ISO/TTA 4:2002 (W) シリコン基板上の薄膜の熱伝導率の測定

ISO/TTA4:2002の規格概要

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Measurement of thermal conductivity of thin films on silicon substrates

TTA 4:2002は、フィルムの熱伝導率よりも大幅に高い熱伝導率を持つ基板上で、電気絶縁性の薄いフィルムの熱伝導率を測定するための3オメガ法の標準的な手順を提案しています、次の特性を備えたシリコン基板上のフィルム:a）フィルムは電気的に絶縁性である; b）フィルムはシリコンの熱伝導率の10分の1未満の熱伝導率を持っている; c）フィルムは厚さが均一で厚さがある0.25〜1マイクロメートルの範囲で、d）フィルムの最大寸法は、準備および測定装置のサイズによって制限されます、e）フィルムの最小寸法は、回路要素の最小サイズによって制限されます、注10mm×10mm程度の小さな試料でも使用できますが、15mm×25mm程度の試料が適切なサイズです、シリコンウェーハ基板上の二酸化ケイ素この方法は、基板材料のパラメータがこの方法および関連するコンピュータプログラムで使用されるシリコンのパラメータの代わりに使用される場合、他の高熱伝導率基板上の絶縁膜に適用できる可能性があります、室温付近の測定に適用できます、

※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。