19
C 1912 : 2014 (IEC 62233 : 2005)
センサは,機器の上面又は正面の表面から距離r1の面に沿って移動させる。
図A.1−測定位置 : 上面又は正面(3.2.7参照)
センサは,機器表面から垂直距離r1の,人が近付く可能性がある周囲を一巡させる。
図A.2−測定位置 : 周囲(3.2.7参照)
A.3 誘導加熱調理器の試験条件
A.3.1 測定距離
調理面別に,機器の端面からセンサ表面までの距離が30 cmとなる,4本の鉛直線(図A.3の線A,B,
C及びD)上で測定を行う(図A.3参照)。調理面の上方1 mの地点から下方0.5 mの地点まで測定を行う。
機器を壁際に置いて用いるように意図している場合は,機器の背後(図A.3の線D)での測定は行わない。
注記 調理面の中心に対応する位置付近で,磁界が最大となるため,調理面の中心線上で測定する。
A.3.2 動作条件
水道水を半分ほど満たしたほうろう加工の鉄製調理容器を,測定対象となる調理面の中央に配置する。
――――― [JIS C 1912 pdf 21] ―――――
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C 1912 : 2014 (IEC 62233 : 2005)
取扱説明書で推奨している,最も小さい調理容器を用いる。推奨容器を指定していない場合は,標準調
理容器の中の,動作可能な最も小さい容器を用いる。標準調理容器の底の直径は,110 mm,145 mm,180 mm,
210 mm及び300 mmとする。
加熱部は,ほかの調理面に鍋を置いていない状態で,調理面を一つずつ順番に動作させる。
出力は,最高設定にする。
測定は,安定した動作条件に達してから行う。
安定した条件に達しない場合は,変動する磁界発生源の最高値が確実に測定されるように,適切な観測
時間(例 30秒)を指定することが望ましい。
注記 誘導加熱部間で電源を共有しているために,各誘導加熱部を単独で運転しているときに,誘導
加熱調理器の最高の連続磁界が測定される。
注記1 線A,B,C及びDは測定位置を示す。
注記2 この図は,4口の誘導加熱部のうち左手前の誘導加熱部が動作していることを示す。
図A.3−誘導加熱調理器の測定距離
――――― [JIS C 1912 pdf 22] ―――――
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C 1912 : 2014 (IEC 62233 : 2005)
附属書B
(参考)
ばく露限度値
この附属書に示す限度値は参考であり,また,限度値の全体ではなく,抜粋した箇所だけを示す。
法令で限度値の設定がある場合,法令による限度値を用いる。
B.1 ICNIRPの指針
表B.1及び表B.2に示す数値は,ICNIRPの指針[11]から転載したものである。
注記 このICNIRPの指針は1998年に発行されたものである。1 Hz100 kHzの周波数帯域について
は,2010年に部分改正されている[26]。
表B.1−時間的に変化する周波数10 GHz以下の電磁界への公衆のばく露における基本制限−抜粋
周波数範囲 頭部及び胴体の電流密度全身平均SAR 局所SAR 局所SAR
(実効値) (頭部及び胴体) (手足)
mA/m2 W/kg W/kg W/kg
1 Hz以下 8 − − −
1 Hzを超え 4 Hz以下 8/f − − −
4 Hzを超え 1000 Hz以下 2 − − −
1 kHzを超え 100 kHz以下 f/500 − − −
100 kHzを超え 10 MHz以下 f/500 0.08 2 4
10 MHzを超え 10 GHz以下 − 0.08 2 4
注記1 fは,ヘルツ(Hz)を単位とした周波数。
注記2 SARは,比エネルギ吸収率を示す。
表B.2−時間的に変化する電磁界への公衆のばく露における参考レベル(ひずみのない実効値)−抜粋
周波数範囲 電界強度 磁界強度 磁束密度 等価平面波電力密度Seq
V/m A/m μT W/m2
1 Hz以下 − 3.2×104 4×104 −
1 Hzを超え 8 Hz以下 10 000 3.2×104/f 2 4×104/f 2 −
8 Hzを超え 25 Hz以下 10 000 4 000/f 5 000/f −
0.025 kHzを超え 0.8 kHz以下 250/f 4/f 5/f −
0.8 kHzを超え 3 kHz以下 250/f 5 6.25 −
3 kHzを超え 150 kHz以下 87 5 6.25 −
0.15 MHzを超え 1 MHz以下 87 0.73/f 0.92/f −
1 MHzを超え 10 MHz以下 87/f 1/2 0.73/f 0.92/f −
10 MHzを超え 400 MHz以下 28 0.073 0.092 2
400 MHzを超え 2000 MHz以下 1.375 f 1/2 0.003 7 f1/2 0.004 6 f 1/2 f/200
2 GHzを超え 300 GHz以下 61 0.16 0.20 10
注記 fは,周波数範囲の欄に示す単位で表す。
――――― [JIS C 1912 pdf 23] ―――――
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C 1912 : 2014 (IEC 62233 : 2005)
B.2 IEEE規格
表B.3及び表B.4に示す数値は,IEEE規格(IEEE C95.6:2002)[12]から転載したものである。
表B.3−人体の各部位に適用される3 kHz以下の公衆のばく露における基本制限−抜粋
ばく露される組織 fe Eo(実効値)
Hz V/m
脳 20 5.89×10−3
心臓 167 0.943
手,手首,足及び足首 3350 2.10
その他の組織 3350 0.701
表の解釈は,次による。
Ei=Eo(f≦feの場合),Ei=Eo(f/fe)(f ≧feの場合)
ここに, fe : 生体内電界の周波数パラメータ
Ei : 生体内電界の最大許容値
Eo : 生体内電界
表中の制限に加えて,10 Hz以下の磁界への頭部及び胴体のばく露は,公衆の
場合,ピーク値167 mTに,管理環境の場合,ピーク値500 mTに制限する。
表B.4−公衆のばく露における磁界限度値 : 頭部及び胴体のばく露−抜粋
周波数範囲 B(実効値) H(実効値)
Hz mT A/m
0.153 未満 118 9.39×104
0.153 以上 20 未満 18.1/f 1.44×104/f
20 以上 759 未満 0.904 719
759 以上 3000 未満 687/f 5.47×105/f
3000 以上 100 kHz未満 − 164
周波数3 kHz以上の限度値は,3 kHzを超える周波数に関するIEEE規格(IEEE
C95.1:1999)[21]との整合性を示すために記載する。
――――― [JIS C 1912 pdf 24] ―――――
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C 1912 : 2014 (IEC 62233 : 2005)
附属書C
(規定)
結合係数の決定
C.1 計算による結合係数の決定
附属書Bに示す参考レベル(BRL)は,均一な磁界で定義する。これに対して,この規格が対象とする
機器の周囲は,強い不均一性をもっている磁界である。結合係数ac(r1)は,この不均一性を考慮する係数で
ある。同様に,結合係数ac(r1)は,磁界中の人体の構成部分の寸法も考慮している。
この結合係数ac(r1)は,磁界発生源が局所的な場合に限って適用できる。ホットスポットでの磁束密度
Bmax0.1 Bmaxの磁界分布は,連続でなければならない。
参考レベルBRLと比較する,補正した測定値Bmc(r1)は,式(C.1)によって測定値Bmを用いて計算する。
Bmc(r1)=ac(r1)×Bm 及び Wnc=ac(r1)×Wn (C.1)
結合係数ac(r1)は,動作の基本周波数を対象として,次の四つのステップによって決定する。
ステップ1 ホットスポットの広がり評価
磁束密度B(r0)は,ホットスポットr0=0を始点とする最も緩い勾配の線に沿った面の接線方向で測定す
る[式(C.2)参照]。図C.1及び図C.2に示すように,磁束密度がホットスポットでの最大値の10 %に減少
するr0=Xの地点まで測定を行う。測定間隔は,0.5 cm1 cmとする。
結合係数決定のための測定評価は,狭帯域での動作周波数で行う。
センサは,例えば,5.4に規定する測定面積が3 cm2の小形のものを用いる。
B(r0 X)
1.0 (C.2)
Bmax (r0)0
図C.1−ホットスポット
――――― [JIS C 1912 pdf 25] ―――――
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JIS C 1912:2014の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 62233:2005(IDT)
JIS C 1912:2014の国際規格 ICS 分類一覧
- 97 : 家庭用及び商業用設備.娯楽.スポーツ > 97.030 : 家庭用電気機具一般
JIS C 1912:2014の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISC1910:2004
- 人体ばく露を考慮した低周波磁界及び電界の測定―測定器の特別要求事項及び測定の手引き