この規格ページの目次
18
C 7030-1993
ic
hoe
vce
ここに, vg vce
ic
Rc
(b) ベース接地の場合 供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし,出力側から規定の周波数の信
号を加えて,高インピーダンス交流電圧計でvg及びvbを測定する。このときの開路小信号出力アド
ミタンス (hob) を,次の式によって算出する。
ic ib
hob ≒
vcb vcb
ここに, vb
ib , vcb=vg−vb
Rb
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 測定周波数
(c) 接地方式
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.21 閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定
閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタの順電流増幅率遮断周波数を測定することを
目的とする。
(2) 測定回路 ベース接地での1系統測定回路及び2系統測定回路の一例を,図24及び図25に示す。
図24 閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定回路(1系統)
――――― [JIS C 7030 pdf 21] ―――――
19
C 7030-1993
図25 閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定回路(2系統)
(3) 手順 手順は,次による。
(a) 1系統測定回路の場合 供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし,スイッチSを減衰器側に
して,低周波での出力を高インピーダンス交流電圧計で読み取る。次にスイッチSを短絡側にして
信号周波数を増加し,高インピーダンス交流電圧計の読みが前述の値に等しくなる周波数を求める。
この周波数が順電流増幅率遮断周波数である。
備考1. 測定回路は,少なくとも測定範囲内で周波数依存性をもたないこと。すなわち,供試トラン
ジスタを回路から外し,バイアスを掛けずにエミッタ・コレクタ間を短絡した状態で,信号
周波数の変化に対して高インピーダンス交流電圧計の読みが変化しないことを,スイッチS
の両位置について確認する。
2. 低周波とは,遮断周波数の301以下の周波数とする。
(b) 2系統測定回路の場合 供試トランジスタDUTの電圧及び電流を規定値とする。低周波で,スイッ
チS2を短絡側にしてスイッチS1の両位置について高インピーダンス交流電圧計の読みが同じにな
るように可変減衰器を調整する。
次に,スイッチS2を3dB減衰器側にし,スイッチS1の両位置について高インピーダンス交流電
圧計の読みが同じになるように,信号周波数を増加する。この同じになる周波数が順電流増幅率遮
断周波数である。
――――― [JIS C 7030 pdf 22] ―――――
20
C 7030-1993
備考1. 負荷抵抗器Rcとして,高インピーダンス交流電圧計の感度の制限から十分小さくできないと
1の条件が満足できな
か,供試トランジスタのhobが十分小さくないといったことからRc《 hob
いような場合には,供試トランジスタと同種の標準的なトランジスタTr、を接続することで,
平衡置換回路系の出力インピーダンスを供試トランジスタ回路系のそれに近似させ,測定誤
差を小さくすることができる。
2. 低周波としては,遮断周波数値の301以下とする。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 接地方式
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.22 出力静電容量測定
出力静電容量測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタの出力静電容量を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 2端子ブリッジを用いた場合と3端子ブリッジを用いた場合の測定回路の一例を,図26及
1
び図27に示す。2端子ブリッジを用いた場合, が十分に満足できない場合には図26(2)を用い
hob
てもよい。
図26 出力静電容量測定回路(2端子ブリッジ)
――――― [JIS C 7030 pdf 23] ―――――
21
C 7030-1993
図26 (続き)
図27 出力静電容量測定回路(3端子ブリッジ)
(3) 手順 図26及び図27の測定回路とも,回路接続状態でキャパシタンスブリッジをゼロ調整した後,
供試トランジスタを測定用ソケットに挿入し,規定のバイアス条件に設定して出力静電容量(Ccbo又
はCcbx)を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(4.1) コレクタ・ベース間電圧
(4.2) エミッタの状態
(a) cbo又はCobの場合はエミッタ開放
(b) cbxの場合は交流短絡,直流開放
(c) cbxの場合は交流開放,直流バイアス
(d) cbxの場合は交流短絡,直流バイアス
(4.3) 測定周波数
(4.4) 測定回路
――――― [JIS C 7030 pdf 24] ―――――
22
C 7030-1993
(4.5) 周囲温度又は基準点温度
6.1.23 入力静電容量測定
入力静電容量測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタの入力静電容量を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図28に示す。
図28 入力静電容量測定回路
(3) 手順 回路接続状態でブリッジをゼロ調整した後,供試トランジスタを測定用ソケットに挿入し,規
定のバイアスを印加して,エミッタ・ベース間容量[入力静電容量 (Ceb)]を測定する。
備考1. ブリッジは,出力端子間の直列抵抗値が低くなければならない。
2. 出力側(コレクタ・ベース間)は,交流的に短絡か又は開放で測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) コレクタ・ベース間電圧
(b) エミッタ・ベース間電圧又はコレクタ電流
(c) 測定周波数
(d) コレクタ・ベース間の交流に対する状態
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.1.24 ベース時定数測定
ベース時定数測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタのベース時定数を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 低周波の場合と中間周波の場合の測定回路の一例を,図29及び図30に示す。
――――― [JIS C 7030 pdf 25] ―――――
次のページ PDF 26
JIS C 7030:1993の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60747-7:1988(NEQ)
- IEC 60747-8:1984(NEQ)