

序文

  この規格は,2013年に第2版として発行されたIEC 61643-311を基に,技術的内容及び構成を変更する
ことなく作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
なお,この規格で点線の下線を施してある参考事項は,対応国際規格にない事項である。

1 適用範囲

  この規格は,公称システム電圧が交流1 000 V(実効値)又は直流1 500 V以下の通信網,信号網及び低
圧配電システムの過電圧保護に用いる二つ又は三つの電極をもつガス入り放電管(以下,GDTという。)
の電気的特性を決定するための試験回路,試験方法及び試験の合否判定について規定する。この規格は,
完成品であるサージ防護デバイスについては規定しない。また,GDTの特性及びサージ防護デバイスの耐
量との正確な協調が非常に厳しい電子機器内に使用するGDT全体の要求事項も規定しない。
この規格は,次の事項には,適用しない。
− GDTの実装及び実装の特性に対する影響。規定する特性値は,試験に規定する実装方法のGDTだけ
に適用する。
− 機械的な寸法
− 品質保証要求
− 30 MHzを超える高周波に用いるGDTへは適用できない場合がある。
− 静電気
− ハイブリッド過電圧防護部品又は複合形GDTデバイス
注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
IEC 61643-311:2013,Components for low-voltage surge protective devices−Part 311: Performance
requirements and test circuits for gas discharge tubes (GDT)(IDT)
なお,対応の程度を表す記号“IDT”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“一致している”こ
とを示す。

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの

――――― [JIS C 5381-311 pdf 3] ―――――

2
C 5381-311 : 2016 (IEC 61643-311 : 2013)
引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
JIS C 60068-2-1 環境試験方法−電気・電子−第2-1部 : 低温(耐寒性)試験方法(試験記号 : A)
注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-1:2007,Environmental testing−Part 2-1: Tests−Test A: Cold
JIS C 60068-2-20 環境試験方法−電気・電子−第2-20部 : 試験−試験T−端子付部品のはんだ付け
性及びはんだ耐熱性試験方法
注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-20:2008,Environmental testing−Part 2-20: Tests−Test T: Test
methods for solderability and resistance to soldering heat of devices with leads
JIS C 60068-2-21 環境試験方法−電気・電子−第2-21部 : 試験−試験U : 端子強度試験方法
注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-21:2006,Environmental testing−Part 2-21: Tests−Test U: Robustness
of terminations and integral mounting devices
JIS C 61000-4-5 電磁両立性−第4-5部 : 試験及び測定技術−サージイミュニティ試験
注記 対応国際規格 : IEC 61000-4-5:2005,Electromagnetic compatibility (EMC) −Part 4-5: Testing and
measurement techniques−Surge immunity test
ITU-T Recommendation K.20,Resistibility of telecommunication equipment installed in a
telecommunications centre to overvoltages and overcurrents

3 用語及び定義,並びに図記号

3.1 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。
3.1.1
アーク電流(arc current)
回路インピーダンスを通して,放電開始後グローモードからアークモードに転移する電流を超えて流れ
る電流。
3.1.2
アーク電圧[arc voltage (arc mode voltage)]
GDTにアーク電流が流れてGDTの印加電圧が降下し,一定で推移しているときの電圧。
注記 図1 a)の領域Aを参照。
3.1.3
アーク・グロー転移電流(arc-to-glow transition current)
GDTがアークモードからグローモードに転移するために必要な電流。
3.1.4
電流消弧時間(current turn-off time)
GDTが導通状態から非導通状態に回復するために必要な時間。
注記 GDTに直流電圧を連続的に印加した場合だけに適用する(直流ホールドオーバ参照)。
3.1.5
直流放電開始電圧(d.c.breakdown voltage,d.c. sparkover voltage)
GDTに上昇率2 kV/s以下で緩やかな立ち上がりの直流電圧を印加したとき,GDTが高インピーダンス
のオフ状態から導通状態に転移を開始するときの電圧。
注記 直流放電開始電圧を測定する場合の電圧上昇率は,通常2 kV/s以下である。
3.1.6

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                                                                                              3
C 5381-311 : 2016 (IEC 61643-311 : 2013)
直流ホールドオーバ(d.c. holdover)
GDTに放電を起こすために十分なインパルスを印加した後,GDTが導通を続ける状態。
注記 この用語は,直流電圧が線路に存在する場合に用いる。導通状態から復帰するために必要な時
間(電流消弧時間)に影響する要因には,直流電圧及び直流電流を含んでいる。
3.1.7
直流ホールドオーバ電圧(d.c. holdover voltage)
GDTに規定する回路条件で,サージが通過後に,GDTが高インピーダンス状態に復帰できるGDT端子
間の最大直流電圧。
3.1.8
放電電流(discharge current)
GDTに放電開始後に流れる電流。
注記 GDTに流れる電流が交流電流の場合,電流値は実効値である。GDTに流れる電流がインパル
ス電流の場合,電流値はピーク値である。
3.1.9
放電電圧(discharge voltage)
GDTに放電電流が流れているときに,GDTの端子間に現れる電圧のピーク値。
3.1.10
放電電圧−電流特性,V-I特性(discharge voltage current characteristic,V/I characteristic)
GDTの放電電流に対応する放電電圧の変化。

――――― [JIS C 5381-311 pdf 5] ―――――

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JIS C 5381-311:2016の引用国際規格 ISO 一覧

  • IEC 61643-311:2013(IDT)

JIS C 5381-311:2016の国際規格 ICS 分類一覧

JIS C 5381-311:2016の関連規格と引用規格一覧