ISO 17859:2015 ファインセラミック(アドバンスドセラミック、アドバンストテクニカルセラミック)—高電界での圧電ひずみの測定方法 | ページ 2

※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。

序文

ISO (国際標準化機構) は、各国の標準化団体 (ISO メンバー団体) の世界的な連合です。国際規格の作成作業は、通常、ISO 技術委員会を通じて行われます。技術委員会が設立された主題に関心のある各会員団体は、その委員会に代表される権利を有します。 ISOと連携して、政府および非政府の国際機関もこの作業に参加しています。 ISO は、電気技術の標準化に関するすべての問題について、国際電気標準会議 (IEC) と緊密に協力しています。

この文書の作成に使用された手順と、今後の維持のために意図された手順は、ISO/IEC 指令のPart 1 で説明されています。特に、さまざまな種類の ISO 文書に必要なさまざまな承認基準に注意する必要があります。この文書は、ISO/IEC 指令のPart 2 の編集規則に従って起草されました ( www.iso.org/directives を参照)

このドキュメントの要素の一部が特許権の対象となる可能性があることに注意してください。 ISO は、そのような特許権の一部または全部を特定する責任を負わないものとします。ドキュメントの開発中に特定された特許権の詳細は、序文および/または受信した特許宣言の ISO リストに記載されます ( www.iso.org/patents を参照)

このドキュメントで使用されている商号は、ユーザーの便宜のために提供された情報であり、保証を構成するものではありません。

適合性評価に関連する ISO 固有の用語および表現の意味に関する説明、および技術的貿易障壁 (TBT) における ISO の WTO 原則への準拠に関する情報については、次の URL を参照して ください 。

この文書を担当する委員会は、ISO/TC 206, ファイン セラミックスです。

1 スコープ

この国際規格は、高出力圧電デバイスの高電界での圧電歪みの測定方法を規定しています。この国際規格は、ひずみ対電場を測定することにより、材料の圧電ひずみ係数を決定するために使用されることを意図しています。

  • 印加電界:0~2MV/
  • 電界の周波数: 0.1 ~ 1 H

2 参考文献

以下のドキュメントの全体または一部は、このドキュメントで規範的に参照されており、その適用に不可欠です。日付のある参考文献については、引用された版のみが適用されます。日付のない参照については、参照文書の最新版 (修正を含む) が適用されます。

  • IEC 60122-1, 評価された品質の水晶振動子ユニット — Part 1: 一般仕様
  • IEC 60483, 電気機械結合の高い圧電セラミックスの動的測定ガイド
  • EN 50324-1, セラミック材料およびコンポーネントの圧電​​特性 — Part 1: 用語と定義
  • EN 50324-2, セラミック材料およびコンポーネントの圧電​​特性 — Part 2: 測定方法 — 低電力

3 用語と定義、記号

3.1 用語と定義

このドキュメントの目的のために、IEC 60122-1, IEC 60483, EN 50324-1, EN 50324-2 および以下に記載されている用語と定義が適用されます。

3.1.1

適用波形

時間の関数として試料に印加される電圧の形状

注記1:この国際規格では三角波が使用されています。

3.1.2

信号発生器

印加波形を制御する装置

3.1.3

電源

試料に電界(E-field)を印加する高電圧増幅器

3.1.4

電界誘起ひずみ

電場を印加することによって誘発される試験片の歪み

注記1:値は、試験片の厚さに対する変位の比率によって与えられます。

3.1.5

変位計

電界誘起ひずみを測定する装置

3.1.6

携帯連絡先

試料の保持と試料への電圧印加を同時に行う可動電極

3.1.7

最大電界

Eマックス

印加電界の最大値

3.1.8

最大ひずみ

S最大

最大電界でのひずみ

3.1.9

残留ひずみ

Sr

電界除去時の歪み

3.1.10

ひずみ対電界曲線

電界の関数として連続的にプロットされたひずみ曲線

3.2 アイコン

f周波数
dマックス= Smax/ Emax
hアップカーブとダウンカーブのひずみ差が最大となる電界
hSE hでのアップカーブとダウンカーブのひずみ差
Hmax= Sh/ Smax

Foreword

ISO (the International Organization for Standardization) is a worldwide federation of national standards bodies (ISO member bodies). The work of preparing International Standards is normally carried out through ISO technical committees. Each member body interested in a subject for which a technical committee has been established has the right to be represented on that committee. International organizations, governmental and non-governmental, in liaison with ISO, also take part in the work. ISO collaborates closely with the International Electrotechnical Commission (IEC) on all matters of electrotechnical standardization.

The procedures used to develop this document and those intended for its further maintenance are described in the ISO/IEC Directives, Part 1. In particular the different approval criteria needed for the different types of ISO documents should be noted. This document was drafted in accordance with the editorial rules of the ISO/IEC Directives, Part 2 (see www.iso.org/directives ).

Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this document may be the subject of patent rights. ISO shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights. Details of any patent rights identified during the development of the document will be in the Introduction and/or on the ISO list of patent declarations received (see www.iso.org/patents ).

Any trade name used in this document is information given for the convenience of users and does not constitute an endorsement.

For an explanation on the meaning of ISO specific terms and expressions related to conformity assessment, as well as information about ISO's adherence to the WTO principles in the Technical Barriers to Trade (TBT) see the following URL: Foreword - Supplementary information

The committee responsible for this document is ISO/TC 206, Fine ceramics.

1 Scope

This International Standard specifies the measurement method of piezoelectric strain at high electric field for high power piezoelectric devices. This International Standard is intended to be used to determine the piezoelectric strain coefficient of the materials by measuring strain vs. electric field:

  • applied electric field: 0 to 2 MV/m;
  • frequency of electric field: 0,1 to 1 Hz.

2 Normative references

The following documents, in whole or in part, are normatively referenced in this document and are indispensable for its application. For dated references, only the edition cited applies. For undated references, the latest edition of the referenced document (including any amendments) applies.

  • IEC 60122-1, Quartz crystal units of assessed quality — Part 1: Generic specification
  • IEC 60483, Guide to dynamic measurements of piezoelectric ceramics with high electromechanical coupling
  • EN 50324-1, Piezoelectric properties of ceramic materials and components — Part 1: Terms and definitions
  • EN 50324-2, Piezoelectric properties of ceramic materials and components — Part 2: Method of measurement — Low power

3 Terms and definitions, and symbols

3.1 Terms and definitions

For the purposes of this document, the terms and definitions given in IEC 60122-1, IEC 60483, EN 50324-1, EN 50324-2 and the following apply.

3.1.1

applied wave form

shape of voltage applied to specimen as a function of time

Note 1 to entry: Triangular waves are used in this International Standard.

3.1.2

signal generator

apparatus which controls the applied wave form

3.1.3

power source

high-voltage amplifier which generates an electric-field (E-field) applied to the specimen

3.1.4

E-field induced strain

strain of the specimen which is induced by applying the E-field

Note 1 to entry: The value is given by the ratio of displacement to specimen thickness.

3.1.5

displacement meter

apparatus which measures the E-field induced strain

3.1.6

mobile contact

mobile electrode which simultaneously holds the specimen and applies voltage to the specimen

3.1.7

maximum E-field

Emax

maximum value of applied E-field

3.1.8

maximum strain

Smax

strain at maximum E-field

3.1.9

residual strain

Sr

strain when E-field is removed

3.1.10

strain vs. E-field curve

continuously plotted curve of strain as a function of E-field

3.2 Symbols

ffrequency
dmax= Smax/Emax
Ehelectric field at which the strain difference between the up- and down-curves shows a maximum
Shstrain difference between the up- and down-curves at Eh
Hmax= Sh/Smax