28
C 6760 : 2014
チョクラルスキー法(LN,LT),ブリッジマン法(LBO) 水熱育成法(水晶)
1) 両端切断及び円筒剤加工
2) オリエンテーションフラ
ット製作
3) スライシング
4) 円筒研削(水晶の場合だ
け)
5) 両面ラッピング
6) ベベリング(面取り)
ウェハ断面図
7) ポリッシング
図B.4−一般的ウェハ加工の流れ図
B.2.2 両端切断及び円筒研削
育成結晶は,この結晶から加工するウェハの主面方位に近い角度となるように両端を切断し,目的のウ
ェハ径に等しい直径の円筒に加工する(切断面の両面又は片面の結晶方位は,10.3に従い測定する。)。
引上げ結晶の場合は,目的とするウェハの主面方位との角度のずれは,この切断面を基準面とする。
B.2.3 オリエンテーションフラット製作
SAWの伝搬方向を示すために,円筒側面部分の1か所以上に平面を形成する。
――――― [JIS C 6760 pdf 31] ―――――
29
C 6760 : 2014
この面は,後工程によって得たウェハの外周に直線部分を形成し,SAWの伝搬方向を示すことになる。
B.2.4 スライシング
結晶をスライシングする方法を,次に示す。
a) 外周切断 結晶に対して,ダイヤモンドブレードで,外側から切断する方法。
b) 内周切断 結晶に対して,丸く内側の空いたダイヤモンドブレードで,切断する方法。
c) ワイヤーソー切断又はブレード切断 往復運動するワイヤー又はブレード,及び遊離と(砥)粒(ス
ラリ)とで,切断する方法[遊離と(砥)粒には,SiC,ダイヤモンドなどを用いる]。
スライシングの厚さのばらつき,ワープ及び加工層は,後の加工工程に影響する。
B.2.5 両面ラッピング
両面ラッピングは,切断したウェハを規定した裏面粗さに仕上げ,スライシングの悪影響を除くため,
ポリッシングの前工程として行う。
一般的には湿式でと(砥)粒を,定盤と加工物との間に入れて研磨することによって行う。ラッピング
の速度は,と(砥)粒の大きさに比例して大きくするが,加工ひずみ層の深さも大きくなるので,と(砥)
粒の大きさを幾つかの段階に分けている。
B.2.6 ベベリング(面取り)
ウェハの外周部を面取りする目的は,その後の加工工程で,ウェハ外周のカケ及びその破片によるウェ
ハ主面でのキズの発生を防ぐことである。
また,面取りすることで温度ストレス及びハンドリングによるクラックの発生を防止する。
B.2.7 ポリッシング(鏡面研磨)
ウェハはスライシング,ラッピング及びベベリングの工程を経た後,加工ひずみ層のない平たん(坦)
な面を得るために,鏡面研磨をする。研磨したウェハ主面は,単結晶の性質を損なうもの(単分域,双晶
など)があってはならない。これは,結晶欠陥及び加工欠陥がウェハ表面に残存すると,SAWデバイスに
何らかの悪影響を及ぼすことがあるからである。
――――― [JIS C 6760 pdf 32] ―――――
30
C 6760 : 2014
C6
2
附属書JA
76
(参考)
0 : 2
JISと対応国際規格との対比表
014
JIS C 6760:2014 弾性表面波デバイス用単結晶ウェハ−仕様及び測定法 IEC 62276:2012 Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) evice
applications−Specifications and measuring methods
(I) JISの規定 (II) (III)国際規格の規定 (IV) JISと国際規格との技術的差異の箇条(V) JISと国際規格との技術的差
国際規格 ごとの評価及びその内容 異の理由及び今後の対策
番号
箇条番号 内容 箇条番号 内容 箇条ごと 技術的差異の内容
及び題名 の評価
3 用語及 3.2.4.1 還元反応処 3.2.5 JISとほぼ同じ 変更 項目番号変更 IEC改正提案
び定義 理LN
3.2.4.2 還元反応処 3.2.6 JISとほぼ同じ 変更 項目番号変更 IEC改正提案
理LT
3.3.3 双晶 3.3.3 結晶の欠陥 変更 単純に結晶の欠陥ではなく詳 IEC改正提案
細な説明を追加
3.4.2 基準面 3.4.2 基準面の条件 変更 基準面の条件d) を削除し,b) IEC改正提案
a) d) を定義 及びc) に“クランプしない状
態で”を追加
3.4.4 TV5 図1 3.4.4 外径から外側測定点まで 変更 外径から外側測定点までの距 IEC改正提案
の距離6 mm 離5 mm
3.4.5 TTV 3.4.5 JISとほぼ同じ 追加 図2に“ウェハ表面及びウェハIEC改正提案
裏面”の説明を追加
3.4.7 ソリ 3.4.7 JISとほぼ同じ 追加 図3Aを追加 IEC改正提案
3.4.8 FPD 3.4.10 JISとほぼ同じ 変更 項目番号変更 IEC改正提案
3.4.9 LTV 3.4.8 JISとほぼ同じ 変更 項目番号変更 IEC改正提案
追加 図4に“サイト1,サイト2,
サイト3及びサイトn”の説明
を追加
3.4.10 PLTV 3.4.9 JISとほぼ同じ 変更 項目番号変更 IEC改正提案
3.5.7 オレンジピー 3.5.7 JISとほぼ同じ 追加 国内における一般的な表現“梨
ル 地”を追加
――――― [JIS C 6760 pdf 33] ―――――
31
C 6760 : 2014
(I) JISの規定 (II) (III)国際規格の規定 (IV) JISと国際規格との技術的差異の箇条(V) JISと国際規格との技術的差
国際規格 ごとの評価及びその内容 異の理由及び今後の対策
番号
箇条番号 内容 箇条番号 内容 箇条ごと 技術的差異の内容
及び題名 の評価
3 用語及 3.6.5 面方位 3.6.5 JISとほぼ同じ 追加 IEC改正提案
“ウェハ方位,又は単に方位と
び定義 もいう。”を追加
(続き) 3.6.6 面方位及び 3.6.6 JISとほぼ同じ 追加 圧電単結晶のオイラ角による IEC改正提案
SAW伝搬方向の表 面方位表示法が附属書Aに規
記法 定してあることを説明
4 要求事 4.2.2 直径及び許容 4.2.2 JISとほぼ同じ 追加 直径及び許容差の呼び名とし IEC改正提案
項 差 て,表記方法“76.2 mmウェハ,
100 mmウェハ,125 mmウェ
ハ及び150 mmウェハ”を追加
4.2.3 厚さ及び許容 4.2.3 JISとほぼ同じ 変更 IEC改正提案
thickness toleranceはthickness
差 の間違いと解釈し,ウェハの厚
さとした。
4.2.13 水晶ウェハ 4.2.13 貫通していないエッチチ 変更 貫通していないエッチチャン IEC改正提案
種子部のエッチチ ャンネル数の等級区分な ネルの最大数を等級に区分し,
ャンネル数及び位 し 表2Aに規定した。
置 貫通しているエッチチャ 貫通しているエッチチャンネ
ンネル数の規定なし ルがあってはならないことを
規定
4.2.16 格子定数 4.2.16 LiTaO3の格子定数 変更 LiTaO3のa軸格子定数 IEC改正提案
0.515 39 nm±0.000 02 nm 0.515 40 nm±0.000 02 nm
5 抜取検 5 JISとほぼ同じ 追加 IEC改正提案
試験方法,品質保証限界を規定
査 している箇条を明記
8 キュリ 8.1 一般 8.1 顧客が,複数の製造業者 変更 次のように変更。 IEC改正提案
ー温度測 のウェハを使用する場合 キュリー温度測定には示差熱
定法 は,相関をとることが必 分析法(Differential Thermal
要である。 Analysis)又は誘電率測定法を
C6
用いるが,どちらを用いるかは
7
製造業者と顧客との協定によ
60
る。
: 2014
2
――――― [JIS C 6760 pdf 34] ―――――
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C 6760 : 2014
C6
2
(I) JISの規定 (II) (III)国際規格の規定 (IV) JISと国際規格との技術的差異の箇条(V) JISと国際規格との技術的差
国際規格 ごとの評価及びその内容 異の理由及び今後の対策
760
番号
: 2
箇条番号 内容 箇条番号 内容 箇条ごと 技術的差異の内容
0
及び題名 の評価
14
9 格子定 9 1 変更 θをラジアンで表記 IEC改正提案
180 1 2
数測定法 2 数式の180°をπに変更
(ボンド 面指数(33,0),d33,0 面指数(60-60)hex,d660
法)
10 X線に 10.3 ウェハ主面の 10.3 JISとほぼ同じ 追加 条件の補足説明追加 IEC改正提案
よる面方 面方位測定 “ただし,ウェハ主面が基準面
位測定法 から+Z側を,αの正符号(α
>0)とする。”
11 体積抵 11.1 ウェハの抵抗 11.1 絶縁抵抗 変更 絶縁抵抗の範囲を変更 IEC改正提案
抗率の測 測定 1.0×1081016 Ω 1.0×1081014 Ω
定
11.2 電極 11.2 JISとほぼ同じ 追加 表4及び図13が一例であるこ IEC改正提案
とを追加
附属書A 表A.1 SAWウェハ Table A.1JISとほぼ同じ 変更 オイラ角表示の修正 IEC改正提案
(規定) の略語及び定義
図A.3 オイラ角で Figure JISとほぼ同じ 変更 オイラ角表示の修正による図 IEC改正提案
表示した代表的ウ A.3 面の修正
ェハの方位関係
JISと国際規格との対応の程度の全体評価 : IEC 62276:2012,MOD
注記1 箇条ごとの評価欄の用語の意味は,次による。
− 追加·················· 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
− 変更·················· 国際規格の規定内容を変更している。
注記2 JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は,次による。
− MOD··············· 国際規格を修正している。
JIS C 6760:2014の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 62276:2012(MOD)
JIS C 6760:2014の国際規格 ICS 分類一覧
- 31 : エレクトロニクス > 31.140 : 圧電素子及び誘電素子
JIS C 6760:2014の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISZ9015-1:2006
- 計数値検査に対する抜取検査手順―第1部:ロットごとの検査に対するAQL指標型抜取検査方式