JIS C 2560-2:2006 フェライト磁心―第2部:試験方法 | ページ 9

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(C)
F
備考 電磁石回転角0°の状態とは,測定方向が磁界と平行な状態をいう。
附属書5図6 電磁石回転角と静電容量との関係例
3.2 ストレインゲージ法
a) 装置及び器具 測定に用いる試験機器及び装置は,あらかじめ校正し十分な精度をもつものとし,測
定原理は,附属書5図7による。
a) b)
a) 測定装置 b) 測定回路
附属書5図 7 ストレインゲージ法の測定原理
b) 試料 試料は,附属書5図1 h)又はi)から選び,表面をエメリー紙などで磨いて平らにしたものとす
る。また,鋼板,アルミニウム板などの非磁性板に同一ロットのできるだけ抵抗値の等しいストレイ
ンゲージ(1)をはり付けたものを,ダミーゲージとして用意する。
注(1) ストレインゲージは磁界の影響を受けないものを使用する。
c) 前処理 前処理は行わない。
d) 試験方法及び算出 二つのストレインゲージ(1)を抵抗線ひずみ計に接続してブリッジ回路を形成する。
なお,二つのストレインゲージ(1)は等温度中に置く必要がある。電磁石を用いて試料を十分飽和す
るまで磁化し,そのときの試料にはり付けたストレインゲージ(1)の抵抗値の変化から,次の式(6)によ

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って飽和磁わい定数 侮
l R
S GF (6)
l R
ここに, GF : 試料の長さの変化(m)
試料の長さの変化(m)
l : 試料の長さ(m)
勿 抵抗値の変化(W)
R : 抵抗値(W)
備考 飽和磁わい定数が小さく,抵抗線ひずみ計によって直接読み取ることが不可能な場合は,増幅
器を接続し出力を増幅して,その出力電圧とひずみとの関係をあらかじめ求めておき,10-6程
度の飽和磁わい定数を検出する。
4. 体積抵抗率
4.1 二端子法
a) 装置及び器具 測定に用いる試験機器及び装置は,あらかじめ校正し,十分な精度をもつものとし,
測定回路は,附属書5図8による。
E : 直流電源
V : 直流電圧計
a)電圧電流計法
A : 直流電流計 b)抵抗計法
a) 電圧電流計法 b) 抵抗計法
附属書5図 8 二端子法の測定回路
b) 測定試料 試料は,附属書5図1 f),g),j)又はk)から選ぶ。電極を形成する面は研磨し表面層を除去
しておく。電極材料は,インジウムアマルガム又は銀ペーストとする。
c) 前処理 行わない。
d) 試験方法及び算出
1) 電圧電流計法 附属書5図8 a)に示す測定回路を用いて直流電圧V及び直流電流Iを測定し,次の
式(7)によって体積抵抗率 圀 m)を算出する。
S V
V (7)
l I
ここに, S : 試料の電極面積(m2)
l : 試料の電極間距離(m)
V : 測定電圧(V)
I : 測定電流(A)

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また,接触抵抗が無視できない場合,電極間距離lを変えて2回測定し,次の式(8)によって体積抵抗率
( 圀 m)を算出する。
S V1 V2
V (8)
l1 l2 I1 I2
ここに, S : 試料の電極面積(m2)
l1,l2 : 試料の電極間距離(m)(ただし,l1>l2)
V1,V2 : l1,l2に対応する測定電圧(V)
I1,I2 : l1,l2に対応する測定電流(A)
2) 抵抗計法 附属書5図8 b)に示す測定回路を用いて体積抵抗率が大きい試料は絶縁抵抗計で,体積
抵抗率が小さい試料はホートストンブリッジなどで抵抗Rを測定し,次の式(9)によって体積抵抗率
圀 m)を算出する。
S
V R (9)
l
ここに, S : 試料の電極面積(m2)
l : 試料の電極間距離(m)
R : 抵抗値( 圀
また,接触抵抗が無視できない場合,電極間距離lを変えて2回測定し,次の式(10)によって体積
抵抗率 圀 m)を算出する。
S
V R1 R2 (10)
l1 l2
ここに, S : 試料の電極面積(m2)
l1,l2 : 試料の電極間距離(m)(ただし,l1>l2)
R1,R2 : l1,l2に対応する抵抗値(圀
4.2 四端子法
a) 装置及び器具 測定に用いる試験及び装置は,あらかじめ校正し,十分な精度をもつものとし,測定
回路は,附属書5図9による。
附属書5図 9 四端子法測定回路
b) 測定試料 試料は,附属書5図1 f)又はk)から選ぶ。電極材料は導電材料を使用する。
c) 前処理 前処理は行わない。

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d) 試験方法及び算出 附属書5図9に示す測定回路を用いて直流電圧V及び直流電流Iを測定し,次の
式(11)によって体積抵抗率 圀 m)を算出する。
S V
V (11)
l I
ここに, S : 試料の電極面積(m2)
l : 試料の電圧測定間距離(m)
V : 測定電圧(V)
I : 測定電流(A)
5. かさ密度
5.1 飽水試料による方法
a) 装置及び器具 装置及び器具は,次による。
1) 恒温槽 槽内温度を105120 ℃に調節できるもの。
2) はかり 感量1 mg以上のもの。
3) ビーカ JIS R 3503に規定する200 ml以上のもの。
4) 真空ポンプ付ベルジャー 2×102 Pa以下の減圧状態を保持できる真空容器。
5) 温度計 JIS B 7410に規定する最小目盛1 ℃のアルコール温度計。
6) 金網 ステンレス製のもの。
7) つり線 試料をつるすのに十分な強さをもち,水中に入ったつり線の体積の変化による誤差が無視
できるもの。
b) 測定試料 測定試料は,質量5 g以上で,きず,欠けのないものとする。
c) 前処理 前処理は行わない。
d) 試験方法及び算出 次に示す方法によって乾燥試料の質量,飽水試料の水中質量を測定し,次の式(12)
によってかさ密度 戀 kg/m3)を算出する。
m1
b W (12)
m3 m2
ここに, m1 : 乾燥試料の質量(kg)
m2 : 飽水試料の水中質量(kg)
m3 : 飽水試料の質量(kg)
試験時の水の密度(kg/m3)
1) 乾燥試料の質量 試料を105120 ℃に調整した恒温槽中で十分に乾燥した後恒温槽から取り出し,
デシケータに入れて室温に達した後,はかりで質量を計り,乾燥試料の質量m1とする。
2) 飽水方法1 乾燥,恒量した試料を乾燥したビーカの中に入れ,それを真空容器の中に入れる。真
空度は23×103 Paで5分間保持する。保持後,この真空容器内ビーカの中へ水を入れる。水は試
料を十分に浸せきするだけの量を導入する。
試料を水で十分浸せきした後,更に5分間真空引きを行い,その後,空気を導入して大気圧に戻
す。
3) 飽水方法2 乾燥,恒量した試料を水の入ったビーカの中に入れ煮沸する。このとき水は試料を十
分に浸せきするだけの量とする。また,ビーカの底から1 cm程度上に金網を設ける。試料をこの金
網の上に置き,十分に水が回るようにする。煮沸時間は30分間とする。

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4) 飽水試料の水中質量 飽水試料をつり線でつり,水中に入れて質量を計る。次に,つり線だけ水中
に入れて質量を計り,これを差し引いて飽水試料の水中質量m2を求める。このときの水温を記録す
る。
5) 飽水試料の質量 飽水試料を水中から取り出し,湿ったガーゼ(2)で手早く表面の水滴をぬぐった後,
質量を計り,飽水試料の質量m3とする。
注(2) ガーゼは,十分に水を含ませた後,試料表面の水滴だけを取る程度に絞って用いる。
5.2 パラフィン含浸試料による方法
a) 装置及び器具 装置及び器具は,次による。
1) 恒温槽 槽内温度を105120 ℃に調節できるもの。
2) はかり 感量1 mg以上のもの。
3) パラフィン
4) つり線 試料をつるすのに十分な強さをもち,水中に入ったつり線の体積の変化による誤差が無視
できるもの。
5) 温度計 JIS B 7410に規定する最小目盛1 ℃のアルコール温度計。
b) 測定試料 測定試料は,5 g以上で,きず,欠けのないものとする。
c) 前処理 前処理は行わない。
d) 試験方法及び算出 次に示す方法によって乾燥試料の質量,パラフィンの含浸試料の質量,パラフィ
ン含浸試料の水中質量を測定し,次の式(13)によってかさ密度 戀 kg/m3)を算出する。
m1
b W (13)
m3 m2
ここに, m1 : 乾燥試料の質量(kg)
m2 : 飽水試料の水中質量(kg)
m3 : 飽水試料の質量(kg)
試験時の水の密度(kg/m3)
1) 乾燥試料の質量 試料を105120 ℃に調整した恒温槽中で十分に乾燥した後恒温槽から取り出し,
デシケータに入れて室温に達した後,はかりで質量を計り,乾燥試料の質量m1とする。
2) パラフィン含浸方法 乾燥,恒量した試料を溶解したパラフィン中に浸し,十分含浸させた後,取
り出して表面に付着したパラフィンをぬぐい取る。
3) パラフィン含浸試料の質量 パラフィン含浸試料の質量を計りm3とする。
4) パラフィン含浸試料の水中質量 パラフィン含浸試料をつり線でつり,水中に入れて質量を計り,
次に,つり線だけ水中に入れて質量を計り,これを差し引いてパラフィン含浸試料の水中質量m2
を求める。このときの水温を記録する。
備考 パラフィン含浸試料をつり線でつり,水中に入れて質量を計るとき,気泡の付着がないように
しなければならない。
6. 熱伝導率 JIS R 1611による。
7. 平均線膨張係数
a) 装置及び器具 装置及び器具は,次による。

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JIS C 2560-2:2006の引用国際規格 ISO 一覧

  • IEC 60424-1:1999(MOD)
  • IEC 61631:2001(MOD)
  • IEC 62044-1:2002(MOD)
  • IEC 62044-2:2005(MOD)
  • IEC 62044-3:2000(MOD)

JIS C 2560-2:2006の国際規格 ICS 分類一覧

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