JIS C 8377:2021 半導体保護用ヒューズリンク

                                                                                   C 8377 : 2021

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[2]
•  3 用語及び定義・・・・[2]
•  3.1 ヒューズ及びその構成部品に関する定義・・・・[2]
•  3.2 一般用語に関する定義・・・・[3]
•  3.3 特性に関する定義・・・・[5]
•  4 使用状態・・・・[8]
•  4.1 一般事項・・・・[8]
•  4.2 周囲温度(Ta)・・・・[8]
•  4.3 標高・・・・[8]
•  4.4 大気条件・・・・[8]
•  4.5 電圧・・・・[8]
•  4.6 電流・・・・[8]
•  4.7 周波数,力率及び時定数・・・・[9]
•  4.8 装置の状態・・・・[9]
•  4.9 用途区分・・・・[9]
•  4.10 外箱内の温度・・・・[9]
•  5 ヒューズリンクの特性・・・・[9]
•  5.1 特性の概要・・・・[9]
•  5.2 定格電圧・・・・[10]
•  5.3 定格電流・・・・[11]
•  5.4 定格周波数・・・・[11]
•  5.5 ヒューズリンクのワット損・・・・[11]
•  5.6 時間-電流特性の制限・・・・[12]
•  5.7 遮断領域及び遮断容量・・・・[14]
•  5.8 限流特性及びI2t特性・・・・[15]
•  5.9 動作過電圧特性・・・・[17]
•  6 表示・・・・[17]
•  6.1 一般事項・・・・[17]
•  6.2 ヒューズリンクの表示・・・・[18]
•  6.3 表示記号・・・・[18]
•  7 構造の標準条件・・・・[18]
•  7.1 機械的設計・・・・[18]
•  7.2 ヒューズリンクの温度上昇及びワット損・・・・[19]

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――――― [JIS C 8377 pdf 1] ―――――

           C 8377 : 2021

pdf 目次

ページ

•  7.3 動作・・・・[19]
•  7.4 遮断容量・・・・[19]
•  7.5 限流特性・・・・[19]
•  7.6 I2t特性・・・・[19]
•  7.7 動作過電圧・・・・[20]
•  7.8 特別動作条件・・・・[20]
•  8 試験・・・・[20]
•  8.1 一般・・・・[20]
•  8.2 温度上昇及びワット損の検証・・・・[24]
•  8.3 動作の検証・・・・[26]
•  8.4 遮断容量の検証・・・・[29]
•  8.5 限流特性の検証・・・・[39]
•  8.6 I2t特性の検証・・・・[39]
•  8.7 動作過電圧特性の検証及び試験結果の評価・・・・[40]
•  附属書A(参考)短絡力率の測定・・・・[41]
•  附属書B(規定)半導体保護用ヒューズリンクに関して製造業者が文書で提供する情報・・・・[43]
•  附属書JA(参考)JISと対応国際規格との対比表・・・・[44]

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                                                                                  C 8377 : 2021

まえがき

  この規格は,産業標準化法第12条第1項の規定に基づき,一般社団法人日本電機工業会(JEMA)及
び一般財団法人日本規格協会(JSA)から,産業標準原案を添えて日本産業規格を制定すべきとの申出が
あり,日本産業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本産業規格である。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本産業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。

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                                      日本産業規格                            JIS
                                                                              C 8377 : 2021

半導体保護用ヒューズリンク

Requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

序文

  この規格は,2009年に第5版として発行されたIEC 60269-4,2012年に発行されたAmendment 1及び
2016年に発行されたAmendment 2を基とし,技術的内容を変更して作成した日本産業規格である。ただ
し,追補(amendment)については,編集し,一体とした。
  なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。
技術的差異の一覧表にその説明を付けて,附属書JAに示す。

1 適用範囲

  この規格は,公称電圧が交流1 500 V以下又は直流1 500 V以下の回路の半導体デバイスを含む機器用
のヒューズリンクについて規定する。
  注記1 このようなヒューズリンクを,一般に“半導体保護用ヒューズリンク”という。
  注記2 多くの場合,関連機器の一部はヒューズベースの役割を果たす。機器は多様であるため,共通
          的な要求事項は,規定することは不可能である。関連機器のヒューズベースの役割としての適
          合性は,製造業者と使用者との協定によることが必要である。
  注記3 対応国際規格の注記3は,IEC 60269-3に関する記述であるため,この規格では適用しない。
  注記4 対応国際規格の注記4は,IEC 60038に関する記述であるため,この規格では適用しない。
  この規格は,寸法が同一である場合に,特性が同一のほかのヒューズリンクと置き換えることができる
ように半導体保護用ヒューズリンクの特性を規定している。
  この規格は,特に次の事項について規定する。
a) ヒューズリンクの特性
  1) 定格値
  2) 通常の使用状態における温度上昇
  3) ワット損
  4) 時間−電流特性
  5) 遮断容量
  6) 限流特性及びI2t特性
  7) 動作過電圧特性
b) ヒューズリンクの特性検証のための形式試験
c) ヒューズリンクの表示

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C 8377 : 2021
d) 技術データの提供 附属書Bによる。
  注記5 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
          IEC 60269-4:2009,Low-voltage fuses−Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the
              protection of semiconductor devices+Amendment 1:2012+Amendment 2:2016(MOD)
            なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”こ
          とを示す。

2 引用規格

  次に掲げる引用規格は,この規格に引用されることによって,その一部又は全部がこの規格の要求事項
を構成している。これらの引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS Z 8601 標準数
      注記 対応国際規格における引用規格 : ISO 3,Preferred numbers−Series of preferred numbers
    IEC 60417,Graphical symbols for use on equipment

3 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。

3.1 ヒューズ及びその構成部品に関する定義

3.1.1
ヒューズ(fuse)
  ある一定値を超える電流が,ある時間流れたとき,特別に設計された一つ又はそれ以上の可溶部分の溶
断によって,電流を遮断し回路を開放する装置。ヒューズは,装置を構成する全ての部品からなる。
3.1.2
ヒューズホルダ(fuse-holder)
  ヒューズベースとヒューズキャリヤとの組合せ
  注釈1 この規格で“ヒューズホルダ”とある場合には,特に明確な区別が不要な場合は,ヒューズベ
          ース及び/又はヒューズキャリヤを示す。
3.1.2.1
ヒューズベース[fuse-base (fuse-mount)]
  接触部及び端子を備えるヒューズの固定部分
  注釈1 必要な場合,ヒューズベースの部品にカバーを含む。
3.1.2.2
ヒューズキャリヤ(fuse-carrier)
  ヒューズリンクを保持するように設計されたヒューズの可動部分
3.1.3
ヒューズリンク(fuse-link)
  ヒューズエレメント(単数又は複数)を含み,ヒューズが動作した後,交換されるヒューズの部分

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