JIS C 61215-1-3:2020 地上設置の太陽電池（ＰＶ）モジュール―設計適格性確認及び型式認証―第１－３部：薄膜非晶質系シリコン太陽電池（ＰＶ）モジュールの試験に関する特別要求事項

                                                                               C 61215-1-3 : 2020

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲及び目的・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[2]
•  3 用語及び定義・・・・[2]
•  4 供試体・・・・[2]
•  5 表示及び文書化・・・・[2]
•  6 試験・・・・[2]
•  7 合格基準・・・・[2]
•  8 著しい目視欠陥・・・・[2]
•  9 報告書・・・・[2]
•  10 変更・・・・[2]
•  11 試験フロー及び試験方法・・・・[2]
•  11.1 目視検査(MQT 01)・・・・[2]
•  11.2 最大出力の決定(MQT 02)・・・・[3]
•  11.3 絶縁試験(MQT 03)・・・・[3]
•  11.4 温度係数の測定(MQT 04)・・・・[3]
•  11.5 公称モジュール動作温度(NMOT)の測定(MQT 05)・・・・[3]
•  11.6 基準状態(STC)における性能(MQT 06)・・・・[3]
•  11.7 低放射照度における性能(MQT 07)・・・・[3]
•  11.8 屋外暴露試験(MQT 08)・・・・[3]
•  11.9 ホットスポット耐久試験(MQT 09)・・・・[3]
•  11.10 紫外線前処理試験(MQT 10)・・・・[3]
•  11.11 温度サイクル試験(MQT 11)・・・・[3]
•  11.12 結露凍結試験(MQT 12)・・・・[4]
•  11.13 高温高湿試験(MQT 13)・・・・[4]
•  11.14 端子強度試験(MQT 14)・・・・[4]
•  11.15 湿潤漏れ電流試験(MQT 15)・・・・[4]
•  11.16 機械的静荷重試験(MQT 16)・・・・[4]
•  11.17 降ひょう(雹)試験(MQT 17)・・・・[4]
•  11.18 バイパスダイオード試験(MQT 18)・・・・[4]
•  11.19 安定化(MQT 19)・・・・[4]
•  附属書JA(参考)JISと対応国際規格との対比表・・・・[6]

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――――― [JIS C 61215-1-3 pdf 1] ―――――

C 61215-1-3 : 2020

まえがき

  この規格は,産業標準化法に基づき,日本産業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本
産業規格である。これによって,JIS C 8991:2011は廃止され,その一部を分割して制定したこの規格に置
き換えられた。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本産業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。
  JIS C 61215の規格群には,次に示す部編成がある。
    JIS C 61215-1 第1部 : 試験要求事項
    JIS C 61215-1-1 第1-1部 : 結晶シリコン太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要求事項
    JIS C 61215-1-2 第1-2部 : 薄膜テルル化カドミウム(CdTe)太陽電池(PV)モジュールの試験に関
        する特別要求事項
    JIS C 61215-1-3 第1-3部 : 薄膜非晶質系シリコン太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要
        求事項
    JIS C 61215-1-4 第1-4部 : 薄膜CIS系太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要求事項
    JIS C 61215-2 第2部 : 試験方法

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――――― [JIS C 61215-1-3 pdf 2] ―――――

                                       日本産業規格                             JIS
                                                                      C 61215-1-3 : 2020

地上設置の太陽電池(PV)モジュール−設計適格性確認及び型式認証−第1-3部 : 薄膜非晶質系シリコン太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要求事項

Terrestrial photovoltaic (PV) odules-Design qualification and type approval-Part 1-3: Special requirements for testing of thin-film amorphous siliconbased photovoltaic (PV) odules

序文

  この規格は,2016年に第1版として発行されたIEC 61215-1-3を基とし,第1版発行後に変更が決定し
た技術的内容を反映して作成した日本産業規格である。
  この規格は,JIS C 61215-1:2020及びJIS C 61215-2:2020と併読する規格である。
  なお,この規格で点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。変更の一
覧表にその説明を付けて,附属書JAに示す。

1 適用範囲及び目的

  この規格は,JIS C 60721-2-1に定義する屋外気候群で,長期運転に適した地上設置の太陽電池(PV)モ
ジュールの設計適格性確認及び型式認証に対する要求事項について規定する。この規格は,薄膜非晶質系
シリコン(a-Si,a-Si/μc-Si)をベースとした太陽電池(PV)モジュール(以下,PVモジュールという。)
の全ての地上設置の平板形PVモジュールに適用する。
  この規格は,集光装置付きPVモジュールには適用しないが,1倍から3倍までの低倍率集光装置付き
PVモジュールに利用することができる。低倍率集光装置付きPVモジュールに関しては,予想される集光
設計の電流,電圧及び出力レベルで全試験を実施する。
  ここで実施する一連の試験の目的は,PVモジュールの電気的及び熱的特性を決定し,かつ,費用及び
時間の制約内で可能な限り,PVモジュールが一般的な屋外の気候に長期間さらされても耐えることを確
認することである。適格性が確認されたPVモジュールの実際の期待寿命は,PVモジュールの設計,使用
環境及び運転される条件に影響を受ける。
  この規格は,JIS C 61215-1:2020及びJIS C 61215-2:2020に規定された試験手順及び要求事項に対し,セ
ル技術固有の変更点について規定する。
    注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
          IEC 61215-1-3:2016,Terrestrial photovoltaic (PV)   odules−Design qualification and type approval

――――― [JIS C 61215-1-3 pdf 3] ―――――

2
C 61215-1-3 : 2020
              −Part 1-3: Special requirements for testing of thin-film amorphous silicon based photovoltaic (PV)
              modules(MOD)
            なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”
          ことを示す。

2 引用規格

  引用規格は,JIS C 61215-1:2020及びJIS C 61215-2:2020のこの箇条を変更なしで適用する。

3 用語及び定義

  JIS C 61215-1:2020のこの箇条を変更なしで適用する。

4 供試体

  JIS C 61215-1:2020のこの箇条を変更なしで適用する。

5 表示及び文書化

  JIS C 61215-1:2020のこの箇条を変更なしで適用する。

6 試験

  JIS C 61215-1:2020のこの箇条を,次の規定とともに適用する。
  PVモジュールの出力を,後述の11.19に規定する特別の要求事項とともにMQT 19の手順を使って安定
させるときには,特に注意を払わなければならない。

7 合格基準

  JIS C 61215-1:2020のこの箇条を,次の規定とともに適用する。
  JIS C 61215-1:2020の7.2.2において,再現精度rの最大許容値は2.0 %とする。

8 著しい目視欠陥

  JIS C 61215-1:2020のこの箇条を変更なしで適用する。

9 報告書

  JIS C 61215-1:2020のこの箇条を変更なしで適用する。

10 変更

  JIS C 61215-1:2020のこの箇条を変更なしで適用する。

11 試験フロー及び試験方法

  JIS C 61215-1:2020に規定されている試験フロー及び試験方法を適用する。

11.1 目視検査(MQT 01)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を変更なしで適用する。

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                                                                                              3
                                                                               C 61215-1-3 : 2020

11.2 最大出力の決定(MQT 02)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を変更なしで適用する。

11.3 絶縁試験(MQT 03)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を変更なしで適用する。

11.4 温度係数の測定(MQT 04)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を変更なしで適用する。

11.5 公称モジュール動作温度(NMOT)の測定(MQT 05)

  (この規格では不要なため,削除した。)

11.6 基準状態(STC)における性能(MQT 06)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を変更なしで適用する。

11.7 低放射照度における性能(MQT 07)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を変更なしで適用する。

11.8 屋外暴露試験(MQT 08)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を変更なしで適用する。

11.9 ホットスポット耐久試験(MQT 09)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を,次の規定とともに適用する。
11.9.1  目的
  JIS C 61215-2:2020のMQT 09の項を変更なしで適用する。
11.9.2  ホットスポット効果
  JIS C 61215-2:2020のMQT 09の項を変更なしで適用する。
11.9.3  セル間接続の分類
  JIS C 61215-2:2020のMQT 09の項を変更なしで適用する。
11.9.4  試験装置
  JIS C 61215-2:2020のMQT 09の項を変更なしで適用する。
11.9.5  手順
  JIS C 61215-2:2020のMQT 09.2をどのモノリシック集積(MLI) PVモジュールについても実施しなけ
ればならない。
  PVモジュールがセルの相互接続のように構成されている場合には,JIS C 61215-2:2020のMQT 09.1を
適用してもよい。
11.9.6  最終測定
  JIS C 61215-2:2020のMQT 09の項を変更なしで適用する。
11.9.7  要求事項
  JIS C 61215-2:2020のMQT 09の項を変更なしで適用する。

11.10 紫外線前処理試験(MQT 10)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を変更なしで適用する。

11.11 温度サイクル試験(MQT 11)

  JIS C 61215-2:2020のこの試験を,次の規定とともに適用する。
  JIS C 61215-2:2020のMQT 11に従って印加する必要のある電流は,0.1×STCにおける最大出力動作電
流と等しい値とする。

――――― [JIS C 61215-1-3 pdf 5] ―――――

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