30
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
2-6-13 二次元電子ガス two-dimension
固体の伝導帯から真空準位までのエネルギーで
al electron
定義される,電子親和力の異なる物質の接合界
gas
面(ヘテロ界面)における,界面に沿って,二
次元的に局在した電子系。磁界の印加によって,
電気伝導に量子ホール効果又はジュブニコフ・
ドハース効果をもたらす。
2-6-14 コンプトン効果 Compton
X線を固体に照射したとき,自由で静止してい 393-03-22
effect
るとみなされる電子との弾性散乱によって,照
射X線よりも波長の長い散乱X線が生じる効
果。
備考 光の粒子説によって説明され,照射X
線のエネルギー及び運動量の一部が
電子に与えられ,残りが散乱X線と
なる。
2-6-15 量子効率(半導体 quantum
単位時間当たりの,入出力にかかわるキャリヤ 531-44-20,
発光・受光素子 efficiency (of
数と光子数との比。 発光の場合は入力されたキ 731-06-34,
の) ャリヤ数に対する出力光の光子数の比。受光の 845-05-67
semiconductor
場合は,入力した光の光子数に対する出力され
たキャリヤ数の比。 luminescent
devices and
optical
receivers)
7) 放射線
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
2-7-1 α線 alpha
α壊変を行う放射性核種から放出されるヘリウ 393-02-06,
ム-4の原子核の粒子線で,+ 2の電荷をもつ。radiation, 881-02-66
alpha rays
2-7-2 β線 原子核から放出される陰電子及び陽電子の流 393-02-07,
beta radiation,
れ。 beta rays 881-02-60
2-7-3 γ線 gamma
原子核のエネルギー転移に際して放射される波 393-02-08
radiation,
長の短い電磁波をいい,高エネルギーの光子で 放射,
ある。 gamma rays 881-02-17
2-7-4 放射線 radiation
放射性崩壊によって物質から放射されるα線,β 393-02-01,
線などの粒子線及びX線,γ線などの電磁波の 702-02-06,
総称。広義には,すべての電磁波及び粒子線を 841-01-50,
指す。 845-01-01
(electromagnetic
) adiation,
881-02-01
――――― [JIS C 5600 pdf 31] ―――――
31
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
2-7-5 宇宙線 cosmic
宇宙空間から地球に降り注いでいる高エネルギ 393-02-11
ーの粒子線及び電磁波の総称。 radiation,
cosmic ray
2-7-6 中性子線 中性子の流れ。 neutron ray
2-7-7 放射能 radioactivity
核種が自発的に放射線を出して放射性壊変をす 393-02-26
る性質。
2-7-8 照射(線量) exposure
X線又はγ線の電離能力に基づいて測られる放 393-04-62
射線の量。X線,γ線の照射によって質量dmの exposure,
空気中で放出された二次電子などが空気中で完 照射,
全に阻止されて生成される正又は負の電荷をも 881-12-29
つイオンの総電荷量の絶対値dQとするとき,
照射線量は,
dQ
X
dm
で与えられる。
2-7-9 吸収線量 absorbed dose
物質に実際に吸収される単位質量当たりの放射 393-04-69,
線のエネルギー量。 881-12-06
参考 単位は Gy(グレイ)で,1 (Gy) は,
1 (J kg-1)に相当する。
c) 固体の基本的性質
1) 電気的性質
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
3-1-1 輸送現象 transport
粒子のエネルギー,運動量,物質などの輸送
とそれに関連した現象の総称。半導体においphenomenon
ては,キャリヤの移動によって,生じる電荷
の輸送(電気伝導),熱の輸送(熱伝導)など
を指す。
3-1-2 電気伝導 electric
物質に外部電界を印加することによって,電
conduction
荷が移動して電流が流れる現象。 電荷を運ぶ
キャリヤの種類に応じて,電子伝導,正孔伝
導又はイオン伝導という。
3-1-3 導電率, conductivity
物質の電流の流れやすさを表す尺度で,単位 121-12-03
(電気)伝導率, 電界を印加したときに流れる電流密度。 電流
(電気)伝導度 密度をj,電界をE,導電率を
ームの法則が成り立つ範囲では j/ E と
なる。単位は(S/m)。
――――― [JIS C 5600 pdf 32] ―――――
32
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
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番号及び用語
3-1-4 コンダクタンス conductance
物体の電流の流れやすさを表す量で,単位電 131-01-14
圧を印加したときに流れる電流。 I
GV (I :
電流,V :電圧,G : コンダクタンス)でG
の単位は, SA/V 。 物体の形状に依存し,
一様な断面 A,長さl,導電率 湲
G A/ l 。
3-1-5 抵抗率, resistivity,
物体の電流の流れ難さを表す尺度で,導電率 121-12-04
比抵抗 の逆数。 単位は(Ωm)。 specific
resistance
3-1-6 抵抗 resistance
物体の電流の流れ難さを表す量で,コンダク 131-01-13
タンスの逆数。 単位(Ω=1/S) 。
3-1-7 シート抵抗 sheet
厚さの薄いシート状の物体の面に平行な方向
の電流の流れ難さを表す量で,正方形のシーresistance
トの相対する辺の間の抵抗。 単位 はΩであ
るが,抵抗と区別するためにΩ/□ と書くこと
もある。 厚さdのシートが 抵抗率ρの一様
な物質からなるとき,シート抵抗 はρs=ρ/d
で表される。
3-1-8 広がり抵抗 spreading
径の小さな金属線を試料面に接触させたとき
の抵抗。金属細線から試料への電流通路の広resistance
がりの形状が広がり抵抗に関係し,接触部の
金属線の径,接触形状及び試料の抵抗率で決
まる。
備考 接触部が円形平面(半径 a)で試
料の厚さがaに比べて十分大きい
場合,広がり抵抗RsはRs=ρ/4aで与
えられる。ここにρは接触部近辺の
平均抵抗率である。
3-1-9 集中抵抗 constriction
小さな接触面を電流が流れるときに,電流通
路が狭い部分に制限されることによって生じresistance
る抵抗。
3-1-10 接触抵抗 contact
二つの物体を接触させたときに,2物体間に生 581-03-11
resistance
じる抵抗。2物体の材料特性のほか,接触形状,
接触面積及び界面介在物に依存する。
3-1-11 ジュール熱 Joule heat
物体に電流が流れるときに,その抵抗によっ (815-06-40
て発生する熱。発生する熱量は,電流の2乗, Joule heating,
及び物体の抵抗に比例し,これをジュールの ジュール発熱)
法則という。
3-1-12 電気双極子 有限の距離にある正負の電荷の対。 距離 121-11-33
electric dipole
離れた±qの電荷による双極子において,
q を双極子モーメントという。
――――― [JIS C 5600 pdf 33] ―――――
33
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
3-1-13 ショットキー効果 Schottky effect
金属と絶縁体又は半導体との間に高電界を印 531-12-12
加したときに,鏡像力の効果で金属から絶縁
体又は半導体へのエネルギー障壁が減少する
効果,又は,その結果,熱電子放出及び 光電
子放出が増加する効果。ショットキーが,熱
電子放出において陽極プレート電圧の増加に
よって飽和電流が増加することを発見したの
にちなんで,名付けられた。
3-1-14 ホール効果 Hall effect
物質に電流を流し,電流に垂直に磁界を印加 121-12-81,
したとき,両者に垂直な方向に起電力が現れ 521-09-01
る現象。 電流密度をj,磁界の磁束密度をB,
発生する横方向電界を Eとすると,
H
EH RH (j B)
x軸方向に長さ方向の軸をもつ直方体形状の
試料のx軸の正方向に一様な電流IXを流し,y
軸の正方向に一様な磁束密度By がある場合
には,z軸の正方向に
Ix By
VH RH
y
の電圧が現れる。ここに, y方向(磁
H
界方向)の試料の幅(厚さ)である。 Rを
ホール係数 [SI 単位: (m3/C) ],z 方向に現れる
電圧をホール電圧という。P形半導体の場合
RH 1 /( pe) ,N形の半導体の場合
RH 1 /(ne) (p : 正孔密度,n : 電子密度,
e : 電気素量)となる。
3-1-15 ホール移動度 Hall mobility
ホール効果の測定から求めた移動度で,電気 521-09-04
H
伝導度をσ,ホール係数を Rとき次式で与え
られる。
H
RH
3-1-16 磁気抵抗(半導体, magnetoresista
半導体又は金属の電気抵抗が磁界を印加した 121-12-83
金属における) ときに変化する量。変化量は,一般には正でnce (in a
あるが,負のときは特に負磁気抵抗という。semiconductor
and a metal)
3-1-17 ランダウ準位 Landau level
量子論で,直流磁界に垂直な面内の電子の量
子的準位。エネルギーは量子化され,次の式
で与えられる。
E (n 1/)2 c ,n: 整数
ここに, c
サイクロトロン角周波数
――――― [JIS C 5600 pdf 34] ―――――
34
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
3-1-18 固体プラズマ solid-sate plasma
固体中で,少なくとも一方が動くことのでき
る正及び負の荷電粒子対が,電気的にほぼ中
性で高密度で存在する系。金属や半導体中で
の電子とイオン,半導体中の電子と正孔など
の系が代表例である。個々の粒子の運動より
粒子集団の運動に着目するときに用いられる
用語。
3-1-19 プラズモン plasmon
プラズマ振動を,量子論的に粒子的描像で表
したもの。
3-1-20 ポーラロン polaron
結晶内を運動する電子が,クーロン力によっ
て周囲の結晶格子に分極を起こし,それによ
る格子の変形を伴って運動する状態。 格子変
形によって電子のエネルギーバンド構造が変
形を受け,一般に電子の有効質量は大きくな
る。
3-1-21 なだれ(雪崩), 1個の電荷が格子との衝突により多数のキャavalanche 121-13-10
アバランシェ リヤに増える増倍現象。PN接合のなだれ(雪 avalanche:
崩)は,大きな逆バイアスが印加され接合の (electronic)
空乏領域の高電界で加速され高エネルギーと avalanche
なったキャリヤが格子原子に衝突してイオン 電子なだれ
化し,新たに電子,正孔対を発生する現象が
なだれ(雪崩)的に生じ,多数のキャリヤが
生成され,大きな電流が流れる。
3-1-22 温かいキャリヤ warm carrier
電界によって中程度に加速されたキャリヤ。
その移動度(μ)の電界(ε)依存性は,次の式で
表す。
2
0 1( )。
ここに, 0
度
β: 定数。
3-1-23 熱いキャリヤ, hot carrier
電界によって大きく加速され,そのキャリヤ
ホットキャリヤ 温度が格子温度より高いキャリヤ。その移動
度(μ)の電界(ε)依存性は,次の式で表す。
(vs 0 / )1 / 2
ここに, v:s 音速
0
度。
――――― [JIS C 5600 pdf 35] ―――――
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JIS C 5600:2006の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60050(MOD)
JIS C 5600:2006の国際規格 ICS 分類一覧
- 33 : 電気通信工学.オーディオ及びビデオ工学 > 33.020 : 電気通信工学一般
- 01 : 総論.用語.標準化.ドキュメンテーション > 01.040 : 用語集 > 01.040.33 : 電気通信工学.オーディオ及びビデオ工学(用語集)