JIS Z 9290-1:2014 雷保護―第１部：一般原則 | ページ 12

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Z 9290-1 : 2014 (IEC 62305-1 : 2010)
                         表E.3−落雷による通信系統への想定雷サージ電流
                                                 通信系統a)
                    ラインへの落雷又は近傍雷         建築物等への近傍雷b)   建築物等への落雷b)
    LPL         損傷の発生源        損傷の発生源        損傷の発生源          損傷の発生源
 (クラス)     S3(落雷)c)       S4(近傍雷)d)       S2(近傍雷)           S1(落雷)
               波形 : 10/350 μs     波形 : 8/20 μs      波形 : 8/20 μs        波形 : 8/20 μs
                  (kA)              (kA)               (kA)               (kA)
   III・IV          1                  0.035                0.1                  5
     II             1.5                0.085                0.15                   7.5
      I             2                  0.160                0.2                   10
 注記 全ての値は,各相導体に対するものである。
 注a) 詳細は,ITU-T Recommendation K.67[6] 参照。
    b) ループ導体の配置及び誘導電流からの距離は,想定する雷サージの値に影響を及ぼす。
         表E.2の値は,大規模建築物等内の各種の配置(幅5 m,ループ面積約50 m2)で,壁から1 m離れ,非遮
       蔽の建築物等又はLPSを設置したビル(kc=0.5)の内側の,非遮蔽の短絡回路のループ導体に対するもので
       ある。他のループ及び建築物等の特性及び値は,係数KS1,KS2,KS3(IEC 62305-2:2010のB.4参照)を掛け
       合わせることが望ましい。
    c) 値は,多くのペア線で非遮蔽ケーブルに対するものである。一対の非遮蔽の引込線に対しては,5倍にするこ
      とができる。
    d) 値は,非遮蔽の架空線に対するものである。埋設線の値は,半分にできる。
  遮蔽線に対しては,表E.2に示す雷サージの値を0.5倍に減じることができる。
    注記 シールドの抵抗は,並列に配列した全ての配電線導体の抵抗と,ほぼ等しいと仮定している。
E.3.2 配電線近傍への落雷による雷サージ(損傷の発生源 S4)
  配電線近傍の落雷による雷サージのエネルギーは,配電線への落雷による雷サージ(損傷の発生源 S3)
によるエネルギーよりかなり小さい。
  具体的な雷保護レベル(LPL)及び関係する推定雷サージ電流を表E.2に示す。
  遮蔽線に対しては,表E.2及び表E.3に示す雷サージ電流の値は,0.5倍に減じることができる。
E.4   誘導効果による雷サージ(損傷の発生源 S1又はS2)
E.4.1 一般事項
  磁界の誘導現象による雷サージは,建築物等の近傍への落雷によって発生(S2),又は外部LPS若しく
はLPZ 1の空間遮蔽に流れる雷電流によって発生(S1)し,その代表的な波形は,8/20 sである。それら
の雷サージは,LPZ 1の内部及びLPZ 1とLPZ 2との境界の器具の端子又はその付近のものに加わる。
E.4.2 遮蔽していないLPZ 1の内側の雷サージ
  遮蔽していないLPZ 1の内側(例えば,この規格による幅5 m超過のメッシュの外部LPSだけによる保
護)では,減衰のない磁界の誘導現象による比較的高い雷サージを予想する。
  特定の雷保護レベル(LPL)に関係する過渡過電流の推定値を,表E.2及び表E.3に示す。
E.4.3 遮蔽したLPZの内側の雷サージ
  効果的に空間遮蔽した(JIS Z 9290-4の附属書Aによる幅5 m未満のメッシュが必要)LPZの内側では,
磁界の誘導現象による雷サージの発生は大幅に減少する。そのような場合における雷サージは,E.4.2に示
す雷サージよりも低い。
  LPZ 1の内側では,空間遮蔽の減衰効果によって誘導現象は低減する。

――――― [JIS Z 9290-1 pdf 56] ―――――

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  LPZ 2の内側では,LPZ 1とLPZ 2との空間遮蔽のカスケード(重畳)効果によって雷サージは低減す
る。
E.5   SPDに関する一般的情報
  SPDは,電源用ではJIS C 5381-11,通信回線用ではJIS C 5381-21で規定している電流耐量によって使
用する。
  設備場所によって使用することが望ましいSPDは,次による。
a) 建築物等内への配線引込口(LPZ 1の境界,例えば主配電盤MB)
  1)   impで試験したSPD(代表的な波形は10/350 μs),例えば,クラスIに従って試験したSPD
  2)   nで試験したSPD(代表的な波形は8/20 μs),例えば,クラスIIに従って試験したSPD
b) 被保護機器の近傍(LPZ 2とそれ以上との境界,例えば,二次分電盤SB又はコンセントSA)
  1)   impで試験したSPD(代表的な波形は10/350 μs),例えば,クラスIに従って試験したSPD
  2)   nで試験したSPD(代表的な波形は8/20 μs),例えば,クラスIIに従って試験したSPD
  3) コンビネーション波形で試験したSPD(代表的な電流波形は8/20 s,電圧波形は1.2/50 s),クラ
      スIIIに従って試験したSPD
参考文献
[1] IEC 60664-1:2007,Insulation coordination for equipment within low-voltage systems−Part 1: Principles,
    requirements and tests
[2] JIS C 61000-4-5 電磁両立性−第4-5部 : 試験及び測定技術−サージイミュニティ試験
      注記 対応国際規格 : IEC 61000-4-5,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-5: Testing and
            measurement techniques−Surge immunity test(IDT)
[3] BERGER K., ANDERSON R.B., KRNINGER H., Parameters of lightning flashes.
    CIGRE Electra No.41 (1975), p. 23-37
[4] ANDERSON R.B., ERIKSSON A.J., Lightning parameters for engineering application.
    CIGRE Electra No.69 (1980), p. 65-102
[5] IEEE working group report, Estimating lightning performance of transmission lines-Analytical models. IEEE
    Transactions on Power Delivery, Volume 8, n. 3, July 1993
[6] ITU-T Recommendation K.67, Expected splurges on telecommunications and signaling networks due to
    lightning
[7] JIS C 5381-11 低圧サージ防護デバイス−第11部 : 低圧配電システムに接続する低圧サージ防護デバ
    イスの要求性能及び試験方法
      注記 対応国際規格 : IEC 61643-11,Low-voltage surge protective devices−Part 11: Surge protective
            devices connected to low-voltage power systems−Requirements and test methods(IDT)
[8] JIS C 5381-21 低圧サージ防護デバイス−第21部 : 通信及び信号回線に接続するサージ防護デバイス
    (SPD)の要求性能及び試験方法
      注記 対応国際規格 : IEC 61643-21,Low voltage surge protective devices−Part 21: Surge protective
            devices connected to telecommunications and signalling networks−Performance requirements and
            testing methods(IDT)