JIS X 6149:2003 情報交換用８ｍｍ幅，磁気テープカートリッジ－ヘリカル走査記録－マンモステープ２様式 | ページ 16

                                                                                             71
                                                                X 6149 : 2003 (ISO/IEC 18836 : 2001)
             附属書K(規定)サーチフィールドのCRCの生成条件
  サーチフィールドCRCの生成は,次の生成多項式による。
                         g(x)   16  x12  x5  1
  情報多項式は,GF (2) とし,サーチフィールドバイトの全ビットから算出する。サーチフィールドの最
初のバイトは,最上位係数を形成し,最後のバイトは最下位係数を形成する。論理CRCは,情報多項式に
x32を乗じて(乗算し),次にg (x) で除算して得られる剰余とする。各バイトにおいて,ビット7を最上位
係数とし,ビット0を最下位係数とする。情報多項式は,x16を乗じて(乗算し),次にg (x) で除算する。
剰余が16ビットCRCである。CRCレジスタは,各サーチフィールドごとに初期値 (FFFF) に設定する。

――――― [JIS X 6149 pdf 76] ―――――

72
X 6149 : 2003 (ISO/IEC 18836 : 2001)
                      附属書L(規定)サーチフィールドECC
  サーチフィールドECCのチェックバイトは,リードソロモン符号とする。フィールドの生成多項式は,
次による。
                         gf (x)   x8  x4  x3  x2  1
  ECCの生成多項式は,次による。
                                 7
                                        i
                         gsf (x)   (x    )愀
                                i0
  チェックバイトは,32個のサーチフィールドバイト及び2個のCRCバイトから情報多項式を算出して
得る。サーチフィールドの第1バイトは,最上位係数とし,第34バイトは最下位係数とする。情報多項式
は,x8を乗じて(乗算し),次にgsf (x) を除算して得る。剰余多項式をサーチフィールドのチェックバイ
トとする。剰余の最上位係数は,最下位チェックバイトとし,最下位係数は,最上位チェックバイトとす
る。

――――― [JIS X 6149 pdf 77] ―――――

                                                                                             73
                                                                X 6149 : 2003 (ISO/IEC 18836 : 2001)
                      附属書M(規定)ビットシフトの測定法
  試験テープは,情報交換に使用する磁気テープ装置で記録する。
M.1 読取り装置 測定は,本体10. に規定する要求事項のもとで行う。読取りヘッドの出力電圧の絶対
値は,規定しない。ただし,読取りヘッド,回転トランス,前置増幅器,ヘッドとテープとの相対速度及
び等化器は,低い信号対雑音比に起因する問題が発生しないように選択する。
M.2 測定方法 ビットシフトは,再生電圧波形をデジタル記録する計数信号処理を用いて等化器の出力
で測定する。信号取込みは,物理データブロックの最初のビットで始まり,物理データブロックのチャネ
ルビットを少なくとも25 000個読取った時点で終わる。信号処理のアルゴリズムは,次の段階で実行する。
a) 物理データブロックからのデジタル波形をファーストフーリエ変換のようなタイミング抽出アルゴリ
    ズムに入力する。タイミング抽出アルゴリズムは,このゾーンからのリードバック検査信号のビット
    間隔の公称中心位置に対応する一連の一定間隔の基準タイムを生成する。これらの基準タイムは,b)
     d) を実行したとき,d) に指定したビットエラー率を満足するように,十分に正確であることとす
    る。
b) 一連の基準タイムを,同一の周波数及び位相で残りの信号キャプチャ間隔に拡張する。これらの基準
    タイムが,物理データブロックからのリードバックチャネルビット信号のビット間隔での公称中心位
    置のタイミングを定義する。
c) 物理データブロックから取り込んだビット間隔での公称中心位置で,再生電圧を2 %よりも高い精度
    で測定する。
d) 物理データブロックから取り込んだ各ビット間隔について,ビットエラー率が1/10 000よりも小さい
    検出方法を使用して,テープ上の対応するビットセルの状態を推測する。ヘッド走行方向に磁化され
    ている各ビットセルに,+1のデータ値Dを割り当て,ヘッド走行と反対方向に磁化されている各ビ
    ットセルに,1のデータ値Dを割り当てる。
e) 各ビットセルについて,4要素のベクトルを作成し,各要素に1, 2, 3, 4と番号を付ける。第3要素の
    D3の値は,現在のビットセルのデータ値Dとし,第4要素のD4の値が,次のビットセルのデータ値
    Dとする。第1要素及び第2要素の値D1とD2は,それぞれ前の2個のビットセルのデータ値Dとす
    る。その結果,ベクトル値は16個のベクトル値の一つのベクトル値i をもつ。
f)  16個の各ベクトル値について,ベクトル値がそのベクトル値iをもつすべてのビットセルの c) で測
    定した再生電圧の平均値Viを計算する。
g) 16個の各ベクトル値ごとに,電圧平均値とデータ値からボルテラシリーズを作成する。各シリーズは,
    次による。
      Vi = A0000+                                    (d.c. 成分)
                    A0010D3
          + A0100D2 +                                (信号成分)
                    A0001D4
          + A1000D1 +                                (線形 ISI 成分)
                      A0110D2D3 + A0011D3D4
          + A1100D1D2 +                              (非線形 ISI 成分)
                      A0101D2D4 +
          + A1010D1D3 +          A1001D1D4           (高次線形 ISI 成分の続き)
          + A1101D1D2D4 +  A1011D1D3D4 +  A1111D1D2D3D4 (高次線形 ISI 成分の続き)

――――― [JIS X 6149 pdf 78] ―――――

74
X 6149 : 2003 (ISO/IEC 18836 : 2001)
          + A1110D1D2D3 + A0111D2D3D4                (ビットシフトに関係する非線形 ISI 成分)
h)   ) で定義する16個の連立方程式を解くことによって,ボルテラ係数の A0000 A1111を算出する。
i)  ビットシフトに対する非線形シンボル間 ISI干渉を示すボルテラ係数は, A1110 及びA0111になる。
 参考 この方法の論理的根拠は,次の文献に記述されている。
       Newby, P. and Wood, R., 1986
       “The Effects of Nonlinear Distortion on Class IV Partial Response”
       IEEE Transactions on Magnetics
       Volume MAG-22, Number 5, September 1986, Page 1203
       この方法の適用は,次の文献に記述されている。
       Williams, C.H., 1990
       “The Measurement and Classification of Impairment for DVTR Transports”
       8th Conference on Video, Audio and Data Recording
       IEEE Conference Publication No. 319, page 67

――――― [JIS X 6149 pdf 79] ―――――

                                                                                             75
                                                                X 6149 : 2003 (ISO/IEC 18836 : 2001)
                               附属書N(参考)輸送条件
  この附属書は,カートリッジの望ましい輸送条件を記述するもので,規定の一部ではない。
N.1   環境条件 カートリッジの輸送時の環境条件は,次によることが望ましい。
    温度        :  4045°C
    相対湿度  : 580 %
    湿球温度  : 26 °C 以下
   カートリッジの内部及び表面は,結露してはならない。
N.2 カートリッジの輸送条件 カートリッジの輸送は,次による。
N.2.1 衝撃及び振動 輸送中のカートリッジへの損傷を最小限にするために,次のような対策を取ること
が望ましい。
  − カートリッジを変形させるおそれがある機械的な荷重を加えてはならない。
  − カートリッジは,1 mを超える高さから落下させてはならない。
  − カートリッジは,十分な衝撃吸収材をもった強固な箱の中に収納する。
  − カートリッジの収納箱は,内部が清浄で,かつ,じんあい(塵埃),水などの侵入がない構造とする。
  − カートリッジの収納箱内での収納方法は,テープリールの中心軸が水平になるようにする。
  − カートリッジの収納箱は,正しい方向(天地)に置けるように明確な表示をする。
N.2.2 極端な温度及び湿度 温度及び湿度の急激な変化は,どのような場合でも可能な限り回避する。輸
送されたカートリッジは,必ず使用環境条件に最低24時間放置する。
N.2.3 誘導磁界の影響 カートリッジとカートリッジ収納箱の最外壁との距離は,外部磁界の影響による
信号破壊の危険性を最小限にするため,80 mm以上とする。