JIS C 5410:1991 高周波同軸コネクタ通則 | ページ 5

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  実際の測定ではコネクタの反射係数が同一であってもp(ケーブル部分)での損失のため,反射係数が
ゼロとはならない。
  また,コネクタ・アッセンブリを入出力側を逆にして測定したとき,反射係数の最小値が等しくならな
い場合は,2個のコネクタの特性が等しくないことを表している。一般的には,アッセンブリを逆にして
測定したときの反射係数の最小値が変化しない場合には,供試コネクタの特性が測定値(測定誤差を含め
た最大値)以下と見なすことができる。しかし,指定の値を超える反射係数の最大値が記録された場合,
又は最小値に相当の変化が見られた場合には,試験を再開する前に,コネクタ及びケーブルの検査を実施
しなければならない。
  コネクタに取り付けるケーブルの長さは,反射係数測定を行う最小周波数の波長を超えないものとする。
周波数帯が広い場合又は連続した波腹部(最大値)が得られない周波数で測定結果する場合には,ケーブ
ル長 (p) を変えた複数個のサンプルを用意して測定することが望ましい。
  測定システムの確度をチェックする一つの方法として,供試コネクタ・アッセンブリと標準試験用アダ
プタのそれぞれを逆に接続して,同一の測定を反復することが望ましい。
  同一種類の2個のコネクタを用いた測定方法には,高周波ブリッジ,方向性結合器又はスロッテッドラ
インが測定に用いることができる。測定方法の詳細を下記に説明する。
               参考2図2 同一種類の2個のコネクタを用いた測定方法の測定系の構成
    備考 標準試験用アダプタの代わりに標準試験用コネクタを直接発振器のポート及び精密ターミネー
          ションに取り付けてもよい。
  参考2図3は,スロッテッドライン上の電圧値をプローブ位置における周波数の関数として測定した値
をX-Y座標に記入したものである。X-Y座標は,1デシベルを1目盛りとすることが望ましい。
  試験は,高周波掃引発振器の掃引中にスロッテッドラインのプローブを最低周波数の半波長移動して最
大値,最小値を検出する。これを何回か繰り返して試験する。X-Y座標には振幅をもった何本かの線が包
含される振幅として表示される。これにより最小値が判断できる。
  また,この最大幅は,電圧定在波比 (VSWR. dB) に等しい。最大幅に対応する反射係数の値rは,次の
式により算出される。
                            1 VSWR dB−1
                         r=
                            2 VSWR dB+2

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                    参考2図3 スロッテッドラインによる測定値のX-Y座標図
1.3   測定誤差の認識ができる測定方法
1.3.1  高周波ブリッジを使用した測定方法 測定誤差を認識するために,参考2図1に示す一般的な測定
系の構成に2種類の修正を加える。高周波ブリッジの試験ポートBとCの間に標準試験用アダプタを精密
エアーラインに変更する。
  また,もう一つの修正は,供試コネクタとDのターミネーションの間に適切な長さのラインを追加する。
参考2図4のl2のライン長をl1の5倍となるように設定する。さらに,高周波ブリッジの基準ポートAの
終端は,試験ポートBが正確な特性インピーダンスで終端していると仮定したときに出力される反射係数
が0.1(反射係数が0.1の場合の反射損失は20dBとなる。)となるような値で終端する。

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            参考2図4 測定誤差の認識ができる機能をもつ高周波ブリッジによる測定方法
  この測定方法により,参考2図5に示す周波数の関数とした全体の反射係数がプロットされる。B点に
おける反射係数を表す三つの反射係数の合計値は次の式で求められる。
                         r合計=rb+rc+rd
   brは,高周波ブリッジのポートBにおける予め意図的に設定された不整合によるもので,振幅は大体一
定している。高周波ブリッジ内部の誤差及びブリッジエレメントと基準ポートA及び試験ポートB間のラ
イン長がゼロでないために若干の偏差が発生する。
   crは,供試コネクタの反射係数rxと標準試験用コネクタの反射係数からなる。rbと相関関係でrcを回転
させると参考2図5及び参考2図6に示すリップルEが発生する。
   drは,ラインl2の端末ターミネーションの反射でリップルFが発生する。リップルFは,ライン長l2
が正確にl1の5倍である場合には,リップルEより5倍早くなる。

――――― [JIS C 5410 pdf 23] ―――――

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C 5410-1991
                         参考2図5 参考2図4の測定系による合成位相図
  対数表示したときのX-Y座標の曲線は,反射損失(dB単位)を縦軸,周波数を横軸として表示される。
参考2図6aにその例を示す。反射係数への変換は,参考2図6a右側に示した目盛りを使用するか,又は
その他の適切な方法によって行う。rc (rx) は計算によって導き出される。その計算は,参考2図6b及び参
考2図6cを参考にして行う。
  オフセット反射係数rbは,全体の反射を示す曲線があいまいにならないように,rc+rdの合計値を上回
るものとする。
  l1,l2両ラインの電気長は,反射係数曲線として十分な数のリップルが得られるように測定周波数範囲を
条件として設定するものとする。参考2図4のB点とC点の間の精密エアーラインl1の寸法を200mmと
した場合,rcリップルの1周期は,図の周波数軸の750MHzの変化に等しくなる。
                    参考2図6a 反射損失測定値(参考2図4の測定系の場合)

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                           参考2図6b 詳細図A(反射係数に変換済)
                                                               br
                    Fを平均してrdを消去する,斜線部の縦軸の値は, r+
                                                                  c に等しい。
                                          参考2図6c
                       r最大−r最小の差を2で割ってrc(リップルE)を導き出す。
          rcは,供試コネクタの反射係数である(参考2図4のC点の標準試験用コネクタの反射も含む)。
1.3.2  方向性結合器を使用した測定方法 高周波ブリッジの代わりに方向性結合器を使用する場合には,
参考2図4のエアーラインl1に代えて低減衰形の(部分的反射伝送エレメントとして機能する。)広帯域
に渡って特性インピーダンスが不連続となる同軸ラインを使用する。この同軸ラインは,参考2図4のB
点で反射係数が0.1(反射損失では20dB)となり,C点では特性インピーダンスに整合するものとする。
  参考2図7に,低減衰発泡誘電体を部分的に充填した同軸ラインを示す。
  測定方法は,1.3.1の高周波ブリッジを使用した測定方法と同じである。

――――― [JIS C 5410 pdf 25] ―――――

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