JIS C 6760:2014 弾性表面波デバイス用単結晶ウェハ―仕様及び測定法

                                                                                   C 6760 : 2014

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[1]
•  3 用語及び定義・・・・[2]
•  3.1 SAWウェハに用いる単結晶・・・・[2]
•  3.2 LN及びLT結晶・・・・[2]
•  3.3 全ての結晶・・・・[3]
•  3.4 平たん(坦)度・・・・[3]
•  3.5 外観欠陥・・・・[6]
•  3.6 その他・・・・[7]
•  4 要求事項・・・・[8]
•  4.1 材料仕様・・・・[8]
•  4.2 ウェハ仕様・・・・[8]
•  5 抜取検査・・・・[11]
•  5.1 抜取り・・・・[11]
•  5.2 抜取検査の数・・・・[12]
•  5.3 全数検査・・・・[12]
•  6 試験方法・・・・[12]
•  6.1 直径・・・・[12]
•  6.2 厚さ・・・・[12]
•  6.3 OF寸法・・・・[12]
•  6.4 OF方位・・・・[12]
•  6.5 TV5・・・・[12]
•  6.6 ワープ(Warp)・・・・[12]
•  6.7 TTV・・・・[12]
•  6.8 鏡面の欠陥・・・・[12]
•  6.9 包有物・・・・[13]
•  6.10 裏面粗さ・・・・[13]
•  6.11 面方位・・・・[13]
•  6.12 キュリー温度・・・・[13]
•  6.13 格子定数・・・・[13]
•  6.14 体積抵抗率・・・・[13]
•  7 こん(梱)包,表示及び出荷条件・・・・[13]
•  7.1 こん(梱)包・・・・[13]
•  7.2 表示・・・・[13]

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――――― [JIS C 6760 pdf 1] ―――――

C 6760 : 2014

pdf 目次

ページ

•  7.3 出荷条件・・・・[13]
•  8 キュリー温度測定法・・・・[13]
•  8.1 一般・・・・[13]
•  8.2 示差熱分析法・・・・[13]
•  8.3 誘電率測定法・・・・[14]
•  9 格子定数測定法(ボンド法)・・・・[15]
•  10 X線による面方位測定法・・・・[16]
•  10.1 測定原理・・・・[16]
•  10.2 測定法・・・・[16]
•  10.3 ウェハ主面の面方位測定・・・・[16]
•  10.4 OF方位の測定・・・・[17]
•  10.5 各材料の主面の基準面・・・・[17]
•  11 体積抵抗率の測定・・・・[17]
•  11.1 ウェハの抵抗測定・・・・[17]
•  11.2 電極・・・・[18]
•  11.3 体積抵抗率・・・・[19]
•  12 目視検査・・・・[19]
•  12.1 鏡面検査法・・・・[19]
•  附属書A(規定)圧電単結晶のオイラ角による面方位表示法・・・・[21]
•  附属書B(参考)SAWウェハの製造方法・・・・[24]
•  附属書JA(参考)JISと対応国際規格との対比表・・・・[30]

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――――― [JIS C 6760 pdf 2] ―――――

                                                                                   C 6760 : 2014

まえがき

  この規格は,工業標準化法第12条第1項の規定に基づき,日本水晶デバイス工業会(QIAJ)及び一般
財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を制定すべきとの申出があり,
日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格(日本産業規格)である。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。

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――――― [JIS C 6760 pdf 3] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              C 6760 : 2014

弾性表面波デバイス用単結晶ウェハ−仕様及び測定法

Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) evice applications- Specifications and measuring methods

序文

  この規格は,2012年に第2版として発行されたIEC 62276を基とし,我が国の実情を考慮して,技術的
内容を変更して作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
  なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。
変更の一覧表にその説明を付けて,附属書JAに示す。

1 適用範囲

  この規格は,弾性表面波(以下,SAWという。)フィルタ及び弾性表面波共振子に基板材料として用い
る水晶,ニオブ酸リチウム,タンタル酸リチウム,四ほう酸リチウム及びランガサイトのウェハについて
規定する。
    注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
          IEC 62276:2012,Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW)   evice applications−
              Specifications and measuring methods(MOD)
            なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”
          ことを示す。

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで,西暦年を付記してあるものは,記載の年の版を適用し,その後の改正版(追補を含む。)
は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 6704:2009 人工水晶
      注記 対応国際規格 : IEC 60758:2008,Synthetic quartz crystal−Specifications and guidelines for use
             (MOD)
    JIS Z 9015-1 計数値検査に対する抜取検査手順−第1部 : ロットごとの検査に対するAQL指標型抜
        取検査方式
      注記1 対応国際規格 : IEC 60410:1973,Sampling plans and procedures for inspection by attributes
              (MOD)
      注記2 対応国際規格で引用するIEC 60410:1973は,対応JISが制定されていないが,この規格で
              の引用事項は,JIS Z 9015-1の規定事項と同等である。

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C 6760 : 2014

3 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,JIS C 6704によるほか,次による。

3.1 SAWウェハに用いる単結晶

3.1.1
アズグロウン人工水晶(as-grown synthetic quartz crystal)
  水熱合成法によって育成した右手又は左手水晶の単結晶。
    注記 “アズグロウン”とは,機械による加工前の状態をいう。
3.1.2
ニオブ酸リチウム,LN(lithium niobate)
  融液からチョクラルスキー法などによって育成し,LiNbO3の化学式で表す単結晶。
    注記 附属書Bに,製造方法を参考として示す。
3.1.3
タンタル酸リチウム,LT(lithium tantalate)
  融液からチョクラルスキー法などによって育成し,LiTaO3の化学式で表す単結晶。
    注記 附属書Bに,製造方法を参考として示す。
3.1.4
四ほう酸リチウム,LBO(lithium tetraborate)
  融液からチョクラルスキー法,ブリッジマン法などによって育成し,Li2B4O7の化学式で表す単結晶。
3.1.5
ランガサイト,LGS(lanthanum gallium silicate)
  融液からチョクラルスキー法などによって育成し,La3Ga5SiO14の化学式で表す単結晶。

3.2 LN及びLT結晶

3.2.1
キュリー温度(curie temperature)
  示差熱分析法又は誘電率測定法によって測定した,強誘電相と常誘電相との間の相転移温度。
3.2.2
単分域(single domain)
  強誘電体結晶の電気的分極が,単一方向に形成する領域。
3.2.3
単分域化(polarization)
  強誘電相の分域方向を,単一方向にそろえる操作。
3.2.4
還元反応処理(reduction process)
  焦電効果を抑制し,導電率を大きくする処理。
3.2.4.1
還元反応処理LN(reduced LN)
  還元反応処理を行ったLNウェハ。
    注記 ブラックLNともいう。
3.2.4.2
還元反応処理LT(reduced LT)

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