70
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
5-1-16 降伏電圧 降伏が生じる電圧の大きさ。 breakdown voltage212-01-30
5-1-17 MIS[構造] metal-insulator-
金属 (metal)と半導体 (semiconductor) と
semiconductor
の間に薄い絶縁物 (insulator) を挿入した
構造。 (structure),
参考 電界効果トランジスタ,電界発MIS (structure)
光素子,ジョセフソン素子など
に用いられる。
5-1-18 MOS[構造] metal-oxide-
MIS構造のうち,絶縁物が半導体を構成す
る原子の酸化物 (oxide) であるもの。 semiconductor
(structure),
MOS (structure)
5-1-19 パッシベーショ passivation,
半導体の界面を,安定化するために表面を 521-03-13
ン, シリコン酸化膜などのような物質で被覆 surface
surface passivation
表面不活性化 して,不活性にすること。 passivation
備考 このような目的で半導体表面
に形成された膜を“パッシベー
ション膜”という。表面を保護
する目的でも使われ,“表面保
護膜”ともいう。
参考 回路を保護するための表面保
護膜に対して使われることが
ある。
5-1-20 反転層 inversion layer
半導体表面に電界をかけたとき,多数キャ 394-18-75
リヤが内部に,少数キャリヤが表面に集ま 逆転層
ることによって,半導体表面の伝導形が実
質的に内部とは逆転した領域。 MIS形素
子において電流のチャネルとして利用さ
れる。
5-1-21 チャネル 電界効果トランジスタなどのユニポーラchannel 521-07-06
デバイスにおいて,ソースからドレインに channel (of a
至るキャリヤの流れる半導体薄層通路を field effect
いい,そのコンダクタンスがゲート電圧で transistors)
制御される。
5-1-22 [素子間]分離 集積回路の構成部分同士が相互の影響をisolation,
受けないようにすること。 junction isolation,
備考 分離には,半導体集積回路の各dielectric isolation,
素子を PN接合で分離する“接 polycrystalline
合分離”,絶縁層,例えばSiO2 isolation
などによって分離する“絶縁層
分離(酸化膜分離ともいう。)”,
単結晶と多結晶との境界の絶
縁性を利用し,多結晶によって
半導体集積回路の各素子を電
気的に分離する“多結晶分離”
などがある。
――――― [JIS C 5600 pdf 71] ―――――
71
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
5-1-23 擬フェルミ準位, quasi Fermi level,
電圧印加又は 光照射下のような非熱平衡
イムレフ imref
状態における電子密度,正孔密度を,ボル
ツマン近似の下での熱平衡状態の式を用
いて,次の式のように表記したときのEFn
(電子)及び,E Fp(正孔)。
n Ei ) /kBT]
ni exp[( EFn
p niexp[(EFp Ei ) /kBT]
ここに,n : 非熱平衡における電子
密度
p : 非熱平衡における正孔
密度
n1 : 真性キャリヤ密度
Ei: 真性準位,kB : ボルツ
マン定数
T : 絶対温度
イムレフ(imref) は,Fermiを逆につづった
造語である。
2) 電子デバイス,IC など
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
5-2-1 ダイオード diode
二つの(di)電極(electrode)をもつ電子デバイス。
性質などを示す接頭語を付けて呼ばれる。
例 ショットキーダイオード,ガンダイオ
ード,フォトダイオード,レーザダイ
オードなど。
5-2-2 バリスタ varistor
variable resistor からの造語であり,抵抗値が電 151-01-31
圧によって非直線的に変化する性質を利用した
半導体素子。普通のバリスタは臨界電圧以下で
は抵抗が非常に大きく,それ以上では抵抗が急
激に減少する。この性質からサージ電圧を減衰
するための防護素子として用いられる。
5-2-3 サーミスタ thermistor
温度変化に対して極めて大きな抵抗値変化を示 151-01-32,
すことを利用した半導体素子。 521-04-13,
備考 抵抗温度係数が正のものを PTC 726-21-08
(positive temperature coefficient)サーミ
スタ,負のものをNTC (negative
temperature coefficient)サーミスタと
いう。
――――― [JIS C 5600 pdf 72] ―――――
72
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
5-2-4 トランジスタ transistor
端子を三つ以上備えた半導体能動素子の一般的 521-04-25
名称。transfer resistor を縮めた造語。 電子と正
孔とがともに動作に関与するバイポーラ形と,
いずれか一方だけが関与するユニポーラ形に大
別できる。
備考 バイポーラトランジスタやIGBTな
どはバイポーラ形,MOSFET,HEMT,
TFTなどはユニポーラ形のトランジ
スタである。
5-2-5 PN接合ダイオー PN接合からなる整流特性を示す2端子素子。 PN-junction
ド diode
5-2-6 ショットキー[バ Schottky
金属と半導体接触(ショットキー接触)とから
リア]ダイオー なるダイオード。 (barrier)
ド diode
5-2-7 定電圧ダイオード voltage
ダイオードの逆方向降伏現象を利用して,印加
regulating
電圧が一定値以上にかからないように設計され
たダイオード。 diode
5-2-8 トンネルダイオー P,Nともに不純物が高密度にドープされたPNtunnel diode 521-04-04
ド 接合ダイオードで,順方向バイアス印加時に量
子力学的トンネル効果によってN形の負性抵抗
を示す2端子素子。
5-2-9 ガンダイオード GaAsのように特異な伝導帯構造をもつ半導体Gunn diode
において,高電界を印加すると電子遷移に基づ
き負性抵抗が現れる。これを利用したマイクロ
波帯の発振・増幅用の2端子素子。
5-2-10 走行時間素子 transit time
走行領域の長さを適切にとることによって,電
device
子が注入されてから端子電流が流れるまでの位
相差を付け,交流的に負性抵抗を実現する半導
体素子。 衝突電離・なだれ(雪崩)増倍によっ
て電子注入を行うインパット (IMPATT : impact
ionization avalanche transit time) ダイオードが代
表的な素子。
5-2-11 バイポーラトラン bipolar
二つ以上の接合をもち,電子と正孔とがともに 521-04-26
ジスタ 動作に関与する3端子のデバイス。エミッタ,transistor bipolar junction
ベース,コレクタと呼ばれる三つの領域からな transistor
り,NPN又はPNPの2種類がある。
――――― [JIS C 5600 pdf 73] ―――――
73
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
5-2-12 ヘテロ接合バイポ heterojunction
エミッタにバンドギャップの広い半導体を用
ーラトランジス い,ベース・エミッタヘテロ接合に形成されbipolar
タ, た電位障壁を利用することで,ベースからエtransistor,
HBT HBT
ミッタへの少数キャリヤ注入を抑制して,エ
ミッタ効率を 1 に 近付け,高い電流増幅率
を実現したバイポーラトランジスタ。
参考 例えば,ベースにGaAsを,エミッ
タにはベースより広いバンドギャ
ップをもつAlGaAs半導体を用いる
ことで,ベース抵抗とベース・エミ
ッタとの間の接合容量が小さなト
ランジスタを実現できる。高周波性
能,温度特性などの面で優れてい
る。
5-2-13 電界効果トランジ field effect
電流通路(チャネル)のコンダクタンスを, 521-04-30
スタ, ゲート電極から横方向の電界によって制御すtransistor,
FET るトランジスタ。 FET
備考 ゲート構造によって,“接合形FET
(JFET: junction FET)”,“金属・酸化
物・半導体FET[MOSFET: metal
oxide semiconductor FET]”,“金属・
半導体 FET(MESFET: metal
semiconductor FET)”(“ショットキ
ーバリアゲートFET”ともいう。)
などに分けられる。
5-2-14 MOSFET MOS構造の金属(ゲート)直下の酸化膜・半metal-oxide- 521-04-33
semiconductor
導体界面の反転層をチャネルとし,ここのキ
ャリヤ数をゲート電圧で制御することによっfield effect
てチャネルの面に沿ったコンダクタンスを制transistor,
御する電界効果トランジスタ。 MOSFET
備考 チャネル反転層がN形のものを
N-MOSFET,P 形のものを
P-MOSFETという。
5-2-15 高電子移動度トラ high electron
電界効果トランジスタの一つで,ヘテロ接合
ンジスタ, と変調ドープ技術とを利用してチャネルでのmobility
HEMT キャリヤ散乱を減らすことによって,高速化transistor,
及び 低雑音化を図ったもの。 HEMT
備考 “変調ドープFET (MODFET:
modulation doped FET)”,“2次元電
子ガス FET (2DEGFET: 2
dimensuional electron gas FET)”とも
呼ばれる。
5-2-16 薄膜トランジス thin film
絶縁体基板上に半導体薄膜を形成し,その膜
タ, 内にチャネルを設けて,絶縁ゲート電界効果transistor,
TFT トランジスタとしたもの。 TFT
――――― [JIS C 5600 pdf 74] ―――――
74
C 5600 : 2006
参考
番号 用語 定義 関連IEC 60050
対応英語
番号及び用語
5-2-17 絶縁ゲートバイポ insulated gate
パワーエレクトロニクス用デバイスの一つ。
ーラトランジス MOS FETの耐圧を上げるには,ドレインの不 bipolar
タ, 純物濃度を下げる必要があるが,一方でオンtransistor,
IGBT IGBT
抵抗は大きくなる。このトレードオフを解消
するためにドレインに相当する領域にPN整
合を設け,オン状態においてこの接合が順バ
イアスされると導電率変調が生じオン抵抗が
低減できる。
5-2-18 静電誘導トランジ static induction
電界効果トランジスタの一つで,ゲート電極
スタ, の埋め込み,チャネルの縦形化などによってtransistor,
SIT SIT
極限まで短チャネル化を図り大きな電流駆動
能力をもたせたデバイス。
5-2-19 サイリスタ 三つ又はそれ以上のPN接合部からなり,S字thyristor 521-04-38
形の負性抵抗を示す素子。ゲートに電圧をか
けることによってオフからオンの状態に切り
換える。 ゲートからキャリヤを強制的に引き
出すことによってオンからオフの状態に制御
できるようにしたものをゲート・ターン・オ
フサイリスタ(GTO: gate-turn-off thyristor)と呼
ぶ。
5-2-20 集積回路, integrated
数多くの超小形素子が一つの基板上に一体的 521-10-04,
IC に作り込まれている回路。 circuit, (521-10-06
IC semiconductor
integrated
circuit)
5-2-21 モノリシック集積 1個の半導体のチップ内に作られた集積回路。 monolithic
回路 integrated
circuit
5-2-22 CMOS 基本的なインバータ回路がP-MOSとN-MOS complement-
の1対で構成され,両者が入力に対して互いary
metal-oxide-
に相補的にスイッチングする構造の回路構成
方式。 semiconductor,
備考 “相補形MOS”ともいう。 CMOS
5-2-23 BiMOS バイポーラ素子とMOS素子とを同一チップ bipolar
metal-oxide-
上に混載して,互いの長所を生かす回路構成
方式。 semiconductor,
備考 “バイポーラMOS”ともいう。 BiMOS
5-2-24 BiCMOS バイポーラ素子とCMOS素子とを混載した回 bipolar
路構成方式。 complementary
metal-oxide-
semiconductor,
BiCMOS
――――― [JIS C 5600 pdf 75] ―――――
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JIS C 5600:2006の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60050(MOD)
JIS C 5600:2006の国際規格 ICS 分類一覧
- 33 : 電気通信工学.オーディオ及びビデオ工学 > 33.020 : 電気通信工学一般
- 01 : 総論.用語.標準化.ドキュメンテーション > 01.040 : 用語集 > 01.040.33 : 電気通信工学.オーディオ及びビデオ工学(用語集)