JIS X 6280:2011 情報交換用130mm/9.1GB光ディスクカートリッジ | ページ 27

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X 6280 : 2011 (ISO/IEC 22092 : 2002)
1+Ha
ea es
1+Hs
+
x Ha y

図V.4−実際のサーボのエラー信号を変換することによってesを得るようにした基準サーボ方法

――――― [JIS X 6280 pdf 131] ―――――

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X 6280 : 2011 (ISO/IEC 22092 : 2002)
附属書W
(参考)
現在及び将来の規格で実装される値
この規格は,この規格に適合する光カートリッジを識別するバイトの値を規定する。他のタイプのODC
が将来開発されることを期待し,次の値を他のカートリッジに使用することを推奨する。
W.1 制御トラックPEPゾーンのバイト0
ビット64の設定の意味は,次による。
000 角速度一定方式(CAV)
001 線速度一定方式(CLV)
010 ゾーン化された角速度一定方式(ZCAV)
011 ゾーン化された線速度一定方式(ZCLV)
110 ロジカルZCAV
W.2 制御トラックPEPゾーンのバイト7
次のビットパターンの意味は,次による。
0000 0000 再生専用カートリッジ(ROM)
0001 0000 不可逆記録を用いる追記形カートリッジ
0001 0001 MO記録を用いる追記形カートリッジ
0010 0000 MO記録を用いる書換形カートリッジ
0101 0001 DOW記録を用いる追記形カートリッジ
0110 0000 DOW記録を用いる書換形カートリッジ
0011 0000 相変化記録を用いる書換形カートリッジ
1001 0000 追記形カートリッジのパーシャルROM
1010 0000 MOのパーシャルROM
1011 0000 相変化のパーシャルROM
0110 0000 ダイレクトオーバーライト
1110 0000 部分的にエンボスをもつダイレクトオーバーライト
0001 0011 追記形ダイレクトオーバーライト
最上位ビットが1のとき,パーシャルROMを示すことに注意する。
17.3.2.1.4を参照。

――――― [JIS X 6280 pdf 132] ―――――

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X 6280 : 2011 (ISO/IEC 22092 : 2002)
附属書X
(参考)
基板の垂直複屈折の測定
この附属書は,両面に薄膜が形成されていない基板及び薄膜が形成された基板に適用できる,記録メデ
ィアの垂直複屈折を,簡易かつ非接触で測定する方法について記述する。
この技術は,ある手順を用いて,面内複屈折(IPB)及び垂直複屈折(VB)の両方の平均値又はバルク
値を算出するものである。測定は,角度可変形分光エリプソメータ(VASE)を用いる。この規格の簡易な
測定では波長可変機能は必要としない。射出成形の樹脂ディスクには有効であるが,測定は,基板の主な
光軸がディスクのr,Φ,z方向と一致すると仮定する。また,測定は,測定された光学位相差に対して,
MO薄膜のMOだ(楕)円率の影響が基板材料のものより十分小さいと仮定する。
入射角の範囲の直交する偏光間の位相差を測定して,三つの方向(Nr,NΦ,Nz)に対する基板屈折率を
独自に決定する。入射角の範囲は,小角度での機構的制約,及び大角度でのビーム外れで制限するのが望
ましい。角度の推奨範囲は,−70°+70°である。一般に,三つの入射角度での測定が,VBを確立す
るために最低限必要となる。
薄膜が形成されたディスクを測定するとき,入射ビームは,ディスク表面及びMO層の両方で反射する
(図X.1参照)。基板が比較的薄い(1.2 mm)ため,両方の反射光が検出器に入射する。不要な表面反射
光を排除するため,薄く(<0.5 mm)硬い,細長い小さな遮光板を用いる。遮光板は,入射光の反射する
位置に,記録メディアにほぼ近接するように設置される。この遮光板の位置を調整し,反射点での反射信
号が最大になるようにする。この状態で,表面反射光は遮断され,内面(薄膜面)からの底部反射光だけ
が偏光検出器を通過できる(図X.1参照)。
注記 遮光板を入射光源に近づけすぎた場合には,主光束が遮られ,信号が降下する。反射点から遠
ざけすぎた場合には,両方の反射光が遮られ,再び信号が低下する。
透明基板の場合,VASEを直線モードに設定し,透過測定することによって可能であり,接触は必要な
い。
主光軸がディスクの円柱座標軸方向に向いている(これはほとんど一般的なケースである)ディスクで
は,入射角の関数としての位相遅延を記録メディアの屈折率(Nr,NΦ,Nz)に関連付ける次の式が成り立
つ。位相遅延データを次に示す非線形解析式にフィッティングさせ,屈折率が決まる。
N
d N2r sin 2 N2z sin 2
Nz
ここに, Δ : 位相遅延量
d : ディスクの厚さ
複屈折は,次の屈折率間の差となる。
面内 : ΔNin=Nr−NΦ
垂直 : ΔNvert=0.5(Nr+NΦ)−Nz
無単位の複屈折は,ΔNin又はΔNvertを基板の厚さdで乗じることによって,長さの単位で表すことがで
きる。この場合,複屈折は,位相遅延量(nm)として表される。

――――― [JIS X 6280 pdf 133] ―――――

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X 6280 : 2011 (ISO/IEC 22092 : 2002)
不要反射光
検出器
プローブ光
ディスク
(a)
不要反射光
光ブロック
プローブ光
ディスク
(b)
図X.1−(a)−不要反射光の発生 (b)−非接触光ブロック法による不要反射光の除去

――――― [JIS X 6280 pdf 134] ―――――

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X 6280 : 2011 (ISO/IEC 22092 : 2002)
附属書Y
(参考)
タイプWOのODCを使用するためのガイドライン
この附属書では,この規格で規定するタイプWOのカートリッジを使用するときに注意すべき重要なポ
イントを列挙する。
a) カートリッジを駆動装置に挿入し,メディアタイプを確認するとき,PEP及び/又はSFPを読み取り,
適切なホストコマンドを有効及び/又は無効にする。駆動装置がこのカートリッジタイプを利用でき
ない場合は,適切なエラーメッセージでディスクを拒絶し,ディスク上で操作ができないようにする。
b) ディスクを駆動装置に挿入し,ディスクが初期化されているかどうかを確認するとき,DDSを読み取
る。ディスクが初期化されている場合は,再初期化はできない。ディスクが初期化されていない場合
は,追記ゾーンへのアクセスはできない。
c) 初期化の完了前に追記ゾーンを消去する。初期化の終了時にだけDDSを記録し,不完全な初期化の検
出を可能にする。
セクタの記録前に,セクタを既に記録したかどうかを決定しなければならない。
2通りの方法で,この決定を行うことができる。一つ目の方法は,セクタヘッダとデータ記録との
間のフラグフィールドの内容を確認することであり,記録されている場合は,セクタは未記録であり,
再度セクタの記録を行わないほうがよい。
二つ目の方法は,データ記録を読み取り,SWFフィールドの内容を調査することである。このフィ
ールドが8/8バイト,すなわち,2IDトラックバイト,1セクタバイト及び5/5(FF)バイトを含む場合,
セクタは未記録であり,再度セクタの記録を行わないほうがよい。これらの試験は,DMAを形成す
るセクタには適用されない。
d) CSI消去,SCSI配置転換ブロック,SCSI更新ブロックなどの記録データを直接的又は間接的に変更
できるコマンドを否認する。
e) CSI Write Longコマンドを否認する。この規格で規定するとおり,常に,SWF,CRC及びECCフィ
ールドを用いて,ユーザデータを記録する。

――――― [JIS X 6280 pdf 135] ―――――

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JIS X 6280:2011の引用国際規格 ISO 一覧

  • ISO/IEC 22092:2002(IDT)

JIS X 6280:2011の国際規格 ICS 分類一覧

JIS X 6280:2011の関連規格と引用規格一覧